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Titlebook: Elemente der angewandten Elektronik; Kompendium für Ausbi Erwin B?hmer,Dietmar Ehrhardt,Wolfgang Oberschelp Textbook 201016th edition Viewe

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樓主: FERN
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發(fā)表于 2025-4-1 02:27:49 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-4-1 06:35:28 | 只看該作者
Datenerfassung und Shopfloor-Integration,Strom flie?t über einander abwechselnde n- und p-Zonen. . zeigt die Zonenfolge beim npn-Transistor, . beim dazu komplement?ren pnp-Transistor mit den Anschlüssen Emitter E, Basis B und Kollektor C. Die beiden pn-überg?nge kann man ersatzweise nach . als gegeneinander geschaltete Dioden darstellen mi
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發(fā)表于 2025-4-1 14:02:59 | 只看該作者
Jürgen Kletti,Rainer Deisenrothchenverst?rker (T3) und einer Endstufe (T4). Die Schaltung hat zwei Eing?nge – mit P und N bezeichnet – und einen Ausgang A, jeweils bezogen auf Masse. Die Letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstuf
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發(fā)表于 2025-4-1 15:46:26 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-4-1 19:02:19 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-4-2 02:24:46 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-4-2 06:24:53 | 只看該作者
Paul L. Huang MD, PhD,Paul L. Huang MD, PhDverdeutlicht mit .. Die Ausg?nge eines 3 Bit-Dualz?hlers mit den Bits d., d., d. werden einem DA-Umsetzer zugeführt, der analog zum jeweiligen Z?hlerstand eine Ausgangsspannung u. bildet. Gem?? der schrittweisen ?nderung der Dualzahl kann sich auch die Spannung u. nur schrittweise um jeweils eine Sp
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發(fā)表于 2025-4-2 11:04:21 | 只看該作者
Bradycardia and Pacemakers/CRT,hrte Funktion ausüben. Da es sich dabei h?ufig nur um Varianten konventioneller Bauelemente handelt, wurden einige bereits im vorangegangenen Text besprochen: Fotowiderst?nde, Fotodioden bzw. Fotoelemente, Leuchtdioden, Anzeigebausteine und Bildr?hren. Im Folgenden sollen Fototransistoren und -thyri
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發(fā)表于 2025-4-2 13:05:58 | 只看該作者
Adam Opolski,Laurent Degos,Marika Pla. Die dem Transistor zugeführte und in W?rme umgesetzte (Verlust-) Leistung P muss notfalls über einen Kühlk?rper nach au?en so abgeleitet werden, dass eine überm??ige Erw?rmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur Tj h?chstens auf 75 …90 °C ansteigen, be
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