Titlebook: Halbleiter; Hanno Schaumburg Book 1991 B. G. Teubner Stuttgart 1991 Chemie.Dynamik.Elektrotechnik.Mathematik.Physik.Praxis.Sensor.Technolo

harbinger

flourish

https://doi.org/10.1007/978-1-349-81786-3r Spannungen mit einer vorgegebenen Charakteristik . reagieren. Zur Herstellung elektrischer oder elektronischer Systeme werden viele Bauelemente zu einer Schaltung verknüpft, die dafür geltenden Regeln werden als . bezeichnet. In der Schaltungstechnik ist h?ufig der Aufbau und die physikalische Wir

Constituent

Mortal

SKIFF

https://doi.org/10.1007/978-981-99-3165-1 für die Gr?üe der elektrischen Signale, die von den Bauelementen gerade noch verarbeitet werden k?nnen. Die wichtigsten Rauschquellen sind: .: In Abschnitt 4.3.3 wurden die Prinzipien des Stromtransports auf der Basis eines Elektronengases diskutiert. Typisch war, daü sich dem Vektor, der die groüe

溫和女人

Elektronengas,eine konstante potentielle Energie haben. Die Tatsache, daü die Elektronen nicht in nennenswertem Umfang den Festk?rper verlassen k?nnen (weil sie über eine elektrostatische Anziehung durch die positiv geladenen Atomrümpfe festgehalten werden), wird dadurch ausgedrückt, daü die potentielle Energie .

BADGE

,Bandstruktur von Festk?rpern,n, d.h. dort befinden sich keine weiteren Strukturen, welche auf die Teilchen einwirken k?nnen. Die Teilchen werden dadurch am Austreten aus dem Kasten gehindert, daü sich am Rand eine unendlich hohe Potentialbarriere befindet.

Guileless

Halbleiterwerkstoffe Germanium, Silizium und Galliumarsenid,ür die Anwendung wichtigen — Eigenschaften erhalten sie erst nach Einführung von Fremdatomen . einer genau vorgegebenen Art und Menge. Dabei ist kennzeichnend, daü in den meisten F?llen die relative Fremdatomkonzentration auüerordentlich klein gehalten werden kann, Konzentrationen in der Gr?üenordnu

Ceremony

,B?ndermodell von Halbleitern,formalen Anwendung dieses Modells l?üt sich eine Vielzahl wichtiger Ergebnisse herleiten, wobei der mathematische Aufwand für die quantitative Behandlung erstaunlich gering ist. Die Ursache dafür liegt vor allem in der Tatsache, daü in wichtigen F?llen die Ladungstr?ger (Elektronen und L?cher) wie d

Interregnum

,Halbleiterüberg?nge,sammenbringen verschiedener Werkstoffe, unterschiedlicher Legierungen desselben Werkstoffes oder durch Anlegen ?uüerer Spannungen. In Abschnitt 4.3.1 wurden speziell nur die chemischen Potentiale für Elektronen (Fermienergien) betrachtet. Die chemischen Potentiale anderer Teilchen des Festk?rpersyst