Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 19851st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1985 Bauelemente.

T-cell

書目名稱GaAs-Feldeffekttransistoren影響因子(影響力)




書目名稱GaAs-Feldeffekttransistoren影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱GaAs-Feldeffekttransistoren網(wǎng)絡(luò)公開度




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書目名稱GaAs-Feldeffekttransistoren被引頻次




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書目名稱GaAs-Feldeffekttransistoren年度引用




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書目名稱GaAs-Feldeffekttransistoren讀者反饋




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準(zhǔn)則

Cardioversion

金哥占卜者

,Tern?re und quatern?re Halbleiter für Hochfrequenz-FET,en. Parasit?re Gr??en, die ihren Ursprung im Design und in nicht optimalen Herstellungs-bedingungen haben, verf?lschen die erzielbaren Ergebnisse. Letztlich sind es aber die Transporteigenschaften und die Bandstruktur des Halbleitermaterials, welche die bestimmenden Faktoren darstellen.

高興一回

Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs,inen kurzen überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1983) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III–V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolge

inscribe

Grundlagen,ngstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch L?cher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.

inscribe

GaAs-MESFET,zwischen Fl?chenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q(V) h?ngt, wie in Kap.3 erl?utert, vom Steuermechanismus der Gateelektrode ab. Wenn sich die Fl?chenladung im Kanal nicht abrupt ?ndert, l??t sich Q(V) angeben und das zweidimensionale Problem auf ein eindimensionales zurückführen.

凝結(jié)劑

,A Pressure-group under Pressure (1906–14),ihren Eigenschaften. Obwohl mittlerweile feststeht, da? der GaAs-MESFET durchaus die Zuverl?ssigkeit von Bauelementen auf Silizium erreicht (vgl. Abschn.6.3), sind einige der im folgenden erw?hnten Probleme noch nicht gel?st.

迎合

無關(guān)緊要

,Dissension and Decline (1950–60),ngstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch L?cher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.