標(biāo)題: Titlebook: Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials; Billy L. Crowder Book 1973 Plenum Press, New York 1973 Plantation.corrosion.crysta [打印本頁] 作者: Grant 時(shí)間: 2025-3-21 17:46
書目名稱Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials影響因子(影響力)
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書目名稱Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials網(wǎng)絡(luò)公開度
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書目名稱Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials被引頻次
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書目名稱Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials年度引用
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書目名稱Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials讀者反饋
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作者: 廢止 時(shí)間: 2025-3-22 00:13
Concentration Profiles of Arsenic Implanted in Silicon. The nearly gaussian components agree with the prediction by the LSS theory. The exponential shape was not observed in heavily damaged silicon. The slope of the exponential tail is independent of a dose, substrate temperature and ion energy. It is proposed that this tail is caused by a rapid diffusion process such as interstitial diffusion.作者: 偉大 時(shí)間: 2025-3-22 02:27 作者: CAJ 時(shí)間: 2025-3-22 08:22 作者: modest 時(shí)間: 2025-3-22 09:19 作者: Obstruction 時(shí)間: 2025-3-22 14:21
The Effect of Ion Implantation on the Lattice Location of Arsenic in Arsenic — Doped Siof diffusing distances greater than lμm before causing the off site movement of an arsenic atom. Annealing of the tellurium bombarded samples to 700 to 800°C restores most of the off site arsenic to substitutional positions in the lattice.作者: HERE 時(shí)間: 2025-3-22 18:44
Experimental Analysis of Concentration Profiles of Boron Implanted in Siliconh as temperature, crystal direction, crystal perfection. The boron profiles in amorphous silicon were compared with theory. Another aspect studied is the profile distortion due to heat treatments. By comparison of the boron profiles with corresponding electrical profiles valuable additional information was obtained.作者: LASH 時(shí)間: 2025-3-23 00:23
nding and exciting research area. The advances in this field were so rapid that a second conference convened at Garmisch- Partenkirchen, Germany, in 1971. At the present time, our under- standing of the ion implantation process in semiconductors such as Si and Ge has reached a stage of maturity and 作者: 字謎游戲 時(shí)間: 2025-3-23 04:56
Calorimetric Determination of Optical Absorption in Proton-Bombarded GaAsn the square of the photon energy has been observed in other measurements for high fluence Xe ion implantation. Seventy percent of the proton-induced attenuation anneals below 300°C in agreement with previously measured neutron-induced optical attenuation.作者: 綁架 時(shí)間: 2025-3-23 07:59 作者: 披肩 時(shí)間: 2025-3-23 10:15
Radiation Damage in Metals and Semiconductors most thoroughly investigated materials (i.e., fee metals and elemental semiconductors) center around the nature of the self-interstitials. Theoretical reasons for the complex behaviour of these defects are discussed. An interpretation for radiation damage annealing in silicon is suggested.作者: Hallowed 時(shí)間: 2025-3-23 15:14
Strain Induced Effects on EPR Centers in Silicon Generated By P+ Ion Implantation in the amorphous region. At the stopping region of the implanted ions which is around Rp, an increase in the .-value was observed. It can be interpreted that strains caused by the stresses which the implanted ions exert on the surrounding lattice induce that effect.作者: foppish 時(shí)間: 2025-3-23 18:38
Defect Aggregation in Ion-Implanted GaAs, flux, and ion-implantation temperatures lends strong support to a model for which scattering and absorption is due to the formation of metallic-like defect aggregates. This dependence is not observed for low fluence Xe. ion implantation or for heavy proton implantation.作者: condone 時(shí)間: 2025-3-24 01:01
Internal Friction Study of Point Defects in Boron-Implanted Silicons from a separate species of point defect. From information on the Symmetry, reorientation kinetics and annealing behavior of the defects, it is concluded that the defects consist of boron and silicon interstitials. Specific assignments are proposed for the atomic configuration and charge state of the defects.作者: BALE 時(shí)間: 2025-3-24 04:41
978-1-4684-2066-1Plenum Press, New York 1973作者: AVOW 時(shí)間: 2025-3-24 08:34 作者: 影響帶來 時(shí)間: 2025-3-24 13:18
https://doi.org/10.1007/978-1-4684-2064-7Plantation; corrosion; crystal; diffusion; electroluminescence; metals; paper; semiconductor作者: Amorous 時(shí)間: 2025-3-24 16:32 作者: Stress 時(shí)間: 2025-3-24 19:50 作者: pulmonary 時(shí)間: 2025-3-24 23:45 作者: 珠寶 時(shí)間: 2025-3-25 06:06 作者: Jocose 時(shí)間: 2025-3-25 08:35
Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials作者: PRO 時(shí)間: 2025-3-25 14:37
Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials978-1-4684-2064-7作者: 獎(jiǎng)牌 時(shí)間: 2025-3-25 15:57
E. C. Baranova,V. M. Gusev,Yu. V. Martynenko,C. V. Starinin,I. B. Hailbullin作者: Intend 時(shí)間: 2025-3-26 00:04
M. Iwaki,K. Gamo,K. Masuda,S. Namba,S. Ishihara,I. Kimura作者: 極小 時(shí)間: 2025-3-26 00:30 作者: 喚醒 時(shí)間: 2025-3-26 07:40 作者: oblique 時(shí)間: 2025-3-26 12:27
W. FrankFragenkatalog wurde an Unternehmen, die graphisch-interaktive Anwendungssysteme entwickeln bzw. einsetzen, versendet. Den angeschriebenen Unternehmen wurde absolute Anonymit?t sowohl im Hinblick auf das zur Verfügung gestellte Datenmaterial als auch auf die Auswertung zugesichert. Die Ergebnisse die作者: 平 時(shí)間: 2025-3-26 14:59
C. B. Norris,K. L. Brower,F. L. VookFragenkatalog wurde an Unternehmen, die graphisch-interaktive Anwendungssysteme entwickeln bzw. einsetzen, versendet. Den angeschriebenen Unternehmen wurde absolute Anonymit?t sowohl im Hinblick auf das zur Verfügung gestellte Datenmaterial als auch auf die Auswertung zugesichert. Die Ergebnisse die作者: miracle 時(shí)間: 2025-3-26 17:01
S. I. Tan,B. S. Berry,W. F. J. FrankFragenkatalog wurde an Unternehmen, die graphisch-interaktive Anwendungssysteme entwickeln bzw. einsetzen, versendet. Den angeschriebenen Unternehmen wurde absolute Anonymit?t sowohl im Hinblick auf das zur Verfügung gestellte Datenmaterial als auch auf die Auswertung zugesichert. Die Ergebnisse die作者: FLAT 時(shí)間: 2025-3-26 23:12
P. Blood,G. Dearnaley,M. A. Wilkinsngstechnik und an alle, die sich mit analogem Schaltungsdesign besch?ftigen und der Herausforderung gegenüber stehen, innovative Schaltungen zu entwickeln, die mit niedrigen Versorgungsspannungen auskommen müssen..978-3-642-62192-5978-3-642-18602-8Series ISSN 0172-5882 作者: Arroyo 時(shí)間: 2025-3-27 02:36 作者: 禁令 時(shí)間: 2025-3-27 07:25 作者: 新手 時(shí)間: 2025-3-27 10:24 作者: EXCEL 時(shí)間: 2025-3-27 14:02 作者: 拍下盜公款 時(shí)間: 2025-3-27 20:42 作者: arbiter 時(shí)間: 2025-3-27 22:06 作者: –DOX 時(shí)間: 2025-3-28 05:59 作者: MOAN 時(shí)間: 2025-3-28 06:36
W. K. Hofker,H. W. Werner,D. P. Oosthoek,H. A. M. de Greftenehmen, Beh?rden und Unternehmensberatungen dabei sind, das Konzept praktisch zu realisieren. Die methodische und empirische Fundierung macht das Konzept nicht 978-3-540-18951-0978-3-642-73441-0Series ISSN 0178-5001 作者: 拉開這車床 時(shí)間: 2025-3-28 13:33 作者: calorie 時(shí)間: 2025-3-28 16:45
r war es wohl kein Zufall, sondern Ergebnis einer nachvollziehbaren Logik, da? sich beide Institute um den Rat und die Unterstützung des gleichen Mannes bemüht haben, der in einer seltenen Kombination Sachverstand und Erfah- rung, Kreativit?t und Regionalkenntnisse in einer Person vereint, n?mlich S作者: CHECK 時(shí)間: 2025-3-28 21:26 作者: irreducible 時(shí)間: 2025-3-28 23:19
W. Frankelcher Form diese quantitativ in der Mensch-Rechner-Interaktion zum Einsatz kommen. Zu diesem Zweck wurde eine Untersuchung durchgeführt, in der die Dialogkomponente existierender graphischer Applikationen analysiert wurde. Im Vordergrund standen hierbei graphisch-interaktive Anwendungsgebiete mit a作者: 恭維 時(shí)間: 2025-3-29 06:10 作者: 悶熱 時(shí)間: 2025-3-29 10:06 作者: 織物 時(shí)間: 2025-3-29 12:46
P. Blood,G. Dearnaley,M. A. Wilkinsierung in der Mikroelektronik führt zu extrem niedrigen Versorgungsspannungen, denen die herk?mmlichen Methoden des Entwurfs analoger Schaltungen nicht mehr gerecht werden. In diesem Buch werden verschiedene für sehr niedrige Versorgungsspannungen geeignete L?sungsans?tze analysiert und miteinander 作者: IST 時(shí)間: 2025-3-29 18:43
J. C. C. Tsai,J. M. Morabito,R. K. Lewisierung in der Mikroelektronik führt zu extrem niedrigen Versorgungsspannungen, denen die herk?mmlichen Methoden des Entwurfs analoger Schaltungen nicht mehr gerecht werden. In diesem Buch werden verschiedene für sehr niedrige Versorgungsspannungen geeignete L?sungsans?tze analysiert und miteinander 作者: 小官 時(shí)間: 2025-3-29 22:43 作者: liposuction 時(shí)間: 2025-3-30 01:09 作者: 解脫 時(shí)間: 2025-3-30 07:50 作者: 無法治愈 時(shí)間: 2025-3-30 10:39
Takashi Tokuyama,Isao Yoshida,Terunori Warabisako, d.h. die gemeinsame Nutzung derselben Daten durch verschiedene Programme, im Vordergrund. Ein Hindernis bei der Realisierung dieses Zieles stellt ungeplante Redundanz in Form synonymer und homonymer Datenelemente dar. Traditionelle Datenbankentwurfsmethoden bieten zur L?sung dieses Problems nur in作者: 異教徒 時(shí)間: 2025-3-30 13:27
sten wird dies an der Globali- sierung, einer Folge von weltweiter, enger elektronischer Kommunikation und einer darauf basierenden Logistik. Weitere Beispiele sind das Outsourcing von ganzen Abteilungen aus Unternehmen oder die Entstehung v?llig neuartiger Kommunikationsstrukturen wie etwa mittels 作者: 用肘 時(shí)間: 2025-3-30 19:05
David K. Bricesten wird dies an der Globali- sierung, einer Folge von weltweiter, enger elektronischer Kommunikation und einer darauf basierenden Logistik. Weitere Beispiele sind das Outsourcing von ganzen Abteilungen aus Unternehmen oder die Entstehung v?llig neuartiger Kommunikationsstrukturen wie etwa mittels 作者: Cursory 時(shí)間: 2025-3-31 00:46 作者: 防止 時(shí)間: 2025-3-31 04:23 作者: Visual-Field 時(shí)間: 2025-3-31 05:40
