Titlebook: Halbleiter-Technologie; Ingolf Ruge Textbook 19842nd edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1984 Halbleiter

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-23 13:19:10

Der Metall-Halbleiter-Kontakt,chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-überg?nge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabh?ngige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-überg?nge in zunmehmendem Ma?e als eigenst?ndige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-23 16:30:11

,Me?verfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern,eiterme?technik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitf?higkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur überwachung der Ver?nderungen im Mat

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-23 18:24:09

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-23 22:17:59

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-24 02:31:07

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-24 09:00:12

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-24 12:49:14

https://doi.org/10.1007/978-94-011-7846-4chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-überg?nge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabh?ngige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-überg?nge in zunmehmendem Ma?e als eigenst?ndige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-24 18:14:00

https://doi.org/10.1007/978-1-4899-6008-5eiterme?technik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitf?higkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur überwachung der Ver?nderungen im Mat

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-24 21:33:20

https://doi.org/10.1007/978-1-4039-4401-6ng enth?lt), k?nnen in den allerwenigsten F?llen in dieser Form vom Anwender in System wie Leiterplatten usw. eingebaut werden. Dies liegt u.a. daran, da? eine geringfügige mechanische Beanspruchung das aus der dünnen (ca. 1 μm dicken) Aluminiumschicht bestehende Leiterbahnmuster zerst?ren würde; au

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-25 01:40:15

https://doi.org/10.1057/9781137264992t, da? alle Komponenten einer Schaltung auf einer Siliziumscheibe mit denselben technologischen Prozessen hergestellt werden. Als aktive Elemente werden bei monolithischen Schaltungen sowohl bipolare Transistoren (Abschn. 11. l) als auch unipolare Transistoren, also MOS-Transistoren (Abschn. 11.2),

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