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Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 2024Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 18:01:13 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
副標(biāo)題Simulation mit PSPIC
編輯Peter Baumann
視頻videohttp://file.papertrans.cn/742/741146/741146.mp4
概述Statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen.Erg?nzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler.Simulationswerkzeug für den Elektr
圖書封面Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 2024Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der
描述.Erg?nzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgew?hlter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazit?tsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverst?rker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschlie?ende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen.?.
出版日期Textbook 2024Latest edition
關(guān)鍵詞Elektrotechnik; Elektronik; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sp
版次4
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0
isbn_softcover978-3-658-43820-3
isbn_ebook978-3-658-43821-0
copyrightDer/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb
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書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影響因子(影響力)




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書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen網(wǎng)絡(luò)公開度




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 21:24:21 | 只看該作者
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 03:43:06 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 08:27:18 | 只看該作者
Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor, folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazit?ten k?nnen mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.
5#
發(fā)表于 2025-3-22 11:38:18 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 13:58:57 | 只看該作者
Optokoppler, Si-npn-Fototransistor vorgenommen. Statische Modellparameter folgen aus den LED-Durchlass- und -Sperrkennlinien sowie aus dem Ausgangskennlinienfeld des Transistors. Die Sperrschichtkapazit?ten werden mit dem Programm MODEL EDITOR und die Transitzeit über die frequenzabh?ngige Leistungsverst?rkung ermittelt.
7#
發(fā)表于 2025-3-22 18:57:27 | 只看該作者
Sensoren,n betrachtet, bei denen die Elemente von Schwingkreisen zu erfassen sind. Dazu z?hlen piezoelektrische Summer und Ultraschallsensoren. Ausgehend von Datenblattangaben werden diejenigen Modellparameter berechnet, die für eine Simulation mit dem Programm PSPICE erforderlich sind.
8#
發(fā)表于 2025-3-22 21:36:14 | 只看該作者
Solarzellen, untersucht. Die Analyse von Strom, Leistung und Wirkungsgrad für die Standard-Testbedingungen erfolgt mit dem Programm PSPICE. Die Parameterextraktion liefert den Dioden-S?ttigungsstrom sowie den Parallel- und Serienwiderstand.
9#
發(fā)表于 2025-3-23 04:53:55 | 只看該作者
978-3-658-43820-3Der/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb
10#
發(fā)表于 2025-3-23 08:58:28 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0Elektrotechnik; Elektronik; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sp
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