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Titlebook: Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs; Frank Schr?der-Oeynhausen Textbook 1997 De

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 17:57:09 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
編輯Frank Schr?der-Oeynhausen
視頻videohttp://file.papertrans.cn/701/700089/700089.mp4
圖書封面Titlebook: Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs;  Frank Schr?der-Oeynhausen Textbook 1997 De
描述Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfl?che von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberfl?chennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekund?rionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es m?glich macht, Oberfl?chenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte ?nderungen des Herstellungsprozesses.
出版日期Textbook 1997
關(guān)鍵詞Chemische Analyse; Elektronik; Galliumverbindungen; Halbleiter; Kristall; Massenspektrometrie; Nanotechnol
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-322-95365-0
isbn_softcover978-3-8244-2091-9
isbn_ebook978-3-322-95365-0
copyrightDeutscher Universit?ts-Verlag GmbH, Wiesbaden 1997
The information of publication is updating

書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs影響因子(影響力)




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs網(wǎng)絡(luò)公開度




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs被引頻次




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs被引頻次學(xué)科排名




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs年度引用




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs年度引用學(xué)科排名




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs讀者反饋




書目名稱Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs讀者反饋學(xué)科排名




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 21:49:24 | 只看該作者
Oberfl?chenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs978-3-322-95365-0
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 01:07:17 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 07:44:31 | 只看該作者
Frank Schr?der-Oeynhausentage is that the R matrix, written as an expansion in terms of these functions at each continuum energy, converges slowly with the number of functions retained in the expansion. To speed this convergence different corrections can be added to the R matrix (7).
5#
發(fā)表于 2025-3-22 12:45:19 | 只看該作者
Frank Schr?der-Oeynhausenethod recently developed by Jain and Thompson (JT).. It has proved successful in providing a detailed interpretation of electron scattering results for methane, water, and ammonia and is discussed elsewhere in this volume. The second model is the continuum multiple scattering Χα (MSXα) method origin
6#
發(fā)表于 2025-3-22 14:17:10 | 只看該作者
Frank Schr?der-Oeynhausenethod recently developed by Jain and Thompson (JT).. It has proved successful in providing a detailed interpretation of electron scattering results for methane, water, and ammonia and is discussed elsewhere in this volume. The second model is the continuum multiple scattering Χα (MSXα) method origin
7#
發(fā)表于 2025-3-22 18:55:04 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 23:51:33 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 04:10:51 | 只看該作者
978-3-8244-2091-9Deutscher Universit?ts-Verlag GmbH, Wiesbaden 1997
10#
發(fā)表于 2025-3-23 07:52:51 | 只看該作者
Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs,esonderem Ma?e den Gehalt an metallischen Verunreinigungen. Der Scheibenhersteller ist daher an einer detaillierten und quantitativen Analyse von Metallverunreinigungen auf der GaAs-Oberfl?che interessiert, die er als Qualit?ts-Zertifikat einsetzen kann.
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