Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 2024Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der

Myocarditis

Peter BaumannStatische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen.Erg?nzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler.Simulationswerkzeug für den Elektr

獨(dú)輪車

Halbleiterdioden, Für die Extraktion der statischen Parameter, der Kapazit?tskenngr??en und der Z-Spannung nebst Z-Strom wird das Programm MODEL EDITOR verwendet. Die Parameterextraktion zeigt die Rückgewinnung derjenigen Parameter, mit denen die im Programm PSPICE verwendeten Halbleiterdioden ursprünglich modellier

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Bipolartransistoren,age für die Ermittlung der Modellparameter sind das Gro?signal- und Kleinsignalmodell des Transistors. Ausgewertet werden sowohl simulierte statische Kennlinien als auch die Frequenzabh?ngigkeit maximaler stabiler Leistungsverst?rkungen..Besondere Untersuchungen auf der Basis von Streuparametern gel

陶醉

Sperrschicht-Feldeffekttransistoren,gnalmodell. Die Extraktion der Modellparameter wie Abschnürspannung, Drain-Source-S?ttigungsstrom und Transkonduktanz erfolgt über die Auswertung von Kennlinien. Die Kapazit?tsparameter gehen aus der Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung hervor.

LURE

MOS-Feldeffekttransistoren,ng oder die Steilheit lassen sich aus der übertragungskennlinie gewinnen. Dabei wird der auch der Einfluss der Bulk-Elektrode erfasst. Die Bulk-Drain- und Bulk-Source-Kapazit?ten werden über die Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung ermittelt.

Diluge

Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor, folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazit?ten k?nnen mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.

Hyperalgesia

,Operationsverst?rker,nnlinien für den Differenz- und Gleichtaktbetrieb gewonnen. Demonstriert wird die Anwendung der übertragungsfunktions-Analyse. Dargestellt werden Gleichstrom-Modelle mit Eingangs- und Ausgangswiderst?nden sowie mit einer spannungsgesteuerten Spannungsquelle als auch Kleinsignal-HF-Modelle.

Apraxia

Optokoppler, Si-npn-Fototransistor vorgenommen. Statische Modellparameter folgen aus den LED-Durchlass- und -Sperrkennlinien sowie aus dem Ausgangskennlinienfeld des Transistors. Die Sperrschichtkapazit?ten werden mit dem Programm MODEL EDITOR und die Transitzeit über die frequenzabh?ngige Leistungsverst?rkung

uncertain

Sensoren,n betrachtet, bei denen die Elemente von Schwingkreisen zu erfassen sind. Dazu z?hlen piezoelektrische Summer und Ultraschallsensoren. Ausgehend von Datenblattangaben werden diejenigen Modellparameter berechnet, die für eine Simulation mit dem Programm PSPICE erforderlich sind.

heterogeneous