找回密碼
 To register

QQ登錄

只需一步,快速開始

掃一掃,訪問微社區(qū)

打印 上一主題 下一主題

Titlebook: Einführung in die Physik des Transistors; Wolfgang W. G?rtner Book 1963 Springer-Verlag OHG., Berlin/G?ttingen/Heidelberg 1963 Datenverarb

[復(fù)制鏈接]
樓主: MEDAL
11#
發(fā)表于 2025-3-23 10:14:36 | 只看該作者
12#
發(fā)表于 2025-3-23 14:30:49 | 只看該作者
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?diet homogen sein, sondern kann v?llig willkürlich über das Volumen des Kristalls variieren. Besonders wichtig sind ?nderungen, bei denen der Leitungstyp des Kristalls von N- in P-Leitung oder umgekehrt übergeht.
13#
發(fā)表于 2025-3-23 19:32:31 | 只看該作者
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?diegang zu einem in Sperrichtung vorgespannten übergang, wo sie ?gesammelt“ werden. Man nennt den ersten übergang ?Emitterdiode“, den zweiten übergang ?Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flu?richtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch
14#
發(fā)表于 2025-3-23 22:31:38 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-642-91087-6 die Kapazit?t des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann st??t man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten mu? die Basiszone sehr dünn gemacht w
15#
發(fā)表于 2025-3-24 06:17:38 | 只看該作者
Die endovesicale Thermokoagulation,wischen dem Aufbau und dem elektrischen Verhalten des Systems bestehen. Auf der Grundlage dieser Theorie ist es m?glich, Transistoren mit spezifischen Eigenschaften zu entwickeln und die endgültigen Daten für gegebene Strukturen vorauszuberechnen. Diese Theorie stellt die Ausgangsbasis für den mit d
16#
發(fā)表于 2025-3-24 07:46:23 | 只看該作者
17#
發(fā)表于 2025-3-24 10:44:05 | 只看該作者
Grundlegende Begriffe der Halbleiterphysikteilen; der Widerstand der Halbleiter liegt zwischen 10. und 10. Ωcm. Diese Klassifizierung ist ziemlich willkürlich, doch ist der Widerstand bei Zimmertemperatur das einzige gemeinsame Merkmal, durch welches alle Halbleiter gekennzeichnet werden k?nnen. Sonst gibt es keine grundlegenden Unterschied
18#
發(fā)表于 2025-3-24 15:53:40 | 只看該作者
Halbleitereigenschaften eingehen. Ihre experimentelle und theoretische Untersuchung ist Gegenstand der Festk?rperphysik (siehe [.]). Hier k?nnen jedoch nur solche Gesichtspunkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenh?ngen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessant
19#
發(fā)表于 2025-3-24 22:51:41 | 只看該作者
20#
發(fā)表于 2025-3-24 23:33:36 | 只看該作者
Der Fl?chentransistor [, bis ,]gang zu einem in Sperrichtung vorgespannten übergang, wo sie ?gesammelt“ werden. Man nennt den ersten übergang ?Emitterdiode“, den zweiten übergang ?Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flu?richtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch
 關(guān)于派博傳思  派博傳思旗下網(wǎng)站  友情鏈接
派博傳思介紹 公司地理位置 論文服務(wù)流程 影響因子官網(wǎng) 吾愛論文網(wǎng) 大講堂 北京大學(xué) Oxford Uni. Harvard Uni.
發(fā)展歷史沿革 期刊點(diǎn)評 投稿經(jīng)驗(yàn)總結(jié) SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系數(shù) 清華大學(xué) Yale Uni. Stanford Uni.
QQ|Archiver|手機(jī)版|小黑屋| 派博傳思國際 ( 京公網(wǎng)安備110108008328) GMT+8, 2025-10-7 09:09
Copyright © 2001-2015 派博傳思   京公網(wǎng)安備110108008328 版權(quán)所有 All rights reserved
快速回復(fù) 返回頂部 返回列表
偏关县| 金门县| 溆浦县| 渝中区| 楚雄市| 岑巩县| 清徐县| 神池县| 巫山县| 百色市| 仁布县| 治多县| 松桃| 昌吉市| 井研县| 夏邑县| 肇州县| 哈巴河县| 德阳市| 广灵县| 巴塘县| 洮南市| 平武县| 东丽区| 巩义市| 东丽区| 农安县| 万宁市| 徐水县| 襄城县| 禄丰县| 平塘县| 正安县| 亚东县| 泸定县| 常宁市| 陆川县| 即墨市| 安达市| 逊克县| 河曲县|