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Titlebook: Ion Implantation in Semiconductors 1976; Fred Chernow,James A. Borders,David K. Brice Book 1977 Plenum Press, New York 1977 Plantation.cor

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發(fā)表于 2025-3-23 10:41:20 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 15:50:17 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 19:40:02 | 只看該作者
M. Fujimoto,H. Yamazaki,T. Hondaommunikation einen wesentlichen Teil der Beziehungswirklichkeit aus. Dabei k?nnen St?rungen im sexuellen Bereich sowohl Ausdruck als auch Verst?rker bzw. Anla? von Beziehungsproblemen sein. Als indirekte sexuelle Funktionsst?rungen k?nnen sie an der Genese zahlreicher psychosomatischer Leiden innerh
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發(fā)表于 2025-3-24 01:18:11 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 04:10:19 | 只看該作者
J. Comas,L. Plew,P. K. Chatterjee,W. V. McLevige,K. V. Vaidyanathan,B. G. Streetmane zweite und dritte Kategorie fallen, h?tte man die Einzelskalen zweifellos auch in den entsprechenden Kapiteln zu speziellen Verhaltensbereichen darstellen k?nnen. So beansprucht etwa die Münchener Funktionelle Entwicklungsdiagnostik für das 1. Lebensjahr, acht verschiedene Dimensionen zu erfassen,
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發(fā)表于 2025-3-24 10:28:40 | 只看該作者
C. A. Stoltediesem Aufruf mit Qualit?tsverschlechterungen gleich gesetzt und Qualit?tsverbesserungen an den Erhalt bestehender Strukturen gebunden. Andere Kritiker prophezeien, dass die deutsche Universit?t ihre ?Seele“ verlieren wird, wenn sie sich auf Bachelor-und Masterstudieng?nge einl?sst, und dass der Ver
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發(fā)表于 2025-3-24 14:06:31 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 15:27:34 | 只看該作者
S. M. Myersum einen wollen sie im Namen der von ihnen vertretenen Institute "ihrem" Jubilar einen Dank fiir sein langj?hriges Engagement abstatten - da- mit verbindet sich die Hoffnung auf eine auch zukünftig fruchtbare Zusam- menarbeit. Zum anderen wollen sie Volkmar K?hler eine pers?nliche Freude machen. Und da vielen978-3-322-92582-4978-3-322-92581-7
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發(fā)表于 2025-3-24 21:35:08 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 23:12:43 | 只看該作者
Impurity Distribution of Ion-Implanted Be in GaAs by Sims, Photoluminescence, and Electrical Profili and electrically active profiles for fluences ≥ 6X10.cm. showed significant Be redistribution after the 900°C anneal. The atomic Be profile exhibited a sharp surface peak followed by an essentially flat distribution extending to approximately twice the peak position observed in unannealed samples.
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