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遭受

Uta Gühne,Ruth Fricke,Steffi Riedel-Hellererücksichtigt, n?mlich einmal bei der Absch?tzung der ?rtlichen Lokalisierbarkeit der Leitungselektronen und L?cher, und zum anderen beim Begriff der effektiven Masse. Das in Kap. 3 behandelte B?ndermodell kann nur mit Hilfe der Quantenmechanik verstanden werden; dasselbe gilt für den Tunneleffekt b

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Bindungsmodell der Halbleiter,an von dem in der Chemie gebr?uchlichen Begriff der Valenzen, die durch die . Zustandekommen, aus. Diese Valenzen führen zu Bindungen zwischen den Atomen. Bei ihrem Aufbrechen — als Folge der endlichen Temperatur — werden Elektronen frei, die für einen Ladungstransport zur Verfügung stehen. Dabei we

membrane

比賽用背帶

,St?rung des thermischen Gleichgewichtes im homogenen Halbleiter und Relaxation,rialeigenschaften . Thermisches Gleichgewicht hegt vor, wenn der Halbleiter auf gleicher Temperatur wie seine Umgebung hegt, wenn von au?en keine Spannung angelegt wird — also kein Strom flie?t — und eventuelle frühere St?rungen des thermischen Gleichgewichts bereits abgeklungen sind. Im thermischen

單挑

deforestation

,Ladungstr?gertransport,rekt übernommen werden [s. Gln. (2/18) und (2/19)]: Diese drei Vektorgleichungen berücksichtigen Drift- und Diffusionsstrom. Zur Berechnung der Str?me ist es erforderlich, die Feld Verteilung und die LadungsVerteilung zu kennen; diese ist jedoch selbst wieder von den Str?men abh?ngig. Der Zusammenha

groggy

,Der ,-übergang,leichgewicht, unter dem Einflu? einer Vorspannung (Gleichstromkennlinie) und bezüglich seiner dynamischen Eigenschaften (Sperrschichtkapazit?t, Diffusionskapazit?t). Am übersichtlichsten sind die Verh?ltnisse für den ?abrupten übergang”, bei dem eine konstante Dotierung im .-Bereich sprungartig in e

財(cái)政

Anhang,erücksichtigt, n?mlich einmal bei der Absch?tzung der ?rtlichen Lokalisierbarkeit der Leitungselektronen und L?cher, und zum anderen beim Begriff der effektiven Masse. Das in Kap. 3 behandelte B?ndermodell kann nur mit Hilfe der Quantenmechanik verstanden werden; dasselbe gilt für den Tunneleffekt b

Rustproof

Implicit

https://doi.org/10.1007/978-3-658-00623-5Unter Halbleitern versteht man die Elemente oder Verbindungen, deren spezifischer Widerstand zwischen dem der Metalle und dem der Isolatoren liegt, d.h., Werte zwischen etwa 10. und 10. O cm hat. Abb. 1 zeigt den spezifischen Widerstand einiger Elemente und Verbindungen.