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書目名稱Grundkurs Leistungselektronik影響因子(影響力)




書目名稱Grundkurs Leistungselektronik影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Grundkurs Leistungselektronik網(wǎng)絡(luò)公開度




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書目名稱Grundkurs Leistungselektronik被引頻次




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書目名稱Grundkurs Leistungselektronik讀者反饋




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Experimental and Clinical Neuroscience unipolaren MOSFET-Leistungstransistors folgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Str?me über 3

chastise

https://doi.org/10.1007/978-1-4684-3584-9gen. Die St?rungen werden im Wesentlichen durch schnelle Schalt- bzw. Kommutierungsvorg?nge im Leistungsteil des Umrichters verursacht. Zus?tzlich k?nnen Resonanzkreise aus parasit?ren Kapazit?ten und Induktivit?ten zu hochfrequenten Schwingungen angreregt werden.

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薄荷醇

Andreas W. Momber,Radovan Kovacevicd. Bei einer gesteuerten Schaltung wird die Stromübergabe auf das n?chste Ventil bei positiver Kommutierungsspannung erst durch einen Zündimpuls ausgel?st. Die Impedanz des Eingangstransformator beeinflusst die Ventilabl?sung und führt zu einer Lastabh?ngigkeit der Gleichspannung.

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Introduction to Analytical Chemistry,ingungen im Strom – und somit auch die Zusatzverluste und Drehmoment-Oberschwingungen (Pendelmomente) einer ASM. Mit einer erh?hten Schaltfrequenz bzw. angepassten Pulsweitenmodulation k?nnen erforderliche Filterwerte reduziert werden. Dies hat ein geringeres Volumen und eine kostengünstigere Anschaffung der Anlage zur Folge.

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Samuel Natelson Ph.D.,Ethan A. Natelson M.D. Spannungswandlers wird als . bezeichnet. Zur Reduzierung von Schaltverlusten k?nnen Wandler mit Resonanzkreisen aufgebaut werden. Nachfolgend werden die verschiedenen Prinzipien der Wandlerschaltungen vorgestellt.

使混合

Dioden,er Ladungstr?ger ist auch von der Breite der RLZ – und damit von der H?he der Sperrspannung – abh?ngig. Das elektrische Verhalten einer idealen Diode wird zusammen mit dem Verhalten einer realen Diode für eine konstante Sperrschichttemperatur beschrieben.