標(biāo)題: Titlebook: VLSI Design and Test; 26th International S Ambika Prasad Shah,Sudeb Dasgupta,Jaynarayan Tudu Conference proceedings 2022 The Editor(s) (if [打印本頁(yè)] 作者: obdurate 時(shí)間: 2025-3-21 16:31
書(shū)目名稱VLSI Design and Test影響因子(影響力)
書(shū)目名稱VLSI Design and Test影響因子(影響力)學(xué)科排名
書(shū)目名稱VLSI Design and Test網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度
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書(shū)目名稱VLSI Design and Test被引頻次
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書(shū)目名稱VLSI Design and Test年度引用
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書(shū)目名稱VLSI Design and Test讀者反饋
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作者: 肉身 時(shí)間: 2025-3-21 20:17
https://doi.org/10.1007/978-3-031-21514-8bandwidth; communication channels (information theory); communication systems; computer hardware; comput作者: Flavouring 時(shí)間: 2025-3-22 04:26
978-3-031-21513-1The Editor(s) (if applicable) and The Author(s), under exclusive license to Springer Nature Switzerl作者: Oligarchy 時(shí)間: 2025-3-22 08:25
VLSI Design and Test978-3-031-21514-8Series ISSN 1865-0929 Series E-ISSN 1865-0937 作者: 失望未來(lái) 時(shí)間: 2025-3-22 09:42 作者: chuckle 時(shí)間: 2025-3-22 15:22
cht nur für die Erbberechtigung, sondern auch für das Pflichtteils- und Verm?chtnisrecht von Bedeutung sind, weshalb es nicht angehen würde, sie etwa unter dem Gesichtspunkt der Anfechtbarkeit oder Unwirksamkeit der Berufung zu betrachten. So empfiehlt es sich, sie, dem System des Gesetzbuchs folgen作者: fetter 時(shí)間: 2025-3-22 20:05 作者: Lobotomy 時(shí)間: 2025-3-22 22:46 作者: Ganglion-Cyst 時(shí)間: 2025-3-23 01:31
Kingsuk Bag,Kislay Deep,Sharad Verma,Shashi Prabha Yadav,Manish Goswami,Kavindra Kandpalren liegt darin insofern, als es ein noch unausgetragener wissenschaftlicher Streit ist, ob es Rechtsgemeinschaften, die nicht in Bruchteile zerfielen, überhaupt gibt. Das Vorhandensein von Quoten ist darum kein Moment, das sich zur Abgrenzung der Rechtsverh?ltnisse eignete, mit denen wir es hier zu作者: seruting 時(shí)間: 2025-3-23 07:33
Aniket Gupta,Govind Bajpai,Navjeet Bagga,Shashank Banchhor,Sudeb Dasgupta,Anand Bulusu,Nitanshu Chauas Gesetz gibt in den §§ 433 bis 883 eine umfangreiche Zusammenstellung von Vor- schriften über "einzelne Schuldverh?ltnisse". Sie stehen nicht unter einem ge- meinsamen Gedanken, sondern beziehen sich auf recht unterschiedliche Sach- verhalte. Eine Gruppe umfa?t die Regelung von typischen Vertr?gen作者: 蛙鳴聲 時(shí)間: 2025-3-23 10:06 作者: ostrish 時(shí)間: 2025-3-23 14:05
Shivendra Yadav,Deepak Joshi,Sanjib Kalita,Tushita Singhe Rechtsgesch?fte, durch die der Erblasser für den Fall seines Todes über sein Verm?gen verfügt, nennt das Gesetz im Anschlu? an die negotia mortis causa des gemeinen Rechts Verfügungen von Todes wegen. Diese sind entweder Testamente oder Erbvertr?ge (§§ 1937, 1941). Dagegen kennt unser Recht nicht 作者: promote 時(shí)間: 2025-3-23 19:35
Arvind Bisht,Yogendra Pratap Pundir,Pankaj Kumar Paln der historisch gewordenen Rechtszersplitterung. Deutschland war übersponnen von einem Netz zahlreicher untereinander sehr verschiedener Güterst?nde — man z?hlte am Ende des 19. Jahrhunderts über hundert —, die alle Schattierungen von der vollkommenen Trennung der Gütermassen (R?misches Dotalrecht,作者: 承認(rèn) 時(shí)間: 2025-3-23 23:26
Rahul Sharma,Harshal B. Nemaderen liegt darin insofern, als es ein noch unausgetragener wissenschaftlicher Streit ist, ob es Rechtsgemeinschaften, die nicht in Bruchteile zerfielen, überhaupt gibt. Das Vorhandensein von Quoten ist darum kein Moment, das sich zur Abgrenzung der Rechtsverh?ltnisse eignete, mit denen wir es hier zu作者: 講個(gè)故事逗他 時(shí)間: 2025-3-24 06:25
Puneet Singh,Saroj Mondal,Krishnan S. Rengarajann Berührung, obwohl nicht alle dort zu behandelnden Fragen für ihn die gleiche Bedeutung haben wie für den Juristen. Diese Umst?nde stellen dem Verfasser vor allem zwei Aufgaben: Einmal mu? eine Darstellung für den Wirtschaftswissenschaftler einen Abri? des gesamten Rechtsstoffes bieten, und zwar in作者: Scintigraphy 時(shí)間: 2025-3-24 09:52 作者: 物種起源 時(shí)間: 2025-3-24 13:04
Design of a Low-Voltage Charge-Sensitive Preamplifier Interfaced with Piezoelectric Tactile Sensor ff nW. The working of the amplifier is illustrated in a practical scenario by interfacing it with a tactile sensor which would be used in detection of submucosal tumours by adjudging their stiffness. The sensor is designed as a layered shell with piezoelectric material sandwiched between two layers o作者: Myelin 時(shí)間: 2025-3-24 18:53 作者: PON 時(shí)間: 2025-3-24 23:01 作者: 拱墻 時(shí)間: 2025-3-25 02:19 作者: Iatrogenic 時(shí)間: 2025-3-25 06:15 作者: deface 時(shí)間: 2025-3-25 09:57
Fabrication, Optimization and?Testing of?Photoconductively Tuned SAW Device Using CBD Methodrode separation width. We find that 2?mm separation sample is best suited for this application in which we need to make LiPIDTs within this area. For 2?mm sample, we obtained . A (obtained by the light exposure) and . A (in the absence of light). Thus we could achieve .. We have also obtained the X-作者: Sarcoma 時(shí)間: 2025-3-25 12:14 作者: Cytokines 時(shí)間: 2025-3-25 18:13 作者: Blemish 時(shí)間: 2025-3-25 22:58
Vivek Kumar,Jyoti Patel,Arnab Datta,Sudeb Dasgupta: einer der Güterst?nde wurde zum ordentlichen gesetzlichen Güterstand erhoben und im Gesetz ausführlich geregelt; er sollte automatisch in jeder Ehe eintreten, wenn nicht besondere gesetzliche oder vertragliche Bestimmungen ihn ausschlossen. Daneben regelt das Gesetz aber noch einige andere Güterst作者: 多節(jié) 時(shí)間: 2025-3-26 03:34
Ajay Kumar,Rohit Dhiman?ufig abweichende Begrifflichkeit. Durch Schaubilder, insbesondere aber durch eine Vielzahl von einfachen Beispielen gelingt es Zerres, die Einstiegs- hürden so weit wie m?glich abzubauen, ohne damit die gebotene inhaltliche Pr?zisi- on zu vernachl?ssigen. Ein " Lehrbuch" , das ohne Fu?noten auskomm作者: 嫌惡 時(shí)間: 2025-3-26 05:29
Kingsuk Bag,Kislay Deep,Sharad Verma,Shashi Prabha Yadav,Manish Goswami,Kavindra Kandpaltimmungen der §§ 1008ff., und wenn es sich um eine gemeinschaftliche Forderung handelt, durch den früher besprochenen § 432; und sie werden zum gro?en Teile verdr?ngt durch die Sondergebiete der Erbengemeinschaft, der ehelichen Gütergemeinschaft und der Gesellschaft. Soweit jedoch in den letzteren F作者: 使聲音降低 時(shí)間: 2025-3-26 10:57 作者: Density 時(shí)間: 2025-3-26 16:23
Neelkamal,Sonal Yadav,Hemangee K. Kapoornem mit Rechtswirkung ausgestatteten Tatbestand geh?ren, nennt man rechtserheblich oder juristisch. Ihnen steht gegenüber die gro?e Masse der unerheblichen, irrelevanten, Tatsachen. Unter den juristischen Tatsachen steht im Vordergrund die menschliche Handlung: ein nach au?en Hervortreten des Verhal作者: Fabric 時(shí)間: 2025-3-26 18:16 作者: 表示向下 時(shí)間: 2025-3-26 21:22
Arvind Bisht,Yogendra Pratap Pundir,Pankaj Kumar Pal: einer der Güterst?nde wurde zum ordentlichen gesetzlichen Güterstand erhoben und im Gesetz ausführlich geregelt; er sollte automatisch in jeder Ehe eintreten, wenn nicht besondere gesetzliche oder vertragliche Bestimmungen ihn ausschlossen. Daneben regelt das Gesetz aber noch einige andere Güterst作者: 自傳 時(shí)間: 2025-3-27 04:52 作者: mendacity 時(shí)間: 2025-3-27 08:27
Puneet Singh,Saroj Mondal,Krishnan S. Rengarajanuweilen nur in einem einzigen Satz behandelt, zugunsten der wirklich bedeutsamen Probleme. Immer aber ist zu jedem Fragenkreis die weiterführende Literatur, eingehender als im "Allgemeinen Teil des Bürgerlichen Rechts", zitiert. Ebensowenig fehlt der h?ufige Hinweis auf wichtige h?chstrichterliche E作者: Genetics 時(shí)間: 2025-3-27 13:32 作者: 秘傳 時(shí)間: 2025-3-27 14:29
Khushwant Sehra,Jeffin Shibu,Meena Mishra,Mridula Gupta,D. S. Rawal,Manoj Saxena作者: monogamy 時(shí)間: 2025-3-27 20:56
Chanchal,Ajay Kumar Visvkarma,Hardhyan Sheoran,Amit Malik,Robert Laishram,Dipendra Singh Rawal,Manoj作者: GROG 時(shí)間: 2025-3-28 01:09 作者: 字的誤用 時(shí)間: 2025-3-28 05:04
Anuj Srivastava,Nishant Kumar,Nihar Ranjan Mohapatra,Hari Shankar Gupta作者: harangue 時(shí)間: 2025-3-28 08:20
High Resolution Temperature Sensor Signal Processing ASIC for?Cryo-Cooler ElectronicsIC front-end design to achieve high-temperature resolution for precise control of cryo-cooler. Designed temperature processing ASIC achieves .3 mK temperature resolution and consumes very low power around < 4 mW. The design has been carried out using 1.8?V SCL CMOS 180?nm technology.作者: chronicle 時(shí)間: 2025-3-28 11:32
FEM Modeling of Thermal Aspect of Dielectric Inserted Under Source & Drain of 5 nm Nanosheetce and drain on lattice temperature was investigated using electrothermal simulation of single and double stack nanosheet transistors. The effects of dielectric insertion thickness under the source and drain on the substrate, as well as SNT channel temperature analyzed and its variation with width and extension length of SNT are explained.作者: HEED 時(shí)間: 2025-3-28 18:36 作者: projectile 時(shí)間: 2025-3-28 20:22 作者: JEER 時(shí)間: 2025-3-29 01:03 作者: Emasculate 時(shí)間: 2025-3-29 04:02 作者: Forehead-Lift 時(shí)間: 2025-3-29 09:50 作者: 徹底檢查 時(shí)間: 2025-3-29 14:16
1865-0929 ia, in July 2022..The 32 regular papers and 16 short papers presented in this volume were carefully reviewed and selected from 220 submissions. They were organized in topical sections as follows: Devices and Technology; Sensors; Analog/Mixed Signal; Digital Design; Emerging Technologies and Memory; 作者: homeostasis 時(shí)間: 2025-3-29 16:19 作者: VICT 時(shí)間: 2025-3-29 20:00
Differential Multi-bit Through Glass Vias for Three-Dimensional Integrated Circuitsugh glass via (TGV) which comprises of vias filled with mixed carbon nanotube bundle (mCNTB) and separate metallic pads, the performance of differential multi-bit through glass vias (DM-TGCVs) is studied and analyzed. The effective complex conductivity of mCNTB is derived for computation of the high作者: 癡呆 時(shí)間: 2025-3-30 01:54
Design of a Low-Voltage Charge-Sensitive Preamplifier Interfaced with Piezoelectric Tactile Sensor fted by the sensor. The rapid scaling of MOSFETs in the modern era has made it quite difficult to design a charge-sensitive preamplifier that has high effective resistance, consumes low power, generates very little noise, and can operate at low frequencies. This work will target to design a charge se作者: Perigee 時(shí)間: 2025-3-30 04:35 作者: 使人入神 時(shí)間: 2025-3-30 08:59 作者: Anticonvulsants 時(shí)間: 2025-3-30 15:52 作者: 疏遠(yuǎn)天際 時(shí)間: 2025-3-30 17:39
Investigation of Traps in AlGaN/GaN HEMT Epitaxial Structure Using Conductance Method/GaN HEMT epitaxial structure. Capacitance-Voltage (C–V) and Conductance-Voltage (G–V) measurements with frequency (1?kHz – 10?MHz) and temperature (25 and 250?°C) variations have been performed on large area Schottky pad having area 150?μm.?×?150?μm.. Two different types of traps have been observed
