找回密碼
 To register

QQ登錄

只需一步,快速開始

掃一掃,訪問微社區(qū)

打印 上一主題 下一主題

Titlebook: Bau hybrider Mikroschaltungen; Einführung in die Dü Ernst Lüder Textbook 1977 Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg 1977 Dickschichttechnik.Di

[復制鏈接]
樓主: 連結
21#
發(fā)表于 2025-3-25 05:37:04 | 只看該作者
,Einführung und überblick,zelhalbleiter und zum anderen passive Elemente, wie Ohm widerst?nde, Kondensatoren und Leiterbahnen in Schichttechnik. Dieser gemischte Aufbau miniaturisierter Schaltungen gestattet es, aus jeder der beiden Techniken die für die jeweilige Anwendung passenden Teile auszuw?hlen.
22#
發(fā)表于 2025-3-25 11:34:30 | 只看該作者
23#
發(fā)表于 2025-3-25 12:55:37 | 只看該作者
Dickschichttechnik,ufzubringen. Man verwendet das vom graphischen Gewerbe her bekannte Siebdruckverfahren [9, 13]. Dabei pre?t ein bewegtes Rakel nach Bild 26 eine Paste durch die ?ffnungen eines Siebes auf die Substratoberfl?che. Die Paste besitzt die für die elektrischen Bauteile jeweils n?tige Zusammensetzung.
24#
發(fā)表于 2025-3-25 17:13:25 | 只看該作者
Bonden,3]. Als Bindungskr?fte treten auf: Ionen-Bindungen als elektrostatische Kr?fte zwischen positiv und negativ geladenen Ionen, kovalente Bindungen, bei denen sich einzelne Atome in Elektronen teilen, metallische Bindungen zwischen positiv geladenen Atomen des Gitters und freien Elektronen und van der
25#
發(fā)表于 2025-3-25 23:53:38 | 只看該作者
26#
發(fā)表于 2025-3-26 00:43:04 | 只看該作者
27#
發(fā)表于 2025-3-26 05:33:45 | 只看該作者
Friederike Wawrik,N.-?. Scheibbsdenen sich einzelne Atome in Elektronen teilen, metallische Bindungen zwischen positiv geladenen Atomen des Gitters und freien Elektronen und van der Waalsche Kr?fte, die durch Elektronen in benachbarten Atomen hervorgerufen werden. Letzere üben einen schwachen Einflu? aus.
28#
發(fā)表于 2025-3-26 10:23:50 | 只看該作者
Einteilung der Machschen Zonen,ungen und der übliche Wertebereich für die geometrischen Abmessungen angegeben sind. Den folgenden überlegungen liegt ein n-leitender Halbleiter zu Grunde. Bei p-leitender Schicht vertauschen sich die Vorzeichen der Spannungen und Str?me.
29#
發(fā)表于 2025-3-26 13:21:34 | 只看該作者
30#
發(fā)表于 2025-3-26 16:53:15 | 只看該作者
,Dünnschichttransistoren,ungen und der übliche Wertebereich für die geometrischen Abmessungen angegeben sind. Den folgenden überlegungen liegt ein n-leitender Halbleiter zu Grunde. Bei p-leitender Schicht vertauschen sich die Vorzeichen der Spannungen und Str?me.
 關于派博傳思  派博傳思旗下網站  友情鏈接
派博傳思介紹 公司地理位置 論文服務流程 影響因子官網 吾愛論文網 大講堂 北京大學 Oxford Uni. Harvard Uni.
發(fā)展歷史沿革 期刊點評 投稿經驗總結 SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系數 清華大學 Yale Uni. Stanford Uni.
QQ|Archiver|手機版|小黑屋| 派博傳思國際 ( 京公網安備110108008328) GMT+8, 2025-10-13 08:05
Copyright © 2001-2015 派博傳思   京公網安備110108008328 版權所有 All rights reserved
快速回復 返回頂部 返回列表
红桥区| 满城县| 乡城县| 勐海县| 行唐县| 凯里市| 黑山县| 南汇区| 昭苏县| 鄢陵县| 五家渠市| 诏安县| 静海县| 米易县| 吉首市| 郧西县| 吉林市| 桃园县| 太白县| 玉林市| 大城县| 奇台县| 铜梁县| 衡阳县| 白城市| 吉首市| 新兴县| 双流县| 墨脱县| 宜城市| 土默特左旗| 翁源县| 长宁区| 江口县| 尤溪县| 江达县| 五寨县| 江山市| 阳江市| 大理市| 凌海市|