標(biāo)題: Titlebook: Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors; Numerical Data and G Sadao Adachi Book 1999 Springer Science+Business Media [打印本頁(yè)] 作者: 古生物學(xué) 時(shí)間: 2025-3-21 16:44
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors影響因子(影響力)
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors影響因子(影響力)學(xué)科排名
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors網(wǎng)絡(luò)公開度
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors被引頻次
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors被引頻次學(xué)科排名
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors年度引用
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors年度引用學(xué)科排名
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors讀者反饋
書目名稱Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors讀者反饋學(xué)科排名
作者: Angiogenesis 時(shí)間: 2025-3-21 23:37
Wurtzite Gallium Nitride (α-GaN)e have been many reports on the optical properties and constants of wurtzite GaN (α-GaN), the current state of the available data is seemed to be less than adequate. In particular, the optical constants with respect to its optical anisotropy are incomplete.作者: 貪婪地吃 時(shí)間: 2025-3-22 01:13 作者: DRILL 時(shí)間: 2025-3-22 04:57
Diamond (C)strates by a chemical transport method or other methods [1] has revived the interest in the material properties [2] and potential applications in electronics and optics [3]. Of course, there is the important, yet trivial, application of diamond in jewelry, exploiting its high refractive index.作者: 羊欄 時(shí)間: 2025-3-22 12:35
Gray Tin (α-Sn)obtained by transforming ?-Sn at temperatures below 13°C. In 1958 Ewald and Tufte [1] succeeded in preparing a-Sn single crystals from a saturated mercury solution at -30°C. Reflectance measurements on samples from these crystals were performed by Lindquist and Ewald [2],作者: 無(wú)法解釋 時(shí)間: 2025-3-22 16:39 作者: ABASH 時(shí)間: 2025-3-22 17:25 作者: incite 時(shí)間: 2025-3-22 23:41 作者: 歪曲道理 時(shí)間: 2025-3-23 02:38
Silicon (Si) 95% of all semiconductor devices sold worldwide [1,2]. Even though some III–V compounds (such as GaAs and InGaAs) have certain advantages in material properties over Si, this trend is unlikely to change during the next few decades.作者: Abbreviate 時(shí)間: 2025-3-23 09:14 作者: fibula 時(shí)間: 2025-3-23 13:27
Introductory RemarksThis book contains optical-constant data of crystalline and amorphous semiconductors. The semiconductor materials examined are the group-IV elemental and binary (Diamond, Si, SiC, etc.), III–V (AIP, GaAs, InSb, etc.), II–VI (MgO, ZnSe, CdTe, etc.), and IV–VI binary semiconductors (PbS, PbSe, SnTe, etc.), and their alloys.作者: artless 時(shí)間: 2025-3-23 15:17
Rhombohedral Silicon Carbide (15R-SiC)The occurrence of a large number of polytypes in SiC and the strong influence this has on many of its properties is well known. Rhombohedral (trigonal) 15R-SiC is the second commonest polytype. Rhombohedral polytypes, such as 21R- and 27R-SiC, have also been identified but very rarely.作者: 有權(quán) 時(shí)間: 2025-3-23 20:13 作者: NORM 時(shí)間: 2025-3-23 23:53 作者: Facet-Joints 時(shí)間: 2025-3-24 04:52 作者: kidney 時(shí)間: 2025-3-24 09:11 作者: 輕率看法 時(shí)間: 2025-3-24 11:30
Germanium (Ge)ning technique has led to production of ultrahigh-purity Ge single crystals. It is a very important semiconducting material used as a transistor element and also for optoelectronic device applications, including extremely sensitive IR photo-detectors.作者: 嚴(yán)厲批評(píng) 時(shí)間: 2025-3-24 16:35 作者: 動(dòng)物 時(shí)間: 2025-3-24 21:34
Aluminum Nitride (AIN)(～∣2?5∣×10. cm/V at 300 K) (see Ref. [1]). AIN has also excellent insulator and passivation properties, low dispersion of permittivity, and low dielectric loss. These make it useful for numerous device applications (see, ., Ref. [2]).作者: Projection 時(shí)間: 2025-3-25 00:09 作者: 擦試不掉 時(shí)間: 2025-3-25 07:19
Aluminum Arsenide (AIAs)ls for high-speed electron and optoelectronic devices [1]. There is also widespread use of AlAs, GaAs, and Al.Ga. in the fabrication of III–V quantum structures [2]. A review of many phySiCal and semiconducting properties of these materials has been given in Refs. [3–5].作者: Reclaim 時(shí)間: 2025-3-25 09:04 作者: 表被動(dòng) 時(shí)間: 2025-3-25 14:06
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-5247-5alloy; crystal; material; optical properties; semiconductor; semiconductors作者: 同步左右 時(shí)間: 2025-3-25 16:11
schallung von Geweben mittels Ultraschall W?rme entsteht, da? diese W?rmeentwicklung aber vor allen Dingen im therapeutischen Bereich des Ultraschalls, also einem Intensit?tsbereich von etwa 3 W/cm. eine Rolle spielt. Im Bereich der Ultraschalldiagnostik ist die W?rmeentwicklung dagegen zu vernachl?作者: heckle 時(shí)間: 2025-3-25 19:59
Sadao Adachihre die Ultraschalldiagnostik überwiegend dazu, sich durch einen Blick in den Uterus einer schwangeren Frau Kenntnis von der Kindslage, der Anzahl der Feten und v.a. von einem altersentsprechenden fetalen Wachstum zu verschaffen, so war es in sp?teren Jahren durch die verbesserte Technik, insbesonde作者: gain631 時(shí)間: 2025-3-26 00:46
Sadao Adachiwesentlichen Stellenwert, wenn wir auch vorl?ufige und endgültige Diagnosen unterscheiden. Fehler in der Behandlung gehen nicht selten auf solche bei der Diagnosestellung zurück. Eine sogar h?ufige Ursache des sog. schweren Behandlungsfehlers ist, da? elementare Diagnosen nicht gestellt werden. Als 作者: 玩忽職守 時(shí)間: 2025-3-26 04:29
Sadao Adachilogical interest. Physical examination is an easy means of evaluating the size and origin of a solitary cervical mass, yet valid interpretation can prove difficult when the normal morphology of the neck has been altered; excellent examples are patients with extensive fibrosis or scarring secondary t作者: modest 時(shí)間: 2025-3-26 11:27
Sadao Adachireat semiological interest. Physical examination is an easy means of evaluating the size and origin of a solitary cervical mass, yet valid interpretation can prove difficult when the normal morphology of the neck has been altered; excellent examples are patients with extensive fibrosis or scarring s作者: 長(zhǎng)處 時(shí)間: 2025-3-26 14:58
Sadao Adachizu bestimmten Symptomen geführt hatten. So wurde auf klinische Abweichungen, wie die Gr??e der Prostata, das Ausma? eines vaginalen Prolapses, auf den r?ntgenologischen Nachweis einer Trabekelblase, einer Restharnerh?hung oder die Darstellung des urethrove- sikalen Winkels und schlie?lich auf das en作者: 施舍 時(shí)間: 2025-3-26 16:58
Sadao Adachizu bestimmten Symptomen geführt hatten. So wurde auf klinische Abweichungen, wie die Gr??e der Prostata, das Ausma? eines vaginalen Prolapses, auf den r?ntgenologischen Nachweis einer Trabekelblase, einer Restharnerh?hung oder die Darstellung des urethrove- sikalen Winkels und schlie?lich auf das en作者: WATER 時(shí)間: 2025-3-27 00:30
Sadao Adachiende Umweltvertr?glichkeitsuntersuchung bzw. Umweltvertr?glichkeitsprüfung. Das Instrumentarium zur Prüfung der Umweltvertr?glichkeit des geplanten Vorhabens wird einerseits als die Ursache für zu lange und kostenintensive Genehmigungsverfahren gesehen, andererseits bedingt die UVP-Pflicht die Betei作者: yohimbine 時(shí)間: 2025-3-27 02:13
Sadao Adachiende Umweltvertr?glichkeitsuntersuchung bzw. Umweltvertr?glichkeitsprüfung. Das Instrumentarium zur Prüfung der Umweltvertr?glichkeit des geplanten Vorhabens wird einerseits als die Ursache für zu lange und kostenintensive Genehmigungsverfahren gesehen, andererseits bedingt die UVP-Pflicht die Betei作者: Glossy 時(shí)間: 2025-3-27 06:15 作者: reserve 時(shí)間: 2025-3-27 10:44
Sadao Adachietisch-systematischen Analyse des Zusammenhangs zwischen Umwelt und Konflikt angesiedelt sind, wird ein drittes Element in diese an sich schon ?u?erst komplexe Problematik eingeführt, das der Sicherheit. Der Begriff der Sicherheit, der in diesem Zusammenhang noch zu pr?zisieren sein wird, stellt das作者: Concerto 時(shí)間: 2025-3-27 17:12
Sadao Adachietisch-systematischen Analyse des Zusammenhangs zwischen Umwelt und Konflikt angesiedelt sind, wird ein drittes Element in diese an sich schon ?u?erst komplexe Problematik eingeführt, das der Sicherheit. Der Begriff der Sicherheit, der in diesem Zusammenhang noch zu pr?zisieren sein wird, stellt das作者: 無(wú)價(jià)值 時(shí)間: 2025-3-27 20:57
Sadao Adachirschienen, die das Thema aus unterschiedlichsten Blickwinkeln beleuchten. Dabei handelt es sich zum Teil eher um konzeptionelle überlegungen über den Zusammenhang von Umweltdegradation und Sicherheit (vgl. z.B. Brock 1991 und 1994; Eberwein 1997; W?hlke 1997), zum anderen um Ergebnisse umfangreicher作者: ineptitude 時(shí)間: 2025-3-27 23:16 作者: 租約 時(shí)間: 2025-3-28 03:21
Sadao Adachirschienen, die das Thema aus unterschiedlichsten Blickwinkeln beleuchten. Dabei handelt es sich zum Teil eher um konzeptionelle überlegungen über den Zusammenhang von Umweltdegradation und Sicherheit (vgl. z.B. Brock 1991 und 1994; Eberwein 1997; W?hlke 1997), zum anderen um Ergebnisse umfangreicher作者: Ganglion 時(shí)間: 2025-3-28 06:19 作者: 保守黨 時(shí)間: 2025-3-28 14:27 作者: TOXIC 時(shí)間: 2025-3-28 16:43
Sadao Adachigruppe führt dazu, da? belastetes Bodenmaterial oral aufgenommen werden kann. Die Spielplatzerlasse in Nordrhein-Westfalen (Kramer et al. 1990) und Bayern (AG Umwelthygiene 1994) gehen bei der humantoxikologischen Bewertung von einer Bodeningestion von 1 g/Tag aus. Zu bedenken ist jedoch, da? auf se作者: aerobic 時(shí)間: 2025-3-28 22:43 作者: 協(xié)議 時(shí)間: 2025-3-29 02:14
Silicon (Si) it in abundance); however, this element is usually not found free, but mainly in its oxides and silicates. The Czochralski method is commonly used to produce single crystals of Si used for solid-state devices. Crystalline Si has a metallic luster and grayish color, and transmits more than 95% of al作者: CYT 時(shí)間: 2025-3-29 03:37 作者: 共同生活 時(shí)間: 2025-3-29 08:52
Gray Tin (α-Sn)into white, or ?-Sn, the ordinary form of the metal (tetragonal structure). Early experiments on α-Sn were performed on lumpy polycrystalline samples obtained by transforming ?-Sn at temperatures below 13°C. In 1958 Ewald and Tufte [1] succeeded in preparing a-Sn single crystals from a saturated mer作者: deface 時(shí)間: 2025-3-29 12:31
Cubic Silicon Carbide (3C-SiC)s types of SiC differ one from another only by the order in which successive planes of Si (or C) atoms are stacked along the . axis; one polytype is cubic (3C) while the remainder, including two of the more frequently occurring forms, 6H and 15R, possess uniaxial symmetry. Note that in the polytype 作者: 小畫像 時(shí)間: 2025-3-29 18:22 作者: 裂隙 時(shí)間: 2025-3-29 23:36
Carbon-Incorporated Alloys (SI,C,, SI,GE,C,, etc.)ircuit technology [1,2]. For a variety of technical reasons, in particular to adjust the strain in the het-eroepitaxial layers, it is desirable to adjust the stain in the group-IV materials and form alloys (., Si.C., and Si.Ge.C.). For the Si-Ge system, the bond-length mismatch is only 4%, whereas i作者: Aura231 時(shí)間: 2025-3-30 01:26
Cubic Boron Nitride (,-BN) properties like extreme hardness, high melting point, high thermal conductivity, large band-gap energy, low dielectric constant, and high chemical stability. If the problems of crystal growth are solved, it will become an important material for many industrial applications.作者: 形容詞 時(shí)間: 2025-3-30 04:59
Aluminum Nitride (AIN)(～∣2?5∣×10. cm/V at 300 K) (see Ref. [1]). AIN has also excellent insulator and passivation properties, low dispersion of permittivity, and low dielectric loss. These make it useful for numerous device applications (see, ., Ref. [2]).作者: Flinch 時(shí)間: 2025-3-30 08:50
Aluminum Phosphide (AIP)ently pure form and its instability in a humid atmosphere. The few published papers are mainly concerned with crystal growth techniques, but some of them also report measurements on structural, electronic, and optical properties (see Ref. [1]).作者: 瘋狂 時(shí)間: 2025-3-30 14:14
Aluminum Arsenide (AIAs)ls for high-speed electron and optoelectronic devices [1]. There is also widespread use of AlAs, GaAs, and Al.Ga. in the fabrication of III–V quantum structures [2]. A review of many phySiCal and semiconducting properties of these materials has been given in Refs. [3–5].作者: 思鄉(xiāng)病 時(shí)間: 2025-3-30 18:28 作者: CAJ 時(shí)間: 2025-3-30 22:48
Wurtzite Gallium Nitride (α-GaN)ch as blue-UV light-emitting diodes and laser diodes [1,2]. GaN films have been grown with a wide range of growth techniques, including CVD, MOCVD, and MBE. A variety of substrates, such as Si, SiC, and various crystallographic orientations of sapphire, have been used in these studies. Although ther作者: Torrid 時(shí)間: 2025-3-31 03:13
Optical Constants of Crystalline and Amorphous SemiconductorsNumerical Data and G作者: STENT 時(shí)間: 2025-3-31 05:56
Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors978-1-4615-5247-5作者: 暴行 時(shí)間: 2025-3-31 11:13
peutischen Bereich, also oberhalb einer Schallintensit?t von 2 W/cm. auftritt und da? die Wirkung dann die gleiche sei, wie sie bei einer ionisierenden Strahlung von 1 R vorliegt. Da bei einer genetischen Wirkung oder kanzerogenen Wirkung keine Intensit?tsschwelle vorliegt, ist die Beschr?nkung der 作者: SEMI 時(shí)間: 2025-3-31 17:16 作者: allergen 時(shí)間: 2025-3-31 17:46 作者: 受傷 時(shí)間: 2025-4-1 01:15
