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Titlebook: Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente; Horst Gad Book 1979 Springer Fachmedien Wiesbaden 1979 Einsa

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樓主: arouse
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發(fā)表于 2025-3-25 05:50:53 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-25 09:05:10 | 只看該作者
Alten Bibliotheken eine Zukunft,ngangsdynamikbereich genannt, ist typen- und schaltungsabh?ngig. Beim PNFET sind die Grenzen gem?? Bild 12 zu berücksichtigen. Beim MOSPET entfallen zwar die Gate-Dioden, dafür sind aber die Bulk-Dioden (Bild 11) vorhanden. Die Berechnung der Aussteuergrenzen erfolgt unter der Annahme, da? jeweils d
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發(fā)表于 2025-3-25 12:39:52 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-662-31642-9 beschrieben, wobei aber die Gate-Source-Vorspannung U. gem?? Gl.(139) durch U. oder I. ersetzt werden kann. Bei ungleichen Parametern der Feldeffekttransistoren ist ein Abgleich gem?? Gl.(162) und Gl. (163) bzw. gem?? Gl.(170) und Gl.(171) vorzunehmen. Dabei ist aber der Abgleich weitgehend auf unt
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發(fā)表于 2025-3-25 16:32:02 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-25 21:25:50 | 只看該作者
,Folgen der Beziehung für das Tier,Das hier benutzte Verfahren zum Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element beruht darauf, da? ein Parabelast der Strom-Spannungs-Kennlinie des Feldeffekttransistors nach Taylor zerlegt wird. Wie diese Zerlegung erfolgen kann, sei anhand der Kennlinie Bild 1,(2) dargestellt.
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發(fā)表于 2025-3-26 00:38:52 | 只看該作者
Die Bierverk?ufer von BarcelonaZur Erfassung des wesentlichen Einflusses kapazitiver Last beim quadratischen Element mit Feldeffekttransistoren wird von der Schaltung gem?? Bild 47 ausgegangen. Die Kapazit?ten C wie auch die Kapazit?t C. beeinflussen in Verbindung mit den Widerst?nden R und R. die Ausgangsspannung u..
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發(fā)表于 2025-3-26 07:55:17 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 10:46:31 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-658-36520-2Die Untersuchungen über den Einsatz von PNFETs wie auch von MOSFETs als quadratische Elemente, die nach dem Kompensationsverfahren arbeiten, haben ergeben, da? diese Technik durchaus für die Praxis geeignet ist.
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發(fā)表于 2025-3-26 15:05:32 | 只看該作者
,Zerlegung von Parabel?sten,Das hier benutzte Verfahren zum Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element beruht darauf, da? ein Parabelast der Strom-Spannungs-Kennlinie des Feldeffekttransistors nach Taylor zerlegt wird. Wie diese Zerlegung erfolgen kann, sei anhand der Kennlinie Bild 1,(2) dargestellt.
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發(fā)表于 2025-3-26 17:12:35 | 只看該作者
,Einflu? kapazitiver Last auf die Ausgangsspannung des quadratischen Elements mit FeldeffekttransistZur Erfassung des wesentlichen Einflusses kapazitiver Last beim quadratischen Element mit Feldeffekttransistoren wird von der Schaltung gem?? Bild 47 ausgegangen. Die Kapazit?ten C wie auch die Kapazit?t C. beeinflussen in Verbindung mit den Widerst?nden R und R. die Ausgangsspannung u..
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