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Titlebook: Halbleitertechnologie; W. Harth Textbook 1981Latest edition Springer Fachmedien Wiesbaden 1981 Elektronik.Elektrotechnik.Epitaxie.Fertigun

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 18:52:03 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
書目名稱Halbleitertechnologie
編輯W. Harth
視頻videohttp://file.papertrans.cn/421/420551/420551.mp4
叢書名稱Teubner Studienskripte Technik
圖書封面Titlebook: Halbleitertechnologie;  W. Harth Textbook 1981Latest edition Springer Fachmedien Wiesbaden 1981 Elektronik.Elektrotechnik.Epitaxie.Fertigun
出版日期Textbook 1981Latest edition
關(guān)鍵詞Elektronik; Elektrotechnik; Epitaxie; Fertigung; Halbleiter; Halbleitertechnologie; Hochfrequenztechnik; Mo
版次2
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-322-94051-3
isbn_softcover978-3-519-10054-6
isbn_ebook978-3-322-94051-3
copyrightSpringer Fachmedien Wiesbaden 1981
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書目名稱Halbleitertechnologie影響因子(影響力)




書目名稱Halbleitertechnologie影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Halbleitertechnologie網(wǎng)絡(luò)公開度




書目名稱Halbleitertechnologie網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名




書目名稱Halbleitertechnologie被引頻次




書目名稱Halbleitertechnologie被引頻次學(xué)科排名




書目名稱Halbleitertechnologie年度引用




書目名稱Halbleitertechnologie年度引用學(xué)科排名




書目名稱Halbleitertechnologie讀者反饋




書目名稱Halbleitertechnologie讀者反饋學(xué)科排名




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 23:46:00 | 只看該作者
Overview: 978-3-519-10054-6978-3-322-94051-3
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 03:42:13 | 只看該作者
Teubner Studienskripte Technikhttp://image.papertrans.cn/h/image/420551.jpg
地板
發(fā)表于 2025-3-22 07:13:21 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 12:23:51 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 15:50:44 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-2911-0Grundlegendes Merkmal der Planartechnologie ist die Durchführung von verschiedenen technologischen Einzelprozessen auf der Oberfl?che von Halbleiterscheiben.
7#
發(fā)表于 2025-3-22 18:10:03 | 只看該作者
The New Diversity of Family Life in EuropeZur Inbetriebnahme von Halbleiterbauelementen müssen auf die entsprechenden Halbleiteroberfl?chen Metallkontakte angebracht werden. Diese Kontakte sollen einen geringen Kontaktwiderstand besitzen und ein . Verhalten, d. h. eine lineare und symmetrische Strom-Spannungscharakteristik haben.
8#
發(fā)表于 2025-3-22 21:50:59 | 只看該作者
Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid,Der Gewichtsanteil von Silizium in der Erdrinne betr?gt über 20 %. Es kommt in der Natur nicht als Element, sondern nur in Verbindungen vor, wie z.B. haupts?chlich als Quarz (Si0.) und als Silikate (z.B. Feldspat).
9#
發(fā)表于 2025-3-23 03:08:55 | 只看該作者
Kristallbearbeitung,Zur Erzielung der für die Bauelemente n?tigen Form und Oberfl?chenbeschaffenheit mu? das einkristalline Halbleitermaterial mechanisch und chemisch behandelt werden. Meist werden Scheiben mit einer Dicke zwischen 10 μm und 1 mm und einem Durchmesser zwischen 1 mm und 100 mm aus dem Einkristallmaterial ben?tigt.
10#
發(fā)表于 2025-3-23 07:11:15 | 只看該作者
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