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Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme

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發(fā)表于 2025-3-23 12:14:48 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 14:02:41 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 20:49:27 | 只看該作者
,The Zenith of Nationalism 1914–1945,r den eindimensionalen Fall l??t sich diese Differentialgleichung für V (x,t) aus der Kontinuit?tsgleichung, der Transportgleichung und einer Beziehung zwischen Fl?chenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q (V) h?ngt, wie in Kap.3 erl?utert, vom Steuermechanismus der Gateelektro
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發(fā)表于 2025-3-24 01:45:47 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 03:35:14 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 08:08:07 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 13:57:27 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-642-83576-6Bauelemente; Digitale Schaltungen; Entwicklung; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Kennlinien
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發(fā)表于 2025-3-24 18:03:15 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 22:55:27 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-25 00:54:57 | 只看該作者
Grundlagen,gstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch L?cher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.
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