找回密碼
 To register

QQ登錄

只需一步,快速開始

掃一掃,訪問微社區(qū)

打印 上一主題 下一主題

Titlebook: 3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices; Yung-Chun Wu,Yi-Ruei Jhan Textbook 2018 Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2018 Semicon

[復制鏈接]
查看: 28269|回復: 37
樓主
發(fā)表于 2025-3-21 16:47:44 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
期刊全稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices
影響因子2023Yung-Chun Wu,Yi-Ruei Jhan
視頻videohttp://file.papertrans.cn/101/100792/100792.mp4
發(fā)行地址Simulates the electrical properties of silicon CMOS (complementary metal–oxide–semiconductor), starting with the designs of 2D MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) and 3D Silicon
圖書封面Titlebook: 3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices;  Yung-Chun Wu,Yi-Ruei Jhan Textbook 2018 Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2018 Semicon
影響因子.This book demonstrates how to use the Synopsys Sentaurus TCAD 2014 version for the design and simulation of 3D CMOS (complementary metal–oxide–semiconductor) semiconductor nanoelectronic devices, while also providing selected source codes (Technology Computer-Aided Design, TCAD). Instead of the built-in examples of Sentaurus TCAD 2014, the practical cases presented here, based on years of teaching and research experience, are used to interpret and analyze simulation results of the physical and electrical properties of designed 3D CMOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) nanoelectronic devices..The book also addresses in detail the fundamental theory of advanced semiconductor device design for the further simulation and analysis of electric and physical properties of semiconductor devices. The design and simulation technologies for nano-semiconductor devices explored here are more practical in nature and representative of the semiconductor industry, and as such can promote the development of pioneering semiconductor devices, semiconductor device physics, and more practically-oriented approaches to teaching and learning semiconductor engineering.?.The book can be
Pindex Textbook 2018
The information of publication is updating

書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices影響因子(影響力)




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices影響因子(影響力)學科排名




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices網(wǎng)絡公開度




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices網(wǎng)絡公開度學科排名




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices被引頻次




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices被引頻次學科排名




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices年度引用




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices年度引用學科排名




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices讀者反饋




書目名稱3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices讀者反饋學科排名




單選投票, 共有 1 人參與投票
 

0票 0.00%

Perfect with Aesthetics

 

0票 0.00%

Better Implies Difficulty

 

1票 100.00%

Good and Satisfactory

 

0票 0.00%

Adverse Performance

 

0票 0.00%

Disdainful Garbage

您所在的用戶組沒有投票權限
沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 20:39:50 | 只看該作者
2D MOSFET Simulation, Unternehmen auch vor der Frage, ob sie eine bereits bestehende Betriebst?tte in eine Tochtergesellschaft umwandeln sollen oder nicht. Trotz dieser offensichtlichen Bedeutung der Fragestellung ist zu konstatieren, da? Untersuchungen, die das Thema mit Hilfe fundierter betriebswirtschaftlicher Method
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 01:17:01 | 只看該作者
,3D FinFET with ,,?=?15?nm and ,,?=?10?nm Simulation, ?lteren und neueren Literatur zahlreiche Beispiele zitieren. Es soll daher an dieser Stelle sowohl auf die klassischen Arbeiten, auf welchen unsere Plagioklasbestimmungsmethoden beruhen sowie auf die neueren Entwicklungen auf diesem Gebiete etwas n?her eingegangen werden.
地板
發(fā)表于 2025-3-22 06:23:51 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 10:15:30 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 15:48:55 | 只看該作者
Back Matterwurden so eingesetzt, wie die früheren Aufwandziffern sie ergaben. Das ist gefahrlos und auch mit den Ergebnissen organischer Rechnung übereinstimmend, wenn zwischen Aufwandstermin und Rückerstattung im Verkaufspreis keine Verschiebung des Preisnieveaus stattfindet. Es wird Unsinn, wenn sie Platz gr
7#
發(fā)表于 2025-3-22 20:10:39 | 只看該作者
Textbook 2018ere are more practical in nature and representative of the semiconductor industry, and as such can promote the development of pioneering semiconductor devices, semiconductor device physics, and more practically-oriented approaches to teaching and learning semiconductor engineering.?.The book can be
8#
發(fā)表于 2025-3-22 21:27:58 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 02:00:13 | 只看該作者
,Inverter and SRAM of FinFET with ,,?=?15?nm Simulation,978-3-642-82950-5
10#
發(fā)表于 2025-3-23 08:36:12 | 只看該作者
 關于派博傳思  派博傳思旗下網(wǎng)站  友情鏈接
派博傳思介紹 公司地理位置 論文服務流程 影響因子官網(wǎng) 吾愛論文網(wǎng) 大講堂 北京大學 Oxford Uni. Harvard Uni.
發(fā)展歷史沿革 期刊點評 投稿經(jīng)驗總結 SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系數(shù) 清華大學 Yale Uni. Stanford Uni.
QQ|Archiver|手機版|小黑屋| 派博傳思國際 ( 京公網(wǎng)安備110108008328) GMT+8, 2025-10-7 12:39
Copyright © 2001-2015 派博傳思   京公網(wǎng)安備110108008328 版權所有 All rights reserved
快速回復 返回頂部 返回列表
蒙阴县| 当涂县| 海伦市| 乐山市| 南靖县| 曲麻莱县| 平山县| 祁连县| 泰州市| 远安县| 南投市| 长海县| 平原县| 赣榆县| 全南县| 福鼎市| 凤台县| 朝阳区| 三都| 贺兰县| 忻城县| 黎川县| 科尔| 罗山县| 漠河县| 毕节市| 潜山县| 眉山市| 四平市| 景洪市| 安福县| 鹤庆县| 周宁县| 隆回县| 延边| 巴楚县| 桦南县| 嵊州市| 上林县| 普定县| 拜城县|