標(biāo)題: Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 2024Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der [打印本頁(yè)] 作者: 高出來(lái)的名詞 時(shí)間: 2025-3-21 18:01
書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影響因子(影響力)
書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影響因子(影響力)學(xué)科排名
書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度
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書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen讀者反饋
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作者: 挫敗 時(shí)間: 2025-3-21 21:24 作者: prick-test 時(shí)間: 2025-3-22 03:43 作者: 沐浴 時(shí)間: 2025-3-22 08:27
Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor, folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazit?ten k?nnen mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.作者: Indolent 時(shí)間: 2025-3-22 11:38 作者: Dorsal-Kyphosis 時(shí)間: 2025-3-22 13:58
Optokoppler, Si-npn-Fototransistor vorgenommen. Statische Modellparameter folgen aus den LED-Durchlass- und -Sperrkennlinien sowie aus dem Ausgangskennlinienfeld des Transistors. Die Sperrschichtkapazit?ten werden mit dem Programm MODEL EDITOR und die Transitzeit über die frequenzabh?ngige Leistungsverst?rkung ermittelt.作者: Defraud 時(shí)間: 2025-3-22 18:57
Sensoren,n betrachtet, bei denen die Elemente von Schwingkreisen zu erfassen sind. Dazu z?hlen piezoelektrische Summer und Ultraschallsensoren. Ausgehend von Datenblattangaben werden diejenigen Modellparameter berechnet, die für eine Simulation mit dem Programm PSPICE erforderlich sind.作者: 遵循的規(guī)范 時(shí)間: 2025-3-22 21:36
Solarzellen, untersucht. Die Analyse von Strom, Leistung und Wirkungsgrad für die Standard-Testbedingungen erfolgt mit dem Programm PSPICE. Die Parameterextraktion liefert den Dioden-S?ttigungsstrom sowie den Parallel- und Serienwiderstand.作者: 直覺(jué)好 時(shí)間: 2025-3-23 04:53
978-3-658-43820-3Der/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb作者: 他去就結(jié)束 時(shí)間: 2025-3-23 08:58
https://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0Elektrotechnik; Elektronik; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sp作者: Myocarditis 時(shí)間: 2025-3-23 13:28
Peter BaumannStatische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen.Erg?nzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler.Simulationswerkzeug für den Elektr作者: 獨(dú)輪車 時(shí)間: 2025-3-23 17:37
Halbleiterdioden, Für die Extraktion der statischen Parameter, der Kapazit?tskenngr??en und der Z-Spannung nebst Z-Strom wird das Programm MODEL EDITOR verwendet. Die Parameterextraktion zeigt die Rückgewinnung derjenigen Parameter, mit denen die im Programm PSPICE verwendeten Halbleiterdioden ursprünglich modellier作者: 拋媚眼 時(shí)間: 2025-3-23 21:46
Bipolartransistoren,age für die Ermittlung der Modellparameter sind das Gro?signal- und Kleinsignalmodell des Transistors. Ausgewertet werden sowohl simulierte statische Kennlinien als auch die Frequenzabh?ngigkeit maximaler stabiler Leistungsverst?rkungen..Besondere Untersuchungen auf der Basis von Streuparametern gel作者: 陶醉 時(shí)間: 2025-3-23 23:39
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren,gnalmodell. Die Extraktion der Modellparameter wie Abschnürspannung, Drain-Source-S?ttigungsstrom und Transkonduktanz erfolgt über die Auswertung von Kennlinien. Die Kapazit?tsparameter gehen aus der Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung hervor.作者: LURE 時(shí)間: 2025-3-24 04:32
MOS-Feldeffekttransistoren,ng oder die Steilheit lassen sich aus der übertragungskennlinie gewinnen. Dabei wird der auch der Einfluss der Bulk-Elektrode erfasst. Die Bulk-Drain- und Bulk-Source-Kapazit?ten werden über die Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung ermittelt.作者: Diluge 時(shí)間: 2025-3-24 08:51
Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor, folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazit?ten k?nnen mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabh?ngigkeit der maximalen stabilen Leistungsverst?rkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.作者: Hyperalgesia 時(shí)間: 2025-3-24 13:50
,Operationsverst?rker,nnlinien für den Differenz- und Gleichtaktbetrieb gewonnen. Demonstriert wird die Anwendung der übertragungsfunktions-Analyse. Dargestellt werden Gleichstrom-Modelle mit Eingangs- und Ausgangswiderst?nden sowie mit einer spannungsgesteuerten Spannungsquelle als auch Kleinsignal-HF-Modelle.作者: Apraxia 時(shí)間: 2025-3-24 16:33
Optokoppler, Si-npn-Fototransistor vorgenommen. Statische Modellparameter folgen aus den LED-Durchlass- und -Sperrkennlinien sowie aus dem Ausgangskennlinienfeld des Transistors. Die Sperrschichtkapazit?ten werden mit dem Programm MODEL EDITOR und die Transitzeit über die frequenzabh?ngige Leistungsverst?rkung 作者: uncertain 時(shí)間: 2025-3-24 19:35
Sensoren,n betrachtet, bei denen die Elemente von Schwingkreisen zu erfassen sind. Dazu z?hlen piezoelektrische Summer und Ultraschallsensoren. Ausgehend von Datenblattangaben werden diejenigen Modellparameter berechnet, die für eine Simulation mit dem Programm PSPICE erforderlich sind.作者: heterogeneous 時(shí)間: 2025-3-25 00:41 作者: 燈絲 時(shí)間: 2025-3-25 03:56 作者: 反應(yīng) 時(shí)間: 2025-3-25 08:26
Peter Baumann durch unz?hlige Fachtermini und Anglizismen aus. Das vorliegende Nachschlagewerk eignet sich für den ersten schnellen überblick. In 250 übersichtlichen Schlüsselbegriffen werden die Grundlagen erl?utert. Die Erkl?rungen sind kompakt und verst?ndlich formuliert und bieten Basiswissen für alle, die e作者: 芭蕾舞女演員 時(shí)間: 2025-3-25 14:27
Peter Baumann durch unz?hlige Fachtermini und Anglizismen aus. Das vorliegende Nachschlagewerk eignet sich für den ersten schnellen überblick. In 250 übersichtlichen Schlüsselbegriffen werden die Grundlagen erl?utert. Die Erkl?rungen sind kompakt und verst?ndlich formuliert und bieten Basiswissen für alle, die e作者: Mindfulness 時(shí)間: 2025-3-25 18:56 作者: FOR 時(shí)間: 2025-3-25 22:26
Peter Baumannnd Einsteiger.Includes supplementary material: .Von der Amoroso-Robinson-Relation über Fencing und das Life Cycle Concept bis zum Versioning: Die Sprache der Preis- und Produktpolitik zeichnet sich durch unz?hlige Fachtermini und Anglizismen aus. Das vorliegende Nachschlagewerk eignet sich für den e作者: Deject 時(shí)間: 2025-3-26 01:31 作者: 生氣地 時(shí)間: 2025-3-26 05:32 作者: 外科醫(yī)生 時(shí)間: 2025-3-26 10:07
Peter Baumanndes supplementary material: .Von der Abstimmungsprüfung über Financial Auditing und Management Audit bis zur Wesentlichkeit: Die Sprache der Wirtschaftsprüfung zeichnet sich durch unz?hlige Fachtermini und Anglizismen aus. Das vorliegende Nachschlagewerk eignet sich für den ersten schnellen überblic作者: 阻礙 時(shí)間: 2025-3-26 15:34 作者: Anal-Canal 時(shí)間: 2025-3-26 19:06 作者: ciliary-body 時(shí)間: 2025-3-26 21:35
Peter Baumannrmuliert und bieten Basiswissen für alle, die einen schnellen Einstieg in die Praxis suchen, sich für Preis- und Produktpolitik interessieren oder ihr vorhandenes Wissen auffrischen m?chten..978-3-658-07442-5作者: 魔鬼在游行 時(shí)間: 2025-3-27 03:17
Peter Baumannrmuliert und bieten Basiswissen für alle, die einen schnellen Einstieg in die Praxis suchen, sich für Preis- und Produktpolitik interessieren oder ihr vorhandenes Wissen auffrischen m?chten..978-3-658-07442-5作者: 鴿子 時(shí)間: 2025-3-27 08:59 作者: 隼鷹 時(shí)間: 2025-3-27 09:38 作者: laparoscopy 時(shí)間: 2025-3-27 15:27
Bipolartransistoren,Kennlinien als auch die Frequenzabh?ngigkeit maximaler stabiler Leistungsverst?rkungen..Besondere Untersuchungen auf der Basis von Streuparametern gelten dem HF-Transistor für den Einsatz im Gigahertz-Bereich. Vorgestellt wird eine Parameterextraktion zum Kleinsignalmodell des Transistors BFR 93 A von Infineon.作者: 拋射物 時(shí)間: 2025-3-27 19:01
