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Titlebook: Bau hybrider Mikroschaltungen; Einführung in die Dü Ernst Lüder Textbook 1977 Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg 1977 Dickschichttechnik.Di

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發(fā)表于 2025-3-25 05:37:04 | 只看該作者
,Einführung und überblick,zelhalbleiter und zum anderen passive Elemente, wie Ohm widerst?nde, Kondensatoren und Leiterbahnen in Schichttechnik. Dieser gemischte Aufbau miniaturisierter Schaltungen gestattet es, aus jeder der beiden Techniken die für die jeweilige Anwendung passenden Teile auszuw?hlen.
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發(fā)表于 2025-3-25 11:34:30 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-25 12:55:37 | 只看該作者
Dickschichttechnik,ufzubringen. Man verwendet das vom graphischen Gewerbe her bekannte Siebdruckverfahren [9, 13]. Dabei pre?t ein bewegtes Rakel nach Bild 26 eine Paste durch die ?ffnungen eines Siebes auf die Substratoberfl?che. Die Paste besitzt die für die elektrischen Bauteile jeweils n?tige Zusammensetzung.
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發(fā)表于 2025-3-25 17:13:25 | 只看該作者
Bonden,3]. Als Bindungskr?fte treten auf: Ionen-Bindungen als elektrostatische Kr?fte zwischen positiv und negativ geladenen Ionen, kovalente Bindungen, bei denen sich einzelne Atome in Elektronen teilen, metallische Bindungen zwischen positiv geladenen Atomen des Gitters und freien Elektronen und van der
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發(fā)表于 2025-3-25 23:53:38 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 00:43:04 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 05:33:45 | 只看該作者
Friederike Wawrik,N.-?. Scheibbsdenen sich einzelne Atome in Elektronen teilen, metallische Bindungen zwischen positiv geladenen Atomen des Gitters und freien Elektronen und van der Waalsche Kr?fte, die durch Elektronen in benachbarten Atomen hervorgerufen werden. Letzere üben einen schwachen Einflu? aus.
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發(fā)表于 2025-3-26 10:23:50 | 只看該作者
Einteilung der Machschen Zonen,ungen und der übliche Wertebereich für die geometrischen Abmessungen angegeben sind. Den folgenden überlegungen liegt ein n-leitender Halbleiter zu Grunde. Bei p-leitender Schicht vertauschen sich die Vorzeichen der Spannungen und Str?me.
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發(fā)表于 2025-3-26 13:21:34 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-26 16:53:15 | 只看該作者
,Dünnschichttransistoren,ungen und der übliche Wertebereich für die geometrischen Abmessungen angegeben sind. Den folgenden überlegungen liegt ein n-leitender Halbleiter zu Grunde. Bei p-leitender Schicht vertauschen sich die Vorzeichen der Spannungen und Str?me.
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