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Titlebook: Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente; Horst Gad Book 1979 Springer Fachmedien Wiesbaden 1979 Einsa

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 18:55:20 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente
編輯Horst Gad
視頻videohttp://file.papertrans.cn/304/303260/303260.mp4
叢書名稱Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen
圖書封面Titlebook: Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente;  Horst Gad Book 1979 Springer Fachmedien Wiesbaden 1979 Einsa
出版日期Book 1979
關(guān)鍵詞Einsatz; Feldeffekt; Feldeffekttransistor; Feldeffekttransistoren; Forschung; Transistor
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-322-88459-6
isbn_softcover978-3-531-02866-8
isbn_ebook978-3-322-88459-6
copyrightSpringer Fachmedien Wiesbaden 1979
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書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente影響因子(影響力)




書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente網(wǎng)絡(luò)公開度




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書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente被引頻次




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書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente年度引用學(xué)科排名




書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente讀者反饋




書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente讀者反饋學(xué)科排名




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 21:42:21 | 只看該作者
Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente978-3-322-88459-6
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 01:23:02 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 06:50:33 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 09:19:56 | 只看該作者
Kompensationsverfahren,re Terme zu erwariren sind. Da hier der quadratische Term der Zerlegung als erwünschte Funktion angesehen wird, ist nach einem Verfahren zur Kompensation der unerwünschten Terme der Taylorentwicklung zu suchen.
6#
發(fā)表于 2025-3-22 14:29:26 | 只看該作者
7#
發(fā)表于 2025-3-22 20:42:04 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 21:24:03 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 01:27:08 | 只看該作者
Ergebnisse der empirischen Studie,en n-Kanal-MOSFET M?glichkeiten aufgezeigt, Parabel?ste zu erhalten. Damit die Bulk-Source-Diode des MOSFET bei Inversbetrieb (U. < 0) nicht in Flu?richtung betrieben werden kann, sei angenommen, da? das Bulk genügend stark negativ vorgespannt ist.
10#
發(fā)表于 2025-3-23 09:36:26 | 只看該作者
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