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Titlebook: Next Generation Spin Torque Memories; Brajesh Kumar‘Kaushik,Shivam Verma,Sanjay Prajapat Book 2017 The Author(s) 2017 Spin Transfer Torque

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樓主: Truman
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發(fā)表于 2025-3-25 07:10:57 | 只看該作者
Brajesh Kumar‘Kaushik,Shivam Verma,Sanjay PrajapatDemonstrates nonvolatile computing architecture using spin transfer torque-magnetoresistive random access memory (STT-MRAMs) and comparison with conventional architecture.Includes emerging topics such
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發(fā)表于 2025-3-25 07:38:20 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-25 13:28:30 | 只看該作者
Next Generation 3-D Spin Transfer Torque Magneto-resistive Random Access Memories,ation density. These exclusive features of STT MRAMs are rapidly gaining attention of memory designers. They are strong contenders for futuristic embedded memory applications. However, further reduction in write power dissipation and cell size is essential to employ STT MRAMs for embedded applications.
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發(fā)表于 2025-3-25 17:04:43 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-25 21:17:26 | 只看該作者
Next Generation Spin Torque Memories978-981-10-2720-8Series ISSN 2191-530X Series E-ISSN 2191-5318
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發(fā)表于 2025-3-26 04:08:55 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 04:51:45 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 10:03:56 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 14:33:54 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 17:56:50 | 只看該作者
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