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Titlebook: VLSI Design and Test; 26th International S Ambika Prasad Shah,Sudeb Dasgupta,Jaynarayan Tudu Conference proceedings 2022 The Editor(s) (if

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樓主: obdurate
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發(fā)表于 2025-3-26 21:22:23 | 只看該作者
Arvind Bisht,Yogendra Pratap Pundir,Pankaj Kumar Pal: einer der Güterst?nde wurde zum ordentlichen gesetzlichen Güterstand erhoben und im Gesetz ausführlich geregelt; er sollte automatisch in jeder Ehe eintreten, wenn nicht besondere gesetzliche oder vertragliche Bestimmungen ihn ausschlossen. Daneben regelt das Gesetz aber noch einige andere Güterst
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發(fā)表于 2025-3-27 04:52:02 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-27 08:27:47 | 只看該作者
Puneet Singh,Saroj Mondal,Krishnan S. Rengarajanuweilen nur in einem einzigen Satz behandelt, zugunsten der wirklich bedeutsamen Probleme. Immer aber ist zu jedem Fragenkreis die weiterführende Literatur, eingehender als im "Allgemeinen Teil des Bürgerlichen Rechts", zitiert. Ebensowenig fehlt der h?ufige Hinweis auf wichtige h?chstrichterliche E
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發(fā)表于 2025-3-27 13:32:19 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-27 14:29:40 | 只看該作者
Khushwant Sehra,Jeffin Shibu,Meena Mishra,Mridula Gupta,D. S. Rawal,Manoj Saxena
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發(fā)表于 2025-3-27 20:56:30 | 只看該作者
Chanchal,Ajay Kumar Visvkarma,Hardhyan Sheoran,Amit Malik,Robert Laishram,Dipendra Singh Rawal,Manoj
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發(fā)表于 2025-3-28 01:09:55 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 05:04:43 | 只看該作者
Anuj Srivastava,Nishant Kumar,Nihar Ranjan Mohapatra,Hari Shankar Gupta
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發(fā)表于 2025-3-28 08:20:59 | 只看該作者
High Resolution Temperature Sensor Signal Processing ASIC for?Cryo-Cooler ElectronicsIC front-end design to achieve high-temperature resolution for precise control of cryo-cooler. Designed temperature processing ASIC achieves .3 mK temperature resolution and consumes very low power around < 4 mW. The design has been carried out using 1.8?V SCL CMOS 180?nm technology.
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發(fā)表于 2025-3-28 11:32:13 | 只看該作者
FEM Modeling of Thermal Aspect of Dielectric Inserted Under Source & Drain of 5 nm Nanosheetce and drain on lattice temperature was investigated using electrothermal simulation of single and double stack nanosheet transistors. The effects of dielectric insertion thickness under the source and drain on the substrate, as well as SNT channel temperature analyzed and its variation with width and extension length of SNT are explained.
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