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Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 16:56:36 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
書目名稱GaAs-Feldeffekttransistoren
編輯Walter Kellner,Hermann Kniepkamp
視頻videohttp://file.papertrans.cn/381/380199/380199.mp4
叢書名稱Halbleiter-Elektronik
圖書封面Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren;  Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme
描述.Aus den Besprechungen:. "...Das Buch wendet sich an Ingenieure, Naturwissenschaftler und Studenten, die sich in die Herstellungstechnik und Eigenschaften dieser neuen Bauelemente einarbeiten wollen. Auf Grund der hohen Bedeutung dieser Technik wurde ihr ein eigener Band in der bekannten und bereits an dieser Stelle diskutierten Reihe Halbleiter-Elektronik gewidmet. Vorausgesetzt wird die Kenntnis der Grundlagen der Halbleiter-Elektronik. Die Verfasser sind kompetente Fachleute aus der zentralen Forschung und Entwicklung der Siemens AG München ... Besonders wertvoll ist ein umfangreiches, nach den Kapiteln gegliedertes Literaturverzeichnis, das eine breite übersicht über das Quellenmaterial und Zusatzliteratur gibt." .Elektropraktiker#1. "...Nicht ohne Erfolg haben sich die beiden Autoren die Mühe gegeben, ein Buch zu schreiben, welches sowohl für "alte Hasen" als auch für Studenten geeignet ist. So k?nnen z.B. diejenigen, welche über ausreichende Grundlagenkenntnisse verfügen, die zwei ersten Kapitel überspringen, w?hrend angehende Wissenschaftler und Ingenieure gerade hier interessante und nützliche Denkanst??e finden werden..." .Elektronik#2.
出版日期Textbook 1989Latest edition
關(guān)鍵詞Bauelemente; Digitale Schaltungen; Entwicklung; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Kennlinien
版次2
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-642-83576-6
isbn_softcover978-3-540-50193-0
isbn_ebook978-3-642-83576-6Series ISSN 0172-5882
issn_series 0172-5882
copyrightSpringer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989
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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 20:33:04 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-1-349-17524-6inen kurzen überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1988) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III-V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolgen) sind z.B. in Tagungsb?nden zu finden:
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 01:23:16 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 07:14:23 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 12:03:29 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 14:51:50 | 只看該作者
7#
發(fā)表于 2025-3-22 19:46:37 | 只看該作者
Einleitung,Dieser Band der Reihe “Halbleiter-Elektronik” befa?t sich mit Hochfrequenz-Feldeffekttransistoren, wobei der GaAs-MESFET (.etal-.emiconductor-.ield-.ffect-.ransistor) im Mittelpunkt steht.
8#
發(fā)表于 2025-3-22 22:02:06 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 03:38:19 | 只看該作者
10#
發(fā)表于 2025-3-23 09:09:32 | 只看該作者
GaAs-Feldeffekttransistoren978-3-642-83576-6Series ISSN 0172-5882
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