Titlebook: Wideband CMOS Receivers; Miguel D. Fernandes,Luis B. Oliveira Book 2015 Springer International Publishing Switzerland 2015 CMOS integrated

朋黨派系

Conclusions,is described an RF receiver, with passive high-Q bandpass filters integrated in a CMOS wideband LNA with noise and distortion cancellation, and with a current-mode . ADC that converts directly the IF signal at the current-driven mixer’s output to the digital domain, thus, avoiding the use of unneces

舉止粗野的人

SKIFF

Introduction,full integration on a single die (System on Chip (SoC)), thus, avoiding the need to match the various circuits’ inputs and outputs, to allow the maximum power transfer between them, and avoiding the parasitic effects due to off-chip electrical connections at high frequencies [1, 2].

interrupt

considerable

FLUSH

Spinal-Fusion

Miguel D. Fernandes,Luis B. Oliveira Die St?rungen werden im Wesentlichen durch schnelle Schalt- bzw. Kommutierungsvorg?nge im Leistungsteil des Umrichters verursacht. Zus?tzlich k?nnen Resonanzkreise aus parasit?ren Kapazit?ten und Induktivit?ten zu hochfrequenten Schwingungen angeregt werden.

FILTH

Miguel D. Fernandes,Luis B. Oliveiralgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Str?me über 3 kA mit einem vergleichsweise geringen Steu

FRAX-tool

Miguel D. Fernandes,Luis B. Oliveiraeckf?rmiger Wechselstrom, so dass der Rotor zur Reduzierung der Wirbelstromverluste immer geblecht ausgeführt wird. Der Zusammenhang zwischen Erregerfeld φ, Ankerstrom . und den geometrischen Daten der s?ttigungsfrei angenommenen Maschine wird in einer Drehmomentkonstanten . in Gl. (16.1) zusammenge

跳動

Miguel D. Fernandes,Luis B. Oliveiraandelt. Aufbauend auf der bipolaren Transistorstruktur wird der Thyristor und der GTO-Thyristor bzw. IGCT vorgestellt. Nach Einführung des MOSFET-Leistungstransistors folgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leis