Titlebook: Rauschen; Rudolf Müller Textbook 19791st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1979 Bauelemente.Dioden.Feldeffekt.Feldeffekttransistor

APNEA

Einleitung,von statistischen Schwankungen ist. Diese Schwankungen nennt man allgemein Rauschen, obwohl nur ein akustisches Anzeigeger?t (z. B. ein Lautsprecher) tats?chlich das Rauschen h?ren l??t. Eine der Ursachen für diese statistischen Schwankungen ist beispielsweise die thermische Bewegung von Ladungstr?g

乞討

Biomarker

Beschreibung des Rauschens im Frequenzbereich,hes ein Ma? für die gesamte im Rauschvorgang vorhandene Leistung ist, definiert man hier eine sog. spektrale Leistungsdichte .(.), also die ?Leistung“ im Frequenzband der Breite 1 Hz bei der Frequenz ..

SKIFF

inundate

EWE

祖?zhèn)髫?cái)產(chǎn)

,übertragung von Rauschen über elektrische Netzwerke,rkt und ggf. in andere Frequenzbereiche umgesetzt wird. Das gleiche Schicksal erleidet Rauschen, welches am Eingang (z. B. an den Antennenbuchsen) angeboten wird. Zus?tzlich entsteht in diesen Netzwerken Rauschen. Sofern es sich um passive Netzwerke handelt (Widerst?nde, Kondensatoren, Spulen usw.,

幾何學(xué)家

cortisol

Dioden,ekennzeichnet, links ist angegeben, ob dieser Stromanteil bei Sperr- oder bei Flu?polung überwiegt. Die obersten vier Strompfeile kennzeichnen die in normalen .-Dioden ma?gebenden Stromflu?mechanismen. Bei Sperrpolung flie?t praktisch nur der Driftstrom (Komponenten 2 und 4), bei Flu?polung überwieg

慢慢沖刷

Bipolare Transistoren,chen wie in .-Dioden, d. h. Schrotrauschen ist der dominierende Effekt; die Verlustwiderst?nde rauschen thermisch. Bei tiefen Frequenzen kann das Generations-Rekombinations-Rauschen zu einem 1/.-Rauschen führen. Als erstes wird daher das Schrotrauschen behandelt.