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標(biāo)題: Titlebook: MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide; Yuhua Cheng,Chenming Hu Book 2002 Springer Science+Business Media New York 2002 Leistungsfeldeffektt [打印本頁(yè)]

作者: Pessimistic 時(shí)間: 2025-3-21 17:17
書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide影響因子(影響力)

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide影響因子(影響力)學(xué)科排名

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度學(xué)科排名

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide被引頻次

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide被引頻次學(xué)科排名

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide年度引用

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide年度引用學(xué)科排名

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide讀者反饋

書目名稱MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide讀者反饋學(xué)科排名

作者: 詞匯表 時(shí)間: 2025-3-21 22:07
http://image.papertrans.cn/m/image/639489.jpg

作者: V切開(kāi) 時(shí)間: 2025-3-22 01:22
https://doi.org/10.1007/b117400Leistungsfeldeffekttransistor; Standard; Transistor; field-effect transistor; insulated gate field-effec

作者: congenial 時(shí)間: 2025-3-22 05:11

作者: CIS 時(shí)間: 2025-3-22 09:55
d to BSIM3. It treats the BSIM3 model indetail as used in digital, analog and RF circuit design. It covers thecomplete set of models, i.e., I-V model, capacitance model, noisemodel, parasitics model, substrate current model, temperature effectmodel and non quasi-static model. ..MOSFET Modeling & BSIM3 User‘s 978-1-4757-8442-8978-0-306-47050-9

作者: CLEAR 時(shí)間: 2025-3-22 14:52
model. BSIM3v3 (BSIM for Berkeley Short-channel IGFETModel) has been selected as the first MOSFET model for standardizationby the Compact Model Council, a consortium of leading companies insemiconductor and design tools. .In the next few years, many fabless and integrated semiconductorcompanies are

作者: 臨時(shí)抱佛腳 時(shí)間: 2025-3-22 19:36
Book 2002IM3v3 (BSIM for Berkeley Short-channel IGFETModel) has been selected as the first MOSFET model for standardizationby the Compact Model Council, a consortium of leading companies insemiconductor and design tools. .In the next few years, many fabless and integrated semiconductorcompanies are expected

作者: Jacket 時(shí)間: 2025-3-22 23:29
8樓

作者: 先兆 時(shí)間: 2025-3-23 03:36
9樓

作者: breadth 時(shí)間: 2025-3-23 09:33
10樓

作者: invulnerable 時(shí)間: 2025-3-23 09:58
第4樓

作者: 飛來(lái)飛去真休 時(shí)間: 2025-3-23 14:28
第4樓

作者: reflection 時(shí)間: 2025-3-23 19:22
5樓

作者: Promotion 時(shí)間: 2025-3-24 00:56
5樓

作者: 疏忽 時(shí)間: 2025-3-24 05:21
5樓

作者: 熟練 時(shí)間: 2025-3-24 07:50
5樓

作者: 吹牛者 時(shí)間: 2025-3-24 12:50
6樓

作者: 不能妥協(xié) 時(shí)間: 2025-3-24 18:25
6樓

作者: 后退 時(shí)間: 2025-3-24 22:21
6樓

作者: 金絲雀 時(shí)間: 2025-3-25 00:52
6樓

作者: BARGE 時(shí)間: 2025-3-25 04:03
7樓

作者: 和諧 時(shí)間: 2025-3-25 11:25
7樓

作者: Pageant 時(shí)間: 2025-3-25 11:55
7樓

作者: 廢除 時(shí)間: 2025-3-25 16:07
7樓

作者: Incise 時(shí)間: 2025-3-25 23:43
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作者: fiscal 時(shí)間: 2025-3-26 03:38
8樓

作者: Morsel 時(shí)間: 2025-3-26 07:31
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作者: DEBT 時(shí)間: 2025-3-26 09:33
8樓

作者: 世俗 時(shí)間: 2025-3-26 14:10
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作者: BALE 時(shí)間: 2025-3-26 19:02
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作者: analogous 時(shí)間: 2025-3-26 23:22
9樓

作者: 要塞 時(shí)間: 2025-3-27 03:34
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作者: NAUT 時(shí)間: 2025-3-27 07:49
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作者: Banister 時(shí)間: 2025-3-27 10:30
10樓

作者: 起皺紋 時(shí)間: 2025-3-27 15:44
10樓

作者: Spinous-Process 時(shí)間: 2025-3-27 18:40
10樓

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