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Titlebook: Bauelemente der Halbleiter-Elektronik; Rudolf Müller Textbook 1991Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1991 Aktor.Bauelemente

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 18:30:54 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
期刊全稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik
影響因子2023Rudolf Müller
視頻videohttp://file.papertrans.cn/182/181568/181568.mp4
學(xué)科分類Halbleiter-Elektronik
圖書封面Titlebook: Bauelemente der Halbleiter-Elektronik;  Rudolf Müller Textbook 1991Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1991 Aktor.Bauelemente
Pindex Textbook 1991Latest edition
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書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik影響因子(影響力)




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度學(xué)科排名




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik被引頻次




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik被引頻次學(xué)科排名




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik年度引用




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik年度引用學(xué)科排名




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik讀者反饋




書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik讀者反饋學(xué)科排名




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 20:57:27 | 只看該作者
Thyristoren, sehr wirtschaftlicher Weise die Umformung von Energie und die Regelung von Verbrauchern (z. B. der Thyristor als Stellglied für Fahrzeugmotoren) erm?glicht [107]. Es sind Schaltleistungen bis in die Gr??enordnung MW je Einzelement erreichbar. Aus Gründen der guten Sperreigenschaften und der hohen B
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 02:47:17 | 只看該作者
Anhang,e Wechselenergie kann entweder von anderen für diesen Fall nicht interessierenden Signalen herrühren (z. B. Nebensprechen), oder sie kann ihre Ursache in statistisch schwankenden Vorg?ngen haben (Rauschen). Beide Ger?uschursachen bestimmen das kleinste noch verarbeitbare Signal. W?hrend das Nebenspr
地板
發(fā)表于 2025-3-22 05:03:43 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 11:03:15 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 13:42:27 | 只看該作者
7#
發(fā)表于 2025-3-22 18:09:32 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 23:33:42 | 只看該作者
Home-School Relations: An Introduction,Der Injektionstransistor ist ein Dreischicht-Element, d. h. eine . bzw. eine .-Struktur, in welcher die beiden .-überg?nge r?umlich so nahe angeordnet sind, da? sie sich gegenseitig beeinflussen.
9#
發(fā)表于 2025-3-23 04:04:09 | 只看該作者
10#
發(fā)表于 2025-3-23 07:17:39 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-94-6300-474-9Unter einer integrierten Schaltung versteht man die Realisierung einer vollst?ndigen funktionsf?higen elektronischen Schaltung in einem einzigen Halbleiterkristall. Als Material wird meist Si genommen, für Sonderzwecke auch GaAs.
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