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Titlebook: Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente; J?rg Schulze Book 2005 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2005 Bauelement.CMOS.Einzelelektronen

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 18:54:33 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
書目名稱Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
編輯J?rg Schulze
視頻videohttp://file.papertrans.cn/546/545682/545682.mp4
概述Vollst?ndige Zusammenfassung aller Vertikal- bzw. Quasivertikalkonzepte der MOS-Bauelemente.Umfangreiche, thematisch geordnete Bibliographie der Originalbeitr?ge.Includes supplementary material:
叢書名稱Halbleiter-Elektronik
圖書封面Titlebook: Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente;  J?rg Schulze Book 2005 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2005 Bauelement.CMOS.Einzelelektronen
描述.Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erl?utert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden...Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung besch?ftigen..
出版日期Book 2005
關(guān)鍵詞Bauelement; CMOS; Einzelelektronentransistor; Feldeffekttransistor; Frequenz; Hochfrequenz; Leistung; Leist
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/3-540-27547-9
isbn_ebook978-3-540-27547-3Series ISSN 0172-5882
issn_series 0172-5882
copyrightSpringer-Verlag Berlin Heidelberg 2005
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書目名稱Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente影響因子(影響力)




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 20:47:24 | 只看該作者
Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher,
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 03:01:44 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 04:56:40 | 只看該作者
0172-5882 rl?utert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden...Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung besch?ftigen..978-3-540-27547-3Series ISSN 0172-5882
5#
發(fā)表于 2025-3-22 11:12:23 | 只看該作者
0172-5882 der Originalbeitr?ge.Includes supplementary material: .Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren
6#
發(fā)表于 2025-3-22 12:53:55 | 只看該作者
7#
發(fā)表于 2025-3-22 17:34:00 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 22:21:41 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 05:00:03 | 只看該作者
J?rg SchulzeVollst?ndige Zusammenfassung aller Vertikal- bzw. Quasivertikalkonzepte der MOS-Bauelemente.Umfangreiche, thematisch geordnete Bibliographie der Originalbeitr?ge.Includes supplementary material:
10#
發(fā)表于 2025-3-23 08:02:50 | 只看該作者
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