Titlebook: Semi-Insulating III–V Materials; Nottingham 1980 G. J. Rees Book 1980 The individual contributors 1980 alloy.defects.electronic properties.

interrupt

Jiro Kasahara,Naozo Watanabestehen will, mu? in allererster Linie in die Hafenst?dte gehen., denn in ihnen hat das hellenistische Leben seine farbenfreudigsten Auspr?gungen gefundene.. Man vergi?t oft, da? die Küsten- und Inselgew?sser der Mittelmeerwelt — wenigstens soweit Griechen ihr Gepr?ge bestimmten —, nicht weniger bele

Landlocked

Suggestions

P. N. Favennec,H. L’Haridoniegenden 10 Jahre waren wenig geeignet, Neuerungen zu erproben und sich mit Problemen zu befassen, die sich aus dem Bestreben einer Modernisierung und Rationalisierung des Umschlagsbetriebs ergeben. W?hrend des Krieges bestand hierzu keine M?glichkeit, ja es konnten vielfach nicht einmal die Umschla

Infelicity

平常

拋媚眼

Influence of Annealing on the Electrical Properties of Semi-Insulating GaAsrsion is attributed to manganese. Si.N. coated wafers, heat-treated in standard conditions for ion implantation post-annealing, do not show manganese and their electrical behaviour involves the balance of both shallow and deep levels present in the as-grown crystal.

和諧

shrill

拱墻

Heat Treatment Behaviour of Cr Implanted in GaAs SI Material. The presence of a deeper structure for both types of heat treatment shows how important is the influence of the defects on the Cr diffusion mechanism. In the case of face to face annealing, the tail of the Cr distribution demonstrates that in-dif fusion takes place.

切割

tigating both the electronic properties of deep levels and the chemical nature of the defects from which they arise. This increasing interest has been stimulated by the importance of the subject to device technology, in particular those microwave and opto-electronic devices made from GaAs, InP and t