作者: commune 時(shí)間: 2025-3-21 20:14 作者: inclusive 時(shí)間: 2025-3-22 00:35 作者: 颶風(fēng) 時(shí)間: 2025-3-22 05:44
Defect Production During Neutron Doping of Simeasurements using EPR, optical absorption, Raman scattering and DLTS which have been used to observe a number of defects which have been produced in Si by room temperature neutron irradiation. The numbers of displacements observed by these techniques will be compared to a simple Kinchin-Pease cascade model..作者: 疼死我了 時(shí)間: 2025-3-22 11:39
Optical Studies of Lattice Damage in Neutron-Transmutation-Doped Siliconntervals from 150 to 900°C.. All samples were irradiated in a reactor in- core position with a thermal-to-fast (≥1 MeV) neutron ratio of ? 5, so that the lattice damage introduced by thermal neutron absorption and (n, γ) recoils was negligible compared to that introduced by fast neutron collisions with Si atoms.作者: AXIOM 時(shí)間: 2025-3-22 15:13
Large Scale Production of NTD Silicon in the United Statese played by the starting material. Analysis of the possible sources of inaccuracies is made..An outline of a zone refining process for producing only NTD product is compared to a conventional one with a discussion of advantages of the two. Trends in the manufacture and usage of NTD float zone silicon are discussed作者: 全神貫注于 時(shí)間: 2025-3-22 19:25
Impurity Interactions with Structural Defects in Irradiated Siliconxes. It will be shown that irradiation and annealing procedures can lead to non-equilibrium defects involving these njnpurities. We shall also report on recent small angle neutron scattering SANS measurements which allow the sizes of clusters and the absolute numbers of defects involved to be estimated.作者: TAIN 時(shí)間: 2025-3-22 22:25
Factors Affecting Phosphorus Production Rate in NTD Siliconh irradiation and annealing, and incomplete annealing. It is important for both the silicon manufacturer and the reactor service engineer to understand these factors if the accuracy of doping inherent in the NTD process is to be realized.作者: Largess 時(shí)間: 2025-3-23 04:25 作者: 矛盾心理 時(shí)間: 2025-3-23 05:33 作者: Benzodiazepines 時(shí)間: 2025-3-23 12:35
John C. Corelli,James W. Corbettindruckvolles Bild von den Gedanken gegeben, die beim Entwurf von Stanzen jeglicher Art notwendig sind und klar überzeugt, da? nicht übereilt vorgegangen werden darf. Dieser Forderung wird heute vielfach noch nicht genügend Rechnung getragen, unbegreiflicherweise, da der Stanzenbau sehr viel Geld ve作者: 憤世嫉俗者 時(shí)間: 2025-3-23 14:45
J. W. Cleland,N. Fukuokaindruckvolles Bild von den Gedanken gegeben, die beim Entwurf von Stanzen jeglicher Art notwendig sind und klar überzeugt, da? nicht übereilt vorgegangen werden darf. Dieser Forderung wird heute vielfach noch nicht genügend Rechnung getragen, unbegreiflicherweise, da der Stanzenbau sehr viel Geld ve作者: 慌張 時(shí)間: 2025-3-23 18:46
O. Malmros,J. Guldberg,K. Lundindruckvolles Bild von den Gedanken gegeben, die beim Entwurf von Stanzen jeglicher Art notwendig sind und klar überzeugt, da? nicht übereilt vorgegangen werden darf. Dieser Forderung wird heute vielfach noch nicht genügend Rechnung getragen, unbegreiflicherweise, da der Stanzenbau sehr viel Geld ve作者: Guileless 時(shí)間: 2025-3-23 22:32 作者: 抱狗不敢前 時(shí)間: 2025-3-24 05:49
Noboru Fukuoka,John W. Clelandnzwerkzeuge sehr erwünscht. Wer aber die gro?e Zahl der Gestaltungsm?glichkeiten und -notwendigkeiten der Einzelteile von Stanzwerkzeugen bedenkt, von denen hier nur ein kleiner Auszug beschrieben ist, und die dabei m?glichen Zusammenstellungen überschl?gt, wei?, wo hier die Schwierigkeiten der Norm作者: flex336 時(shí)間: 2025-3-24 07:56 作者: Confess 時(shí)間: 2025-3-24 12:30
K. Heydorn,Kirsten Andresenrschubapparat sind deshalb als eine Fertigungseinheit zu behandeln. Eine Presse mit angebauten Vorschubapparat wird gew?hnlich als . bezeichnet, im Bereich h?chster Hubfrequenzen als .Die . Forderung ist daher: . sollen unbedingt in . gleicher oder noch h?herer Genauigkeit eingesetzt werden, weil di作者: 花費(fèi) 時(shí)間: 2025-3-24 15:45 作者: Modicum 時(shí)間: 2025-3-24 21:07
Large Scale Production of NTD Silicon in the United States types of irradiation facilities in the U.S. is outlined including an indication of commercial capabilities. Published licensed requirements of the U.S. Nuclear Regulatory Agency are discussed including monitoring of irradiated material for residual radioactivity, personnel protection measures, cont作者: Subjugate 時(shí)間: 2025-3-25 00:44 作者: 排斥 時(shí)間: 2025-3-25 04:11 作者: 貪婪的人 時(shí)間: 2025-3-25 08:25
Impurity Interactions with Structural Defects in Irradiated Siliconesemble that produced by fast electron irradiation. Direct neutron collisions are most easily investigated in material that has been subjected to high fluences in reactors which may be less than ideal for the production of NTD silicon. Damage produced in these two ways will be discussed and special 作者: Ischemic-Stroke 時(shí)間: 2025-3-25 12:15
Defect Production During Neutron Doping of Sithe neutron energy spectra of different reactors are most apparent. We will discuss methods of estimating the displacement rate at which Si atoms are dislodged from their normal lattice sites during a neutron irradiation induced displacement cascade. We also will present the results of a variety of 作者: 使害羞 時(shí)間: 2025-3-25 16:08 作者: HAVOC 時(shí)間: 2025-3-25 23:48
Electron Spin Resonance (ESR) Study on the Thermal Annealing of Defects Induced in Neutron Transmuta been found for float zone Si irradiated with thermal neutron at the flux of 2×3.n/cm.sec and Cd ratio to fast neutron of 15:1. One center was annealed out after annealing at 420°C but the other center, which was attributed to Si-Pi center still remained after annealing at 700°C. It was found that v作者: 拍下盜公款 時(shí)間: 2025-3-26 03:10 作者: 深陷 時(shí)間: 2025-3-26 04:44
A Facility and Program at IPNS to Study Defects Produced by Fast Neutrons in Semiconductorsunique opportunity to study the effects of fast-neutron bombardment of semiconductors. This user-oriented Facility will be described and the results of recent measurements of spallation neutron flux, flux gradients, and energy spectrum will be presented. A close similarity with the fast component of作者: 骨 時(shí)間: 2025-3-26 08:29 作者: 過(guò)去分詞 時(shí)間: 2025-3-26 15:29
The Health and Safety Aspects of Neutron Doped Siliconprocess. Each year tens of tonnes of silicon ingots are being transported from producers to nuclear reactor centres, are then irradiated; transported back to the producers, machined, sliced and polished and the slices eventually incorporated in electronic devices with which the general public have c作者: 預(yù)示 時(shí)間: 2025-3-26 17:33 作者: 沙草紙 時(shí)間: 2025-3-26 23:12 作者: Flirtatious 時(shí)間: 2025-3-27 03:42 作者: Strength 時(shí)間: 2025-3-27 05:56
http://image.papertrans.cn/n/image/664693.jpg作者: 迅速飛過(guò) 時(shí)間: 2025-3-27 10:32
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-3261-9Thyristor; Wafer; control; defects; design; development; energy; future; high voltage; industry; optimization; 作者: 狂亂 時(shí)間: 2025-3-27 17:34 作者: 小爭(zhēng)吵 時(shí)間: 2025-3-27 21:17 作者: 1分開(kāi) 時(shí)間: 2025-3-28 00:34 作者: 尊嚴(yán) 時(shí)間: 2025-3-28 04:31
Neutron-Doped Silicon — A Market ReviewThe market development of neutron-transmutation-doped silicon in the past can be divided into the periods:作者: 態(tài)學(xué) 時(shí)間: 2025-3-28 06:57 作者: 鑒賞家 時(shí)間: 2025-3-28 11:10
Neutron Doped Silicon in Grenoble Reactor FacilitiesThe industrial use of neutron doped silicon by means of thermal neutron irradiation has led to the development and adaptation of experimental reactors to meet the demand in this field.作者: 不怕任性 時(shí)間: 2025-3-28 14:45
Characterization of NTD Silicon Irradiated in Grenoble Reactor FacilitiesSince I976, the LETI (Laboratoire d’Electronique et de Technologie de l’Informatique) studies the performances of NTD-silicon irradiated in different reactors of the CEA (in Grenoble and in Saclay).作者: 流行 時(shí)間: 2025-3-28 20:37 作者: 火光在搖曳 時(shí)間: 2025-3-28 23:47 作者: 瑣碎 時(shí)間: 2025-3-29 03:24
J. M. Meese,M. Chandrasekhar,D. L. Cowan,S. L. Chang,H. Yousif,H. R. Chandrasekhar,P. McGrail作者: 安撫 時(shí)間: 2025-3-29 10:02
M. H. Young,O. M. Stafsudd,K. L. Brower,O. J. Marsh,R. Baron作者: 圣歌 時(shí)間: 2025-3-29 14:39
en lassen wie überhaupt an die Oberfl?chenbehandlung hohe Ansprüche gestellt werden k?nnen: Lackieren und F?rben, Bedrucken, Emaillieren, Versilbern, Verchromen, Eloxieren usw. Dennoch soll der Werkstoff anderweitig bearbeitbar bleiben. Alle diese vor dem Umformen liegenden oder ihm folgenden Arbeit作者: etiquette 時(shí)間: 2025-3-29 19:02 作者: 莎草 時(shí)間: 2025-3-29 23:27 作者: Aspiration 時(shí)間: 2025-3-30 03:12
O. Malmros,J. Guldberg,K. Lunds Werkstoffes bei ihnen mit gro?er Sicherheit vor überraschungen vorausgesagt werden kann. Das vermutliche Verhalten kann nicht genug überlegt und unter Umst?nden mit erfahrenen Werkzeugmachern besprochen werden; denn eine reifliche überlegung, die den Entwurf zu verz?gern scheint, verkürzt die Vers作者: 斑駁 時(shí)間: 2025-3-30 04:12 作者: Enliven 時(shí)間: 2025-3-30 11:38 作者: 簡(jiǎn)略 時(shí)間: 2025-3-30 14:35
M. A. Kirk,R. C. Birtcher,T. L. Scott,T. H. Blewitto?zügiger Weise durch Normalien weiter ausgebaut. Neben den schon erw?hnten Spannzapfen normte sie Einspannzapfen für Gesamtschnitte (J. Z. 11381), Kupplungszapfen für nur kraftschlüssige Druckübertragung (Z. J. 11311 und 11312) und die zugeh?rigen Aufnahmefutter (Z. J. 11041 und 13161). Einspannpla作者: 愉快嗎 時(shí)間: 2025-3-30 17:58 作者: climax 時(shí)間: 2025-3-30 22:34
Horst G. Krameras Führen. Hochleistungs-Stanzpressen (Schnelll?uferpressen) sind mechanische Exzenterpressen für Nennkr?fte von etwa .?=?180 bis 2500/kN mit maximalen Hubfrequenzen je nach Pressengr??e von .?=?. bis 2500?H/min. Hochleistungs-Feinschneidpressen sind entweder modifizierte, durch Exzenter angetrieben作者: frivolous 時(shí)間: 2025-3-31 03:51 作者: magnanimity 時(shí)間: 2025-3-31 06:06 作者: Organonitrile 時(shí)間: 2025-3-31 11:07 作者: 歡笑 時(shí)間: 2025-3-31 15:24 作者: 揭穿真相 時(shí)間: 2025-3-31 21:29 作者: sorbitol 時(shí)間: 2025-3-31 23:08
timization, and possible benefits of irradiating other semiconductor compounds. In view of the now wide spread acceptance of neutron doped silicon in the power device industry the present conference was largely directed towards the current status of transmutation doping of silicon. Accordingly, the scope of t978-1-4613-3263-3978-1-4613-3261-9作者: 嬰兒 時(shí)間: 2025-4-1 02:02
9樓作者: 啞巴 時(shí)間: 2025-4-1 06:15
10樓作者: 考博 時(shí)間: 2025-4-1 13:01
10樓作者: choroid 時(shí)間: 2025-4-1 16:44
10樓作者: Creditee 時(shí)間: 2025-4-1 20:04
10樓
