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Titlebook: Bauelemente der Halbleiterelektronik; Teil 1 Grundlagen, D Herbert Tholl Book 1976 Springer Fachmedien Wiesbaden 1976 Bauelement.Diode.Elek

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 19:25:14 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
期刊全稱Bauelemente der Halbleiterelektronik
期刊簡稱Teil 1 Grundlagen, D
影響因子2023Herbert Tholl
視頻videohttp://file.papertrans.cn/182/181570/181570.mp4
學(xué)科分類Leitfaden der Elektrotechnik
圖書封面Titlebook: Bauelemente der Halbleiterelektronik; Teil 1 Grundlagen, D Herbert Tholl Book 1976 Springer Fachmedien Wiesbaden 1976 Bauelement.Diode.Elek
影響因子Die Elektronik hat sich in den letzten zwei Jahrzehnten so stürmisch entwickelt wie wohl kaum ein anderer Bereich der Elektrotechnik. Dabei waren es vor allem die Fortschritte der Festk?rper- und Halbleiterphysik, die diese Entwicklung vorantrieben. W?hrend in den fünfziger Jahren die Schaltungstechnik in zunehmendem Ma?e den übergang von R?hren- zu Transistorschaltungen vollzog, wurde in den sechziger Jahren als weiterer Fortschritt der Einsatz von integrierten Schaltkreisen erreicht. Im Bereich der integrierten Schaltkreise ist jetzt eine Entwicklung zu beobachten, die - bedingt durch eine verbesserte Halbleitertechnologie - zur Herstellung immer komplexerer integrierter Halbleiter- schaltungen führt. Dies hat eine weitgehende Verringerung des Raumbedarfs elektroni- scher Schaltungen zur Folge und führt gleichzeitig zur Steigerung ihrer Leistungsf?hig- keit. Sowohl elektronische Gro?rechner als auch besonders kleine elektronische Tisch- rechner zeugen vom hohen Stand dieser Schaltungstechnik. Neben dieser Entwicklung hochintegrierter Halbleiterschaltungen wurde in den letzten zehn Jahren eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen mit speziellen Eigenschaften ent- wickelt, die es er
Pindex Book 1976
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書目名稱Bauelemente der Halbleiterelektronik影響因子(影響力)




書目名稱Bauelemente der Halbleiterelektronik影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Bauelemente der Halbleiterelektronik網(wǎng)絡(luò)公開度




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書目名稱Bauelemente der Halbleiterelektronik被引頻次




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 20:56:22 | 只看該作者
Halbleiterdioden mit besonderen Eigenschaften,Nach Abschn. 2.2.2 steigt der Sperrstrom einer Halbleiterdiode beim Erreichen einer bestimmten Sperrspannung sehr stark an, so da? die Diode zerst?rt wird, wenn im ?u?eren Kreis keine Strombegrenzung vorgesehen ist. Als Ursachen für diesen Durchbruch sind zwei physikalische Effekte verantwortlich, der Zener-Effekt und der Lawineneffekt.
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 02:08:48 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 05:47:28 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 10:54:12 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 16:40:06 | 只看該作者
7#
發(fā)表于 2025-3-22 17:08:03 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 22:31:08 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 02:34:17 | 只看該作者
Mental Health Services for Homeless PeopleLeitf?higkeit als die Metalle, verglichen mit Isolatoren stellen sie jedoch relativ gute Leiter dar. Diese Stoffe, deren wichtigste Vertreter Silizium (Si) und Germanium (Ge) sind, werden deshalb als Halbleiter bezeichnet.
10#
發(fā)表于 2025-3-23 07:46:12 | 只看該作者
waren es vor allem die Fortschritte der Festk?rper- und Halbleiterphysik, die diese Entwicklung vorantrieben. W?hrend in den fünfziger Jahren die Schaltungstechnik in zunehmendem Ma?e den übergang von R?hren- zu Transistorschaltungen vollzog, wurde in den sechziger Jahren als weiterer Fortschritt de
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