Titlebook: Vegetation and climate interactions in semi-arid regions; A. Henderson-Sellers,A. J. Pitman Book 1991 Springer Science+Business Media Dord

墻壁

CLOUT

A. Henderson-Sellersn als so genannte schnelle Thyristoren in der Umrichtertechnik mit den Ablegern ?asymmetrischer Thyristor (ASCR) und den ?Gate-abschaltunterstützten Thyristor“ (GATT). Für Neuanwendungen spielen diese Bauteile keine Rolle mehr. Auch in seinem klassischen Einsatzgebiet der Gleichstromantriebstechnik

VEN

Heute sind diese Bauelemente aus vielen Anwendungen verschwunden, ihre Funktion wurde vielfach durch MOSFETs und IGBTs ersetzt. Trotzdem bildet die bipolare Transistorstruktur weiterhin den Kern vieler modernen Bauelemente, so dass ihre Kenntnis für das Verst?ndnis der Wirkungsweise moderner Leistu

Pruritus

B. R. Robertslation . Formeln der Art.mit je . Alternativen auf der rechten Seite. In der Pr?dikatenlogik erster Stufe definiert man hierfür ein Pr?dikat Position(nummer, xPosition, yPosition). Die obige Relation muss nun nicht mehr als riesige Menge von Paaren aufgez?hlt werden, sondern wird abstrakt beschriebe

鋼盔

M. M. Verstraete,B. Pinty unipolaren MOSFET-Leistungstransistors folgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Str?me über 3

larder

aristocracy

牢騷

M. R. Raupachandelt. Aufbauend auf der bipolaren Transistorstruktur wird der Thyristor und der GTO-Thyristor bzw. IGCT vorgestellt. Nach Einführung des MOSFET-Leistungstransistors folgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leis

pacific

A. J. Pitman?rmiger Wechselstrom, so dass der Rotor zur Reduzierung der Wirbelstromverluste immer geblecht ausgeführt wird. Der Zusammenhang zwischen Erregerfeld ., Ankerstrom . und den geometrischen Daten der s?ttigungsfrei angenommenen Maschine wird in einer Drehmomentkonstanten . in Gl. (16-1) zusammengefass

發(fā)展

H. A. Cleughgen. Die St?rungen werden im Wesentlichen durch schnelle Schalt- bzw. Kommutierungsvorg?nge im Leistungsteil des Umrichters verursacht. Zus?tzlich k?nnen Resonanzkreise aus parasit?ren Kapazit?ten und Induktivit?ten zu hochfrequenten Schwingungen angreregt werden.