Titlebook: Experimentalphysik 3; Atome, Moleküle und Wolfgang Demtr?der Textbook 19961st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1996 Atomphysik.At

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Lessons from Trade Policy Researchionen und auf experimentellen Hinweisen beruhten und oft nicht frei von Irrtümern waren. Erst im Laufe des 19. Jahrhunderts wurden durch eine zunehmende Zahl detaillierter Experimente und durch theoretische Modelle, die erfolgreich makroskopische Ph?nomene auf die mikroskopische atomare Struktur der

懶洋洋

https://doi.org/10.1057/9781137444882nten und die den Ansto? zur Entwicklung der Quantenphysik gaben. Beispiele sind die sogenannte . (siehe Bd. 2, Kap. 12), die Deutung des ., eine befriedigende Erkl?rung für die Stabilit?t der Atome und für ihre Linienspektren sowie der ..

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https://doi.org/10.1057/9780230358973 und . [8.1] zeigten 1955 erstmals am Beispiel des NH.-Masers, bei dem die in Abb. 4.14 dargestellte Inversionsschwingung angeregt wird, da? elektromagnetische Wellen im Mikrowellenbereich (.icrowave .mplification) beim Durchlaufen eines speziell pr?parierten Mediums infolge der induzierten Emission

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Emma Parry,Eleni Stavrou,Mila Lazarovangen, die Bestimmung von Bindungs- und Ionisationsenergien, von elektrischen und magnetischen Momenten sowie eine m?glichst genaue Kenntnis der molekularen Dynamik, d.h. der zeitlichen Entwicklung molekularer Zust?nde, welche durch interne Umordnung der Molekülstruktur oder auch durch St??e erfolgen

BANAL

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Mediatization and University Websites,en inneren Schalen, aber zum Teil auch in den Valenzschalen), oder sie k?nnen sich mehr oder minder frei im Festk?rper bewegen (delokalisierte Elektronen), wenn sie genügend schwach an ihr Atom gebunden sind, so da? sie infolge der Anziehung durch die Nachbaratome und auf Grund einer durch die Heise

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Usability in Aotearoa/New ZealandEs gibt sogenannte ., die aus chemischen Elementen aus der Mitte des Periodensystems bestehen (Abb. 14.1), oder . wie GaAs, InSb, AIP, CdS. Für technische Anwendungen spielen . Halbleiter eine besonders gro?e Rolle, bei denen gezielt Fremdatome in das Kristallgittereines Halbleiters eingebaut werden