Titlebook: High-Power Diode Lasers; Fundamentals, Techno Roland Diehl Book 2000 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2000 Dioden Laser.basics.dynamics.ep

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Topics in Applied Physicshttp://image.papertrans.cn/h/image/426689.jpg

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Uwe Brauch,Peter Loosen,Hans Opowertalten sind, stellen die Autoren?die wesentlichen Anforderungen?zusammen...Jedes Unternehmen - ob ein kleines Büro, ein Handwerksbetrieb oder ein Konzernunternehmen - mu? sich mit diesen Fragen auseinandersetze978-3-540-00792-0978-3-642-18506-9

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Markus Weyers,Arnab Bhattacharya,Frank Bugge,Arne Knauer

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GaAs Substrates for High-Power Diode Lasers,nical part. Boric oxide was used to fully encapsulate the crystal and the melt. An initial silicon content in the GaAs melt of .(Si.) = 3 × 10. cm. has to be used in order to achieve a carrier concentration of . = (0.8?2) × 10. cm., which is the substrate specification of the device manufacturer of

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