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Titlebook: Aktive elektronische Bauelemente; Aufbau, Struktur, Wi Leonhard Stiny Book 2019Latest edition Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil

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樓主: collude
11#
發(fā)表于 2025-3-23 12:19:44 | 只看該作者
Einleitung,ten der Fall ist, werden sie hier zusammen mit den aktiven elektronischen Bauelementen behandelt. In einem Werk über passive elektronische Bauelemente würde das vorbereitende Grundlagenwissen über Halbleiter nur für Dioden alleine einen zu gro?en Raum einnehmen, obwohl es für die sehr gro?e Anzahl a
12#
發(fā)表于 2025-3-23 16:53:27 | 只看該作者
,Der pn-übergang,rtransistor aus zwei pn-überg?ngen. Die an ihm auftretenden physikalischen Vorg?nge werden hier nur soweit erkl?rt, wie sie für das Verst?ndnis dieser Bauelemente erforderlich sind. Zun?chst wird der pn-übergang ohne ?u?ere Spannung (im thermodynamischen Gleichgewicht), dann mit ?u?erer Spannung bet
13#
發(fā)表于 2025-3-23 19:34:23 | 只看該作者
Halbleiterdioden,ehen. Integrierte Dioden werden zusammen mit weiteren Halbleiterbauelementen auf einem gemeinsamen Halbleitertr?ger, dem Substrat, hergestellt. Integrierte Dioden haben einen dritten Anschluss, der aus dem gemeinsamen Tr?ger resultiert und mit . (S) bezeichnet wird. Er ist für die elektrische Funkti
14#
發(fā)表于 2025-3-23 23:19:02 | 只看該作者
15#
發(fā)表于 2025-3-24 03:36:11 | 只看該作者
16#
發(fā)表于 2025-3-24 10:20:26 | 只看該作者
Anwendungsspezifische Integrierte Bausteine,gen entsteht z.?B., wenn sich bestimmte Leistungsmerkmale mit Standard-ICs nicht oder nur mit hohem Aufwand erzielen lassen. ASICs werden eingesetzt, wenn ein Optimum bezüglich Baugr??e, Leistungsf?higkeit und geringer elektrischer Verlustleistung gefordert ist..Vorteile von ASICs sind:
17#
發(fā)表于 2025-3-24 11:41:15 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-642-94338-6ten der Fall ist, werden sie hier zusammen mit den aktiven elektronischen Bauelementen behandelt. In einem Werk über passive elektronische Bauelemente würde das vorbereitende Grundlagenwissen über Halbleiter nur für Dioden alleine einen zu gro?en Raum einnehmen, obwohl es für die sehr gro?e Anzahl a
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發(fā)表于 2025-3-24 15:07:40 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 20:49:18 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-322-82737-1ehen. Integrierte Dioden werden zusammen mit weiteren Halbleiterbauelementen auf einem gemeinsamen Halbleitertr?ger, dem Substrat, hergestellt. Integrierte Dioden haben einen dritten Anschluss, der aus dem gemeinsamen Tr?ger resultiert und mit . (S) bezeichnet wird. Er ist für die elektrische Funkti
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發(fā)表于 2025-3-25 02:40:00 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-322-82737-1en Verst?rker. Aktive Bauelemente erzeugen oder liefern keine Leistung, mit ihnen kann nur mit einer kleinen Leistung am Eingang eine gro?e Leistung am Ausgang gesteuert werden. Eine Ausnahme bilden die unabh?ngigen Spannungsquellen, welche ebenfalls zu den aktiven Bauelementen geh?ren und Energie l
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