Titlebook: Oberfl?chen- und Dünnschicht-Technologie; Teil I: Beschichtung René A. Haefer Book 1987 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1987 Auftragschw

柱廊

吞吞吐吐

jabber

René A. Haefernatürlichen Ressourcen.Steigender Wohlstand verlangsamt Bev?Zwischen der Wirtschaftsleistung pro Kopf und wichtigen gesellschaftlichen Rahmenbedingungen wie z.B. Energiebedarf, Umweltbelastung, Bev?lkerungs- und Wirtschaftswachstum, Mobilit?t, Ausbildung, Lebenserwartung und Gewaltbereitschaft beste

Proponent

彎彎曲曲

同來核對(duì)

,Plasmen in der Oberfl?chentechnologie,kung befinden. Plasmen in Gasen und D?mpfen bei niedrigen Drücken (. < 100 Pa = 1 mbar), d. h. nichtthermische Plasmen, spielen wegen ihrer Wechselwirkungen mit Festk?rperoberfl?chen bei folgenden Beschichtungsprozessen eine Rolle: Sputtern, Ionenplattieren, aktivierte reaktive Bedampfung, plasma-ak

借喻

Bedampfungstechniken,fenden Atome oder Moleküle verlassen die Oberfl?che des Verdampfungsgutes und schlagen sich als Schicht auf dem Substrat und umgebenden W?nden nieder. Der Proze? findet üblicherweise im Hochvakuum bei . < 10. Pa statt. Die Teilchen fliegen dann praktisch ohne Kollisionen, also geradlinig von der Que

陳腐思想

Sputtertechniken,es beschossenen Materials. Dieses Zerst?uben oder Sputtern ist die Grundlage eines Vakuum-Beschichtungsprozesses. Dazu wird eine Quelle des Beschichtungsmaterials, das Target, zusammen mit den Substraten in eine Kammer gebracht, die zun?chst auf Hochvakuum evakuiert wird. Eine gebr?uchliche Methode,

GLEAN

Ionenplattieren,ch den Begriff ?Ion Plating“ pr?gte. Nach Mattox ist das Ionenplattieren (IP) ein Vakuumbeschichtungs verfahren, bei dem die Substratoberfl?che und/oder die sich abscheidende Schicht einem Teilchenstrom hinreichend hoher Energie ausgesetzt wird, um in der übergangszone Substrat/Schicht (interface) s

少量

Chemische Abscheidung aus der Gasphase: CVD-Verfahren,peraturen von etwa 200...2000°C unter Zufuhr von W?rme- oder Strahlungsenergie ablaufen und dabei Festk?rperprodukte und flüchtige Nebenprodukte bilden. Die einzelnen Gaskomponenten werden zusammen mit einem inerten Tr?gergas, meist Argon, durch die Reaktorkammer geleitet, in der die Festk?rper durc