標(biāo)題: Titlebook: Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials; Robert D. Larrabee Book 1984 Plenum Press, New York 1984 Europe.Germanium.Thyrist [打印本頁(yè)] 作者: Body-Mass-Index 時(shí)間: 2025-3-21 16:27
書(shū)目名稱(chēng)Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials影響因子(影響力)
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書(shū)目名稱(chēng)Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials年度引用
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書(shū)目名稱(chēng)Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials讀者反饋
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作者: hazard 時(shí)間: 2025-3-21 20:45 作者: Synthesize 時(shí)間: 2025-3-22 00:38 作者: growth-factor 時(shí)間: 2025-3-22 06:03
http://image.papertrans.cn/n/image/664689.jpg作者: 細(xì)頸瓶 時(shí)間: 2025-3-22 11:06 作者: 可商量 時(shí)間: 2025-3-22 15:40 作者: Intrepid 時(shí)間: 2025-3-22 19:33 作者: 有毒 時(shí)間: 2025-3-23 00:53 作者: handle 時(shí)間: 2025-3-23 03:43
Spallation Neutron Damage in Group IV, III–V and II–VI Semiconductors at 5 Kive group of IV, III–V and II–VI semi-conductors. Carrier removal rates and isochronal annealing are presented for all the semiconductors investigated while Deep-Level Transient Spectroscopic experiments on n-type silicon are discussed.作者: Uncultured 時(shí)間: 2025-3-23 08:25 作者: Irksome 時(shí)間: 2025-3-23 10:07
An Automatic Controlled, Heavy Water Cooled Facility for Irradiation of Silicon Crystals in the DR 3n enlarged concurrently with the growing demand for netron transmutation doped crystals..This report describes a recently developed facility for the irradiation of 4 inches silicon crystals. The irradiation rig is placed in one of the vertical experimental tubes in the heavy water moderator of the r作者: Gratuitous 時(shí)間: 2025-3-23 15:40
Irradiation of Single Silicon Crystals with Diameters in the 3-to 5-Inch Range in French Reactorseter ingots have been constructed at several locations. These facilities use neutronic absorption screens to produce a uniform axial distribution of thermal neutron flux. This feature, plus the systematic calibration of the irradiation equipment have contributed to the attainment of the target resis作者: Prosaic 時(shí)間: 2025-3-23 19:00 作者: 歡樂(lè)中國(guó) 時(shí)間: 2025-3-24 02:10 作者: faculty 時(shí)間: 2025-3-24 06:20
Experiences with the Norwegian Research Reactor Jeep II in Neutron Transmutation Dopingry radionuclide production irradiation facilities are used, with some modifications of the loading equipment. The neutron flux range for this type of irradiation is 0.5?1.4 × 10. n/cm. sec, and the maximum diameter of silicon ingots that can be handled is 78 mm..The availbale effective volume for si作者: Override 時(shí)間: 2025-3-24 08:01 作者: 蚊帳 時(shí)間: 2025-3-24 13:56 作者: Enrage 時(shí)間: 2025-3-24 17:33
Process Induced Recombination Centres in Neutron Transmutation Doped Silicon and their Influence on ticular large diameter high resistivity NTD Silicon has permitted the design of higher voltage and higher current thyristors for High-Voltage Direct-Current applications. In this paper we report on a study of the effects of lifetime degradation in NTD Silicon during device processing and its influen作者: 青石板 時(shí)間: 2025-3-24 23:04 作者: Hla461 時(shí)間: 2025-3-25 01:58
Experience with Neutron Transmutation Doped Silicon in the Production of High Power Thyristorsnt lifetime distributions as measured before processing into thyristors using a light-spot method and liquid rectifying contacts. The material annealed at 1,200°C shows lifetime variations which reflect the spiral patterns arising during the growth of the crystal. These lifetime variations were not 作者: BRAND 時(shí)間: 2025-3-25 05:12
Transient Current Spectroscopy of Neutron Irradiated Siliconoscopy (DLTS). A similar technique using transient currents is called Transient Current Spectroscopy (TCS). The basis of both DLTS and TCS are discussed, and some advantages of TCS over DLTS are pointed out. Some examples of past applications of DLTS to neutron irradiated silicon are given. The pres作者: JAUNT 時(shí)間: 2025-3-25 08:06
Calibration of the Photoluminescence Technique for Determination of Phosphorus in Silicon by Neutrons determination of boron, phosphorus, arsenic and aluminum in the 10. atoms/atom range in silicon monocrystal by photoluminescence. The method was originally calibrated on the basis of resistivity, but this leads to a relatively large uncertainty, especially for donor impurities. This paper describe作者: 郊外 時(shí)間: 2025-3-25 13:40
Swirls in Neutron-Transmutation Doped Float-Zoned Siliconore electrical properties, these ingots may show swirls after preferential etching. Statistical evidence indicates that, if both oxygen and carbon are present in concentrations less than 1 ppma (5 × 10. atoms/cm.), then it is oxygen that causes swirls to form. The lower threshold of oxygen for swirl作者: Conclave 時(shí)間: 2025-3-25 19:50
Compensation Effects in N.T.D. Indium Doped Siliconcompensated material. Besides the decrease in the equilibrium concentration of optically active indium, the presence of ionized donors and acceptors produces a broadening and a shift of the absorption lines, and makes it possible to detect a forbidden transition. Gradual neutralization of the ionize作者: PHON 時(shí)間: 2025-3-25 23:37 作者: Palter 時(shí)間: 2025-3-26 02:39 作者: Hiatal-Hernia 時(shí)間: 2025-3-26 05:04
K. Hansen,K. Stendal,K. Andresen,K. Heydornbzw. abgegrenzt. Eine Anzahl von Definitionen liegt bereits vor, auf die jedoch nicht weiter eingegangen werden soll, weil hier eine pr?zise Begriffsbestimmung nicht erforderlich scheint. Am intensivsten hat sich wohl Rudolf Maleri im deutschsprachigen Raum mit diesen Fragen im Zusammenhang mit der 作者: 粘 時(shí)間: 2025-3-26 11:57 作者: averse 時(shí)間: 2025-3-26 12:47 作者: 枯萎將要 時(shí)間: 2025-3-26 20:40
E. J. Parma Jr.,R. R. Harterkl?rte sie durch technologische Neuerungen und unternehmerisches Engagement. Diese Idee Schumpeters haben einige Zeit sp?ter so genannte neo-schumpeterianische Erkl?rungsans?tze der regionalen Entwicklung aufgegriffen. Sie alle beruhen auf der Annahme, dass die wirtschaftliche Aktivit?t sowohl kur作者: Barter 時(shí)間: 2025-3-27 00:33
N. Kaltenborn,O. Malmrostwicklungen von Regionen und das Fortbestehen von regionalen Disparit?ten erkl?ren kann. Den beiden Autoren ist es gelungen, den technischen Fortschritt als entscheidenden Faktor für Wirtschaftswachstum in ihren Modellen endogen zu erfassen. Dies war eine bedeutende Neuerung in der wissenschaftliche作者: 裙帶關(guān)系 時(shí)間: 2025-3-27 01:11 作者: 多骨 時(shí)間: 2025-3-27 06:46
B. Jayant Baligatwicklungen von Regionen und das Fortbestehen von regionalen Disparit?ten erkl?ren kann. Den beiden Autoren ist es gelungen, den technischen Fortschritt als entscheidenden Faktor für Wirtschaftswachstum in ihren Modellen endogen zu erfassen. Dies war eine bedeutende Neuerung in der wissenschaftliche作者: Indebted 時(shí)間: 2025-3-27 09:29 作者: 火花 時(shí)間: 2025-3-27 14:54
Lu Chuengang,Li Yaoxin,Sun Chengtai,Yin Janhuai Stadtplanern und Wirtschaftsgeographen vor allem in den USA gro?er Beliebtheit erfreut. Dieser neue Ansatz wird als . oder die . bezeichnet und geht auf Richard Florida zurück, der in besonders kreativen Menschen und den von ihnen initiierten Innovationen die zentralen Faktoren für Wirtschaftswach作者: EXALT 時(shí)間: 2025-3-27 17:53 作者: 2否定 時(shí)間: 2025-3-28 01:31 作者: 冥想后 時(shí)間: 2025-3-28 02:21 作者: Digitalis 時(shí)間: 2025-3-28 06:19
Horst G. Kramer Promovierende, Politiker und Praktiker.Kostenlos für Leser:.Das Buch stellt sowohl traditionelle als auch neuere und neueste Theorien zur Standortwahl vor. Die traditionellen Standorttheorien umfassen die klassische Standortlehre, die Agglomerations?konomik sowie die Untersuchung der Effekte unters作者: 庇護(hù) 時(shí)間: 2025-3-28 11:07 作者: Filibuster 時(shí)間: 2025-3-28 18:26
Neutron Transmutation Doping of p-Type Czochralski-Grown Gallium Arsenidetechniques and found to contain three different acceptor levels with a total acceptor concentration of 4 to 6xlO./cm. and total initial compensating donor concentration of 1 to 2xl0./cm...By following individual irradiated samples through a series of heat treatments, we have studied the effects of r作者: 壯觀的游行 時(shí)間: 2025-3-28 21:18
Neutron Transmutation Doped Silicon for Power Semiconductor Devicesed out will be described. These experiments were crucial to allaying initial concerns regarding the quality of neutron transmutation doped silicon and were instrumental in achieving the present widespread use of this process for fabrication of starting material for the power-device industry..The yea作者: 新娘 時(shí)間: 2025-3-29 00:43
Book 1984e Fourth International Transmutation Doping Conference reported in this volume includes invited papers summarizing the present and anticipated future of NTD silicon, the processing and characterization of NTD silicon, and the use of NTD silicon in semiconductor power devices. In addition, four paper作者: 出血 時(shí)間: 2025-3-29 03:10 作者: callous 時(shí)間: 2025-3-29 09:49 作者: 疏遠(yuǎn)天際 時(shí)間: 2025-3-29 14:12 作者: 組裝 時(shí)間: 2025-3-29 19:09 作者: GUILE 時(shí)間: 2025-3-29 20:46 作者: hedonic 時(shí)間: 2025-3-30 01:55
Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials978-1-4613-2695-3作者: 鋼盔 時(shí)間: 2025-3-30 05:19 作者: 和諧 時(shí)間: 2025-3-30 08:59
T. G. G. Smithe integriert. Diese ?embeddedness of economic action“(Grano-vetter) dient sowohl der B?ndigung des modernen Kapitalismus als auch seiner effizienten Entfaltung im Sinne einer optimalen Realisierung von Kooperationsgewinnen. Der Hinweis auf das leistungsf?hige duale System der industriellen Beziehung作者: poliosis 時(shí)間: 2025-3-30 15:53 作者: 客觀 時(shí)間: 2025-3-30 17:34
Paul Bréantnstleistungen zugerechnet werden, zu betrachten. Die Gliederung der amtlichen Statistik in der Bundesrepublik Deutschland wird nicht verwendet, obwohl dadurch erhebliches Datenmaterial verlorengeht. Dort werden aber beispielsweise Banken und Versicherungen zusammengefa?t behandelt - im Hinblick auf 作者: GLEAN 時(shí)間: 2025-3-30 22:44
Cao Yizheng,Gao Jijin Ist diese Optimierung vollzogen, rentiert sich der Umzug in eine st?rker spezialisierte Stadt, um von Produktivit?tseffekten durch die dortigen brancheninternen Agglomerationskr?fte profitieren zu k?nnen. Die Besch?ftigungswirkungen der Branchenstruktur h?ngen in beiden F?llen von der Elastizit?t d作者: Popcorn 時(shí)間: 2025-3-31 01:19 作者: Culpable 時(shí)間: 2025-3-31 06:54
N. Kaltenborn,O. Malmross selbst, sondern auch das anderer Akteure. In den ?lteren Wachstumsmodellen war ein dauerhafter Wachstumsprozess immer dadurch begrenzt, dass die Grenzertr?ge von Investitionen abnehmend waren. Durch die Berücksichtigung positiver Externalit?ten in der endogenen Wachstumstheorie wurde es nun m?glic作者: 打包 時(shí)間: 2025-3-31 11:35 作者: interpose 時(shí)間: 2025-3-31 13:42
B. Jayant Baligas selbst, sondern auch das anderer Akteure. In den ?lteren Wachstumsmodellen war ein dauerhafter Wachstumsprozess immer dadurch begrenzt, dass die Grenzertr?ge von Investitionen abnehmend waren. Durch die Berücksichtigung positiver Externalit?ten in der endogenen Wachstumstheorie wurde es nun m?glic作者: Adjourn 時(shí)間: 2025-3-31 19:18 作者: Fibrinogen 時(shí)間: 2025-3-31 23:05 作者: ADOPT 時(shí)間: 2025-4-1 05:36 作者: 安慰 時(shí)間: 2025-4-1 06:15 作者: 擦掉 時(shí)間: 2025-4-1 13:54
Bobbie D. Stone,Aliene D. Henry,Paul L. Clem Jr.,Larry W. Shive,Steve L. Gunnren laut diesem Ansatz solche St?dte, denen es gelingt, für Künstler attraktiv zu sein und so kreative K?pfe anzuziehen. Darüber hinaus leitet Florida Implikationen für die Stadtentwicklung ab und beschreibt, wie ein kreatives Umfeld geschaffen und aufrecht erhalten werden kann, um dadurch dauerhaft作者: 被詛咒的人 時(shí)間: 2025-4-1 16:22 作者: SEVER 時(shí)間: 2025-4-1 19:36
hird International Conference on Neutron Transmutation-Doped Silicon was organized by Jens Guldberg and held in Copenhagen, Denmark on August 27-29, 1980. The papers presented at this conference reviewed the developments which occurred during the t‘A‘O years since the previous conference and include
