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Titlebook: Compact Transistor Modelling for Circuit Design; Henk C. Graaff,Fran?ois M. Klaassen Book 1990 Springer-Verlag/Wien 1990 SPICE.circuit.cir

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樓主: FERN
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發(fā)表于 2025-3-28 16:15:44 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 20:26:17 | 只看該作者
Compact Models for Vertical Bipolar Transistors,ions which together define a given model. This description will be limited to vertical . transistors for integrated circuits, including the substrate effects of the parasitic . transistor. Vertical . transistors also exist, but they require no new fundamental additions.
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發(fā)表于 2025-3-29 00:41:25 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-29 05:50:20 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-29 08:11:39 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-29 13:53:42 | 只看該作者
Models for the JFET and the MESFET, field-effect transistor (MESFET) are considerable, their physical operation is almost identical. The modelling of these devices is therefore discussed in one chapter. In both cases transistor operation is achieved by depleting an already existing channel region via a gate-controlled . junction or a
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發(fā)表于 2025-3-29 18:26:53 | 只看該作者
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