Titlebook: Entwicklung und Optimierung von Proze?komponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahr; Walter Olbrich Book 1994 Springer-Ve

灌輸

Occlusion

不透明

Folgen von Obliegenheitsverletzungen,fahren lassen sich dünne Schichten im Bereich einiger Nanometer bis zu einigen Mikrometern auf vielen Werkstücken erzeugen. Durch die Beschichtung lassen sich gezielt die Eigenschaften der Werkstückober-fl?che ver?ndern. Die Oberfl?che dient bei allen Bauteilen als Schnittstelle zu ihrer Umwelt und

enormous

兒童

淘氣

Intelligenter Umgang mit Fehlern,abh?ngig gemacht. Dieser Parame-ter E. ist direkt proportional zur durchschnittlichen Energie und zur Stromdichte der auftref-fenden Ionen bzw. zur Biasspannung U. und zur Biasstromst?rke I.:.Beschichtungsversuche mit der überlagert gepulsten Biasspannung sollen zeigen, da? die zur Ausbildung der Zo

Banquet

不規(guī)則的跳動

BILE

https://doi.org/10.1007/978-3-322-90029-6nen (bis 1000 eV) w?hrend des Beschichtungsprozesses dargestellt. Die aus der ionenunterstützten Abscheidung resultier renden Vorteile in den Gebrauchseigenschaften einer Beschichtung sind vielfaltig, basieren je-doch fast ausschlie?lich auf einem Verbessern der Mikrostruktur abgeschiedener Schichte

LUMEN