Titlebook: Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors; Athanasios Dimoulas,Evgeni Gusev,Marc Heyns Book 2007 Springer-Verlag Berlin Heidel

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Betriebs- und UnternehmungsanalyseGe buried channel MOSFET structures. The device design and scalability of the strained Ge buried channel MOSFETs are discussed based on our recent results. CMOS compatible integration approaches of Ge channel devices are presented.

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https://doi.org/10.1007/978-3-663-07984-2Recent progress and current understanding of high-κ/Ge interface and its impact on device performances are summarized. After reviewing the properties of Ge oxide and high-κ/Ge interface, several reported Ge surface passivation techniques and improved characteristics of high-κ/Ge system using surface passivations are discussed.

樣式

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NATTY

證明無(wú)罪

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Strained-Si CMOS Technology,Anwendungsbeispiele.Includes supplementary material: .In der Personalbeurteilung und Personalauswahl werden die verfügbaren und wissenschaftlich abgesicherten Verfahren in der Regel ignoriert oder falsch eingesetzt. Dies ist keineswegs den Praktikern anzulasten, die Verantwortung liegt bei der Wisse

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