Titlebook: Verst?rkertechnik; Dietmar Ehrhardt Book 1992 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden 1992 Entwurf.Handel.Ph

deferential

書目名稱Verst?rkertechnik影響因子(影響力)




書目名稱Verst?rkertechnik影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Verst?rkertechnik網(wǎng)絡(luò)公開度




書目名稱Verst?rkertechnik網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名




書目名稱Verst?rkertechnik被引頻次




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書目名稱Verst?rkertechnik年度引用




書目名稱Verst?rkertechnik年度引用學(xué)科排名




書目名稱Verst?rkertechnik讀者反饋




書目名稱Verst?rkertechnik讀者反饋學(xué)科排名

nurture

Rauschen des Bipolartransistors,llung der Rauschzahl, die zum selben Ergebnis führt, ist das Verh?ltnis von Eingangs-Signalrauschabstand zu Ausgangs-Signalrauschabstand.Anstatt die Rauschleistung der Quelle mit einem Faktor zu versehen, kann man sie als thermisch rauschenden Widerstand mit erh?hter Temperatur ansehen.mit T. = Raumtemperatur (290 K).

形狀

大猩猩

Rauschen des Bipolartransistors,h einen rauschfreien Vierpol ersetzt werden kann (bei gleicher Rauschausgangsleistung). Die Ausgangsrauschleistung eines Vierpols ist gegeben durch.mit.damit wird.wobei F. der Zusatzrauschfaktor ist. Die Rauschzahl wird auch im logarithmischen Ma? angegeben, sie hei?t dann ..Eine etwas andere Darste

一美元

沉積物

惰性女人

Lateraler PNP-, Substrat-PNP-Transistor,sind meist NPN-Transistoren, wegen der h?heren Beweglichkeit ihrer Ladungstr?ger und der damit verbundenen h?heren Grenzfrequenz und Stromverst?rkung. PNP-Transistoren lassen sich in demselben Proze? nicht so einfach herstellen. So fanden sich in den ersten analogen integrierten Schaltungen überhaup

Hiatus

培養(yǎng)

HF-Verhalten von Feldeffekttransistoren,Laufzeit der Ladungstr?ger ist abh?ngig von ihrer Beweglichkeit. Daher sind N-Kanal-FETs im allgemeinen schneller als P-Kanal-FETs, da Elektronen im Silizium eine etwa 3 mal h?here Beweglichkeit besitzen als L?cher. Die Beweglichkeit der Elektronen betr?gt etwa . und die der L?cher ca.

可能性