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Titlebook: Laser; Fritz Kurt Kneubühl,Markus Werner Sigrist Textbook 19995th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 1999 Chaos.Farbstofflaser.Festk?rp

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樓主: 尤指植物
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發(fā)表于 2025-3-30 12:00:26 | 只看該作者
Q-Switcher cw“, sondern auch zur Erzeugung von Strahlung m?glichst hoher Intensit?t im Pulsbetrieb. Seit der Entwicklung der ersten Laser ist man im Hinblick auf verschiedene Anwendungen bestrebt, m?glichst hohe Ausgangsleistungen zu erzielen. Dies betrifft den Einsatz von gepulsten Lasern sowohl in der nic
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發(fā)表于 2025-3-30 16:23:44 | 只看該作者
Ultrakurze Laserpulsenach der Realisierung des Rubinlasers wurden erstmals ps-Pulse durch passive Modenkopplung eines Riesenpuls-Rubinlasers erzeugt [Mocker & Collins 19651, wenig sp?ter folgte der Nd : Glas-Laser [ De Maria et al. 1966]. Seither wurden die Techniken zur Erzeugung ultrakurzer Laserpulse weiter entwickel
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發(fā)表于 2025-3-30 20:16:39 | 只看該作者
Instabilit?ten und Chaosmit Rauschen und Pulsen begleitete Emission selbst unter quasistation?ren Betriebsbedingungen. Lange Zeit kümmerten sich die Theoretiker wenig um dieses Ph?nomen, da die rapide Entwicklung und die vielf?ltige Anwendung der Laser eine Reihe anderer Probleme zum Studium anbot. Heute ist jedoch das Int
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發(fā)表于 2025-3-30 21:20:50 | 只看該作者
Gaslaser (gas laser)n liefert mehrere Laserüberg?nge. So sind z.B. von Ne über 180 Laserlinien bekannt. Die . erstrecken sich vom UV bis in den Submillimeterwellenbereich. Die Gaslaser umfassen . (z. B. He-Ne, Metalldampf), . (z. B. Ar.), . (z. B. CO.) und . (z. B. KrF). Gaslaser besitzen eine Reihe von Eigenschaften,
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發(fā)表于 2025-3-31 01:25:12 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-31 07:44:55 | 只看該作者
Halbleiterlaser (semiconductor lasers)qua 1962, Nathan et al. 1962, Quist et al. 1962]. Die ersten Systeme waren gepulste Halbleiterlaser, die bei tiefen Temperaturen betrieben wurden. Im Jahre 1970 wurde dann erstmals kontinuierlicher Betrieb bei Raumtemperatur erreicht. Der Halbleiterlaser ist von besonderem Interesse, weil mit ihm el
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發(fā)表于 2025-3-31 11:11:57 | 只看該作者
Festk?rperlaser (solid state lasers)onen dotiert sind. Es handelt sich dabei meist um Ionen der übergangsmetalle wie z. B. Cr. oder der seltenen Erden wie z. B. Nd. oder Ho.. Die . finden zwischen Energieniveaus der inneren ungefüllten Elektronenschalen statt. Diese werden vom Kristallfeld des Wirtskristalls nicht stark beeinflu?t. Di
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發(fā)表于 2025-3-31 13:23:26 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-31 19:46:09 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-4-1 01:44:00 | 只看該作者
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