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Titlebook: Halbleiter-Leistungsbauelemente; Physik, Eigenschafte Josef Lutz Book 20122nd edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012 Bipolare Trans

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 17:41:34 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
書目名稱Halbleiter-Leistungsbauelemente
副標(biāo)題Physik, Eigenschafte
編輯Josef Lutz
視頻videohttp://file.papertrans.cn/421/420527/420527.mp4
概述Praxisbezogene Behandlung der Bauelemente der Leistungselektronik.Hilft bei der Analyse der Fehlerursachen.Aktualisiert auf den neuesten Stand der Technik.Includes supplementary material: .Includes su
圖書封面Titlebook: Halbleiter-Leistungsbauelemente; Physik, Eigenschafte Josef Lutz Book 20122nd edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012 Bipolare Trans
描述.Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsf?higkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst m?glich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorg?nge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren,? MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerst?rungsmechanismen und St?rungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden? leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet..Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenh?nge bei Transistoren und Thyristoren pr?ziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Erg?nzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erken
出版日期Book 20122nd edition
關(guān)鍵詞Bipolare Transistoren; Halbleiter; Halbleiterphysik; Halbleiterphysikalische Grundlagen; Herstellungstec
版次2
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-642-29796-0
isbn_ebook978-3-642-29796-0
copyrightSpringer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
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書目名稱Halbleiter-Leistungsbauelemente影響因子(影響力)




書目名稱Halbleiter-Leistungsbauelemente影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Halbleiter-Leistungsbauelemente網(wǎng)絡(luò)公開度




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 21:16:41 | 只看該作者
http://image.papertrans.cn/h/image/420527.jpg
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 01:15:34 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 05:00:35 | 只看該作者
https://doi.org/10.1057/9781137002143 und weniger Niveaus in der Bandlücke auf. Damit sind erst hohe Sperrspannungen und niedrige Sperrstr?me m?glich..die Beweglichkeiten in monokristallinem Halbleitermaterial sind sehr viel h?her, was für die Durchlasseigenschaften notwendig ist.
5#
發(fā)表于 2025-3-22 12:01:37 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 14:27:37 | 只看該作者
Halbleiterphysikalische Grundlagen, und weniger Niveaus in der Bandlücke auf. Damit sind erst hohe Sperrspannungen und niedrige Sperrstr?me m?glich..die Beweglichkeiten in monokristallinem Halbleitermaterial sind sehr viel h?her, was für die Durchlasseigenschaften notwendig ist.
7#
發(fā)表于 2025-3-22 18:50:51 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-23 00:42:58 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-031-26662-1Leistungsbauelemente erfüllen im allgemeinen nur eine Funktion – die Funktion als Schalter, aber diese bei sehr hohen Anforderungen:
9#
發(fā)表于 2025-3-23 04:52:27 | 只看該作者
https://doi.org/10.1057/9780230108219Der Einsatz eines Leistungsbauelements führt zu Verlusten. In einem vereinfachten Anwendungsbeispiel soll die Gr??enordnung abgesch?tzt werden:.IGBT Modul BSM50GB120DLC (Infineon), auf luftgekühltem Kühlk?rper.Betriebsbedingung: I.?=?50?A, U..=?600?V, R.?=?15W, T.?=?125?°C,.f?=?5?kHz, duty cycle d?=?0,5
10#
發(fā)表于 2025-3-23 07:55:10 | 只看該作者
The Military Reforms of Nicholas IDer Begriff ?Leistungselektronisches System“ wird sehr unterschiedlich verwandt. Auch ein Buch über leistungselektronische Grundschaltungen ist heute unter dem Titel ?Systeme“ zu finden, es ist daher sinnvoll sich von ?System“ als Modewort abzugrenzen.
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