Titlebook: Aktive elektronische Bauelemente; Aufbau, Struktur, Wi Leonhard Stiny Book 20152nd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2015 Ausgang.Bipol

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書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente影響因子(影響力)

書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente影響因子(影響力)學(xué)科排名

書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度

書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度學(xué)科排名

書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente被引頻次

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書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente年度引用

書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente年度引用學(xué)科排名

書(shū)目名稱Aktive elektronische Bauelemente讀者反饋

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,Der pn-übergang,kttransistor, Bipolartransistor, Thyristor oder Triac. Die an ihm auftretenden physikalischen Vorg?nge werden hier nur soweit erkl?rt, wie sie für das Verst?ndnis dieser Bauelemente erforderlich sind. Zun?chst wird der pn-übergang ohne ?u?ere Spannung (im thermodynamischen Gleichgewicht), dann mit ?u?erer Spannung betrachtet.

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Hermann v. Hayek Dr. Med. Et Phil.t. Feldeffekttransistoren haben aber nur . interne Sperrschicht. Beim FET tr?gt zur Steuerung und zum Stromtransport je nach Bauart nur eine Sorte von Ladungstr?gern bei, Elektronen . L?cher. Daher werden FETs auch als . (unijunction transistor, UJT) bezeichnet..FET haben wie Bipolartransistoren drei Anschlüsse. Diese werden wie folgt bezeichnet:

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Zusammenfassung und Folgerungen,je Bit aus. Durch ihre Herstellung als integrierte Schaltkreise ergibt sich eine hohe Speicherdichte und damit ein kleines Volumen. Aus Speicher-ICs lassen sich Speicher mit beliebiger Kapazit?t und Organisation aufbauen, die vorwiegend als Programm- und Datenspeicher in Mikroprozessoranwendungen eingesetzt werden (z.?B. als PC-Arbeitsspeicher).

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