找回密碼
 To register

QQ登錄

只需一步,快速開(kāi)始

掃一掃,訪問(wèn)微社區(qū)

打印 上一主題 下一主題

Titlebook: Beyond Si-Based CMOS Devices; Materials to Archite Sangeeta Singh,Shashi Kant Sharma,Durgesh Nandan Book 2024 The Editor(s) (if applicable)

[復(fù)制鏈接]
樓主: 方面
11#
發(fā)表于 2025-3-23 13:44:09 | 只看該作者
12#
發(fā)表于 2025-3-23 15:23:37 | 只看該作者
13#
發(fā)表于 2025-3-23 18:32:45 | 只看該作者
14#
發(fā)表于 2025-3-23 22:18:49 | 只看該作者
15#
發(fā)表于 2025-3-24 03:07:51 | 只看該作者
16#
發(fā)表于 2025-3-24 07:31:15 | 只看該作者
17#
發(fā)表于 2025-3-24 12:25:28 | 只看該作者
18#
發(fā)表于 2025-3-24 16:00:27 | 只看該作者
19#
發(fā)表于 2025-3-24 21:24:16 | 只看該作者
Beyond Si-Based CMOS Devices: Needs, Opportunities, and Challengesnd the field of nano-electronics once CMOS scaling is achieved. The main objective of proposed chapter is to explore, evaluate, and scale practical developing facilities and new architectural approaches in terms of their long-term potential and scientific maturity, as well as to identify logical and
20#
發(fā)表于 2025-3-25 03:03:43 | 只看該作者
Nanowire-Based Si-CMOS DevicesMOS devices and their profound impact on the future of semiconductor technology. As researchers continue to pioneer advancements in nanowire fabrication and integration, we anticipate that these innovative devices will usher in transformative changes across various industries. This transformation is
 關(guān)于派博傳思  派博傳思旗下網(wǎng)站  友情鏈接
派博傳思介紹 公司地理位置 論文服務(wù)流程 影響因子官網(wǎng) 吾愛(ài)論文網(wǎng) 大講堂 北京大學(xué) Oxford Uni. Harvard Uni.
發(fā)展歷史沿革 期刊點(diǎn)評(píng) 投稿經(jīng)驗(yàn)總結(jié) SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系數(shù) 清華大學(xué) Yale Uni. Stanford Uni.
QQ|Archiver|手機(jī)版|小黑屋| 派博傳思國(guó)際 ( 京公網(wǎng)安備110108008328) GMT+8, 2025-10-9 20:20
Copyright © 2001-2015 派博傳思   京公網(wǎng)安備110108008328 版權(quán)所有 All rights reserved
快速回復(fù) 返回頂部 返回列表
景德镇市| 南雄市| 鹤山市| 广元市| 博罗县| 浮梁县| 呈贡县| 资溪县| 云阳县| 遂昌县| 镇康县| 康保县| 周口市| 蓬莱市| 资中县| 甘泉县| 曲松县| 林州市| 壤塘县| 泰顺县| 大厂| 庄浪县| 北流市| 志丹县| 东平县| 济阳县| 昌吉市| 毕节市| 台前县| 太和县| 武定县| 广饶县| 化隆| 河南省| 西林县| 金平| 沂源县| 防城港市| 嘉峪关市| 团风县| 景宁|