標(biāo)題: Titlebook: Ion Implantation in Semiconductors 1976; Fred Chernow,James A. Borders,David K. Brice Book 1977 Plenum Press, New York 1977 Plantation.cor [打印本頁(yè)] 作者: affected 時(shí)間: 2025-3-21 16:50
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976影響因子(影響力)
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976影響因子(影響力)學(xué)科排名
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度學(xué)科排名
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976被引頻次
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976被引頻次學(xué)科排名
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976年度引用
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976年度引用學(xué)科排名
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976讀者反饋
書(shū)目名稱Ion Implantation in Semiconductors 1976讀者反饋學(xué)科排名
作者: 簡(jiǎn)略 時(shí)間: 2025-3-21 22:39 作者: Bereavement 時(shí)間: 2025-3-22 00:49
K. Aoki,K. Gamo,K. Masuda,S. Nambagenteil. Die dort geschil- derte Pionierzeit der frühen Rechenmaschinen endete für G?ttingen Ende der fünfziger Jahre mit der Ubersiedlung des Max-Planck-Instit978-3-540-10491-9978-3-662-07056-7Series ISSN 0343-3005 作者: 不真 時(shí)間: 2025-3-22 08:25
Takashi Hirao,Kaoru Inoue,Shigetoshi Takayanagi,Yuki Yaegashi Aspekt einer aktiven Entwicklung von Natur (und Landschaft?) vergeblich gesucht wird. Die mit dem BNatSchG 1976 modernisierte Bedeutung des Naturschutzbegriffes (vgl. Abschn. 9.2) wird dabei um L?ngen zurückgenommen. Die juristischen Autoren des UGB sehen ihre ?.“ ohne nennenswerte ?nderungen in de作者: generic 時(shí)間: 2025-3-22 11:29 作者: 挖掘 時(shí)間: 2025-3-22 15:31
P. Blood,W. L. Brown,G. L. Millerder Umwelt auf die Sportst?tten hervorgehoben werden. Der zweite Teil baut auf den Erkenntnissen des ersten auf, indem er die Gruppe der Wintersportanlagen, welche in der Literatur besonders h?ufig untersucht wurden, in Form zweier Case Studies noch spezifischer thematisiert. Die beiden Fallbeispiel作者: Multiple 時(shí)間: 2025-3-22 19:54
D. G. Beanlandzeigt, dass sowohl die Kommerzialisierung als solche sowie im Besonderen auch die Preise für Pay-TV-übertragungen sowie H?hen von Spielergeh?ltern und Abl?sesummen seitens der Fans nachdrücklich negativ bewertet werden. Unsere Ergebnisse lassen den Schluss zu, dass die Fans auf Entwicklungen einer f作者: AWRY 時(shí)間: 2025-3-22 21:30 作者: inventory 時(shí)間: 2025-3-23 02:25
G. Mezey,T. Nagy,J. Gyulai,E. Kotai,A. Manuaba,T. Lohner,J. W. Mayerwendung und Befolgung sowie die Verbindlichkeit und Durchsetzbarkeit hinsichtlich einer effektiven Umsetzung des Kodexes in Sportorganisationen. Der Beitrag er?ffnet neue Perspektiven für die Kodexforschung im Sport und bietet der Praxis Orientierung, inwiefern Governance-Kodizes effektive Instrumen作者: 強(qiáng)有力 時(shí)間: 2025-3-23 07:33 作者: REP 時(shí)間: 2025-3-23 10:41 作者: Pcos971 時(shí)間: 2025-3-23 15:50 作者: 防水 時(shí)間: 2025-3-23 19:40
M. Fujimoto,H. Yamazaki,T. Hondaommunikation einen wesentlichen Teil der Beziehungswirklichkeit aus. Dabei k?nnen St?rungen im sexuellen Bereich sowohl Ausdruck als auch Verst?rker bzw. Anla? von Beziehungsproblemen sein. Als indirekte sexuelle Funktionsst?rungen k?nnen sie an der Genese zahlreicher psychosomatischer Leiden innerh作者: 充氣女 時(shí)間: 2025-3-24 01:18 作者: Lipohypertrophy 時(shí)間: 2025-3-24 04:10
J. Comas,L. Plew,P. K. Chatterjee,W. V. McLevige,K. V. Vaidyanathan,B. G. Streetmane zweite und dritte Kategorie fallen, h?tte man die Einzelskalen zweifellos auch in den entsprechenden Kapiteln zu speziellen Verhaltensbereichen darstellen k?nnen. So beansprucht etwa die Münchener Funktionelle Entwicklungsdiagnostik für das 1. Lebensjahr, acht verschiedene Dimensionen zu erfassen,作者: 同義聯(lián)想法 時(shí)間: 2025-3-24 10:28
C. A. Stoltediesem Aufruf mit Qualit?tsverschlechterungen gleich gesetzt und Qualit?tsverbesserungen an den Erhalt bestehender Strukturen gebunden. Andere Kritiker prophezeien, dass die deutsche Universit?t ihre ?Seele“ verlieren wird, wenn sie sich auf Bachelor-und Masterstudieng?nge einl?sst, und dass der Ver作者: 絕緣 時(shí)間: 2025-3-24 14:06 作者: nullify 時(shí)間: 2025-3-24 15:27
S. M. Myersum einen wollen sie im Namen der von ihnen vertretenen Institute "ihrem" Jubilar einen Dank fiir sein langj?hriges Engagement abstatten - da- mit verbindet sich die Hoffnung auf eine auch zukünftig fruchtbare Zusam- menarbeit. Zum anderen wollen sie Volkmar K?hler eine pers?nliche Freude machen. Und da vielen978-3-322-92582-4978-3-322-92581-7作者: breadth 時(shí)間: 2025-3-24 21:35 作者: 助記 時(shí)間: 2025-3-24 23:12
Impurity Distribution of Ion-Implanted Be in GaAs by Sims, Photoluminescence, and Electrical Profili and electrically active profiles for fluences ≥ 6X10.cm. showed significant Be redistribution after the 900°C anneal. The atomic Be profile exhibited a sharp surface peak followed by an essentially flat distribution extending to approximately twice the peak position observed in unannealed samples. 作者: DOSE 時(shí)間: 2025-3-25 04:37
http://image.papertrans.cn/i/image/475175.jpg作者: nugatory 時(shí)間: 2025-3-25 11:28 作者: 無(wú)聊點(diǎn)好 時(shí)間: 2025-3-25 11:52
High Dose Implantation of Au and Cu into Si Studied by Auger Electron and Backscattering SpectroscopMetastable metallic Si-Au and -Cu alloys were formed at room temperature by high dose implantation(60KeV: .10. ions/cm.) of Au and Cu into Si single crystals. The alloy phases were identified by Auger Electron Spectroscopy(AES).作者: dry-eye 時(shí)間: 2025-3-25 16:55 作者: 自然環(huán)境 時(shí)間: 2025-3-25 23:56
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-4196-3Plantation; corrosion; crystal; diffusion; electron; electron microscope; electron microscopy; hydrogen; mic作者: harmony 時(shí)間: 2025-3-26 03:31 作者: fatty-streak 時(shí)間: 2025-3-26 06:58 作者: 充足 時(shí)間: 2025-3-26 10:18
Some Structural and Electrical Characteristics of GaAs Annealed after Implantation with Be, Mg, Zn, ence of 10. ions/cm.. The defect structures in the as-implanted and as-annealed states were examined using transmission electron microscopy techniques. The differences in the electrical properties of the specimens implanted with different ions are discussed in relation to the differences in the observed defect structures for the various samples.作者: ingestion 時(shí)間: 2025-3-26 14:58 作者: Constant 時(shí)間: 2025-3-26 18:43
Sheet Resistivity and Hall Effect Measurements of Aluminium Implanted Silicon and Silicon Films on S.. The annealing behaviour of the implanted layers was studied by sheet resistivity and Hall effect measurements. The annealing was performed in the temperature range 300 to 800°C. As a rule the sheet resistivity was found to be higher for aluminium implantations in silicon on sapphire than correspo作者: 令人發(fā)膩 時(shí)間: 2025-3-26 21:11
Electrical and Electron Microscope Studies of Boron Molecular Ion Implants into Silicond energy. In this study boron has been implanted from ion beams of B, BCl, Cl + B, BCl., BF, B + F and BF. at doses of 10.and 10. cm. with the energy of the boron atoms constant at 25 keV. The sheet resistance has been measured during isochronal annealing and significant differences are shown to exi作者: agnostic 時(shí)間: 2025-3-27 04:51 作者: 傀儡 時(shí)間: 2025-3-27 08:24
Enhanced and Inhibited Oxidation of Implanted Silicong species investigated Ge, Si and Ga showed strong passivation. Passivation proved to be partly connected with presence of disordered layers, therefore, oxidation rates correlate well with lattice reordering. As in case of lattice reordering, correlation was found between oxide growth rate and subst作者: Ophthalmologist 時(shí)間: 2025-3-27 10:36
Defects Introduced into Silicon by Boron Implantation in the MeV Energy Rangesurements performed directly on the produced p-n junctions. These curves, analysed by the “delaying heating method”, are compared to those obtained for low energy implants. Levels located at E. -0.18, E. -0.42, E. +0.26, E. +0.32 eV are identified. They are quite the same as those observed for low e作者: CHIDE 時(shí)間: 2025-3-27 15:24 作者: 萬(wàn)神殿 時(shí)間: 2025-3-27 20:16 作者: HEAVY 時(shí)間: 2025-3-27 23:12 作者: POLYP 時(shí)間: 2025-3-28 04:21 作者: florid 時(shí)間: 2025-3-28 09:39
Characteristics of Implanted N-Type Profiles in GaAs Annealed in a Controlled Atmosphere a flowing hydrogen-arsenic atmosphere is adjusted to he near equilibrium with the surface of the implanted GaAs during the heat treatment. The CAT anneal was used to study the characteristics of n-type impurities (Si and S), random implanted at room temperature into GaAs epitaxial layers. In situ i作者: eulogize 時(shí)間: 2025-3-28 12:07 作者: Magnificent 時(shí)間: 2025-3-28 17:58 作者: 暫停,間歇 時(shí)間: 2025-3-28 20:37 作者: 拋物線 時(shí)間: 2025-3-29 01:18
Dual Species Ion Implantation into GaAsstigated. Data on the doping efficiency and doping profiles are presented. Although other models are possible and should not be ruled out, the gross features of the Se results are explainable using a simplified model which postulates that the Ga implant produces donors via As vacancies and that the 作者: 商業(yè)上 時(shí)間: 2025-3-29 06:57
Lateral Spread of the Proton Isolation Layer in GaAst. Using this principle, the lateral spread of the proton isolation layer in GaAs was measured by the Copeland method. It is found that the lateral spread of the isolation layer is largest near the depth at which the carrier removal rate is a maximum and that it increases as the incident energy incr作者: initiate 時(shí)間: 2025-3-29 08:32 作者: PANEL 時(shí)間: 2025-3-29 13:35
Takashi Hirao,Kaoru Inoue,Shigetoshi Takayanagi,Yuki YaegashiBundesverwaltung schon bei seiner Ver?ffentlichung als überholt galt, macht die augenblicklich geringe Halbwertszeit umweltpolitischer Zielvorstellungen einerseits und die Schwierigkeit eines klaren Ausblicks andererseits deutlich. Eine detaillierte Diskussion von Teilen des UGB-Entwurfs k?nnte sich作者: Hiatal-Hernia 時(shí)間: 2025-3-29 17:28
G. Holmén,S. Peterstr?mBundesverwaltung schon bei seiner Ver?ffentlichung als überholt galt, macht die augenblicklich geringe Halbwertszeit umweltpolitischer Zielvorstellungen einerseits und die Schwierigkeit eines klaren Ausblicks andererseits deutlich. Eine detaillierte Diskussion von Teilen des UGB-Entwurfs k?nnte sich作者: eardrum 時(shí)間: 2025-3-29 19:55
P. Blood,W. L. Brown,G. L. Millerkeit von Sportst?tten zu gew?hren. Entsprechend basiert der erste Teil auf einer umfassenden Analyse der Literatur seit 2000, in welcher die Autoren wissenschaftliche Ver?ffentlichungen (n?=?58) zu verschiedenen Sportst?tten betrachten. Dabei wird zwischen den Kategorien künstliche Sportlandschaft (作者: 侵略 時(shí)間: 2025-3-30 02:13 作者: Derogate 時(shí)間: 2025-3-30 05:36
I. Ohdomari,M. Ikeda,H. Yoshimoto,N. Onoda,Y. Tanabe,T. Itohehen dabei den Einfluss der digitalen Transformation insbesondere auf wertkreierende Aktivit?ten und die Interaktionen zwischen verschiedenen Akteuren (z.?B. Sportklubverantwortliche, Fans, Sponsoren, Medien) im professionellen Teamsport. Rund um die zentrale Pr?misse der Wert-Kokreation stehen dabe作者: Curmudgeon 時(shí)間: 2025-3-30 09:59
G. Mezey,T. Nagy,J. Gyulai,E. Kotai,A. Manuaba,T. Lohner,J. W. Mayern mittlerweile viele Governance-Regelwerke mit unterschiedlichen Ans?tzen. Allerdings konnte sich bisher kein universaler Governance-Standard etablieren, der von einer breiten Basis von Sportorganisationen auf internationaler und nationaler Ebene in Deutschland, ?sterreich und der Schweiz unterstütz作者: coalition 時(shí)間: 2025-3-30 14:13
A. Hiraki,M. Iwami,K. Shuto,T. Saegusa,T. Narusawa,K. Gamo,S. Nambain der Kritik. Ziel dieses Beitrags ist es, die Zielkonflikte der Nachhaltigkeitsdimensionen für Sportgro?veranstaltungen aufzuzeigen und mit der gemeinsamen Ausrichtung durch mehrere St?dte oder L?nder – dem Co-Hosting – einen Ansatz für eine nachhaltigere Umsetzung von Sportgro?veranstaltungen vor作者: Fester 時(shí)間: 2025-3-30 17:33
J. C. Muller,R. Stuck,P. Siffert,S. Kalbitzerdesrepublik Deutschland durchaus parallele Wege geht, lafh sich beobachten, daB das Verwaltungsrecht auf einer Reihe von Rechtsge- bieten neue und in beiden Staaten andersartige Losungen entwickelt. Eine solche Entwicklung birgt die Gefahr in sich, daB die rechtswis- senschaftliche Diskussion sich n作者: 瑣事 時(shí)間: 2025-3-31 00:31
E. V. K. Rao,N. Duhamel,P. N. Favennec,H. L’haridon. Denn es ist in erster Linie Aufgabe der Fachgerichte, also der Verwaltungsgerichte, die Exekutive zu kontrollieren, w?hrend dem BVerfG speziell die Aufgabe zuf?llt, die Verfassungsm??igkeit staatlichen Handelns zu gew?hrleisten, und zwar nur auf eine verfahrensm??ig zul?ssige, begrenzte Weise. Ins作者: Eclampsia 時(shí)間: 2025-3-31 04:53
M. Fujimoto,H. Yamazaki,T. Hondan wie psychosozialen Einflüssen auf die sexuelle Reaktion bzw. sexuelles Erleben leicht erkennen l??t. Menschliche Sexualit?t ist aber nicht nur in ihrer ungest?rten Funktion ein Paradebeispiel psychosomatischen Geschehens auf der individuellen, interindividuellen und gesellschaftlichen Ebene, sie i作者: 赤字 時(shí)間: 2025-3-31 05:44 作者: bizarre 時(shí)間: 2025-3-31 11:44
R. B. Benson Jr.,M. A. Littlejohn,K. Lee,R. E. Ricker Kriegsende. In der Bunsenstra?e 10, dem Geb?ude der ehemaligen Aerodynamischen Versuchsanstalt, füllten sich die durch alliierten Kontrollratsbeschlu? freigewordenen Geb?ude allm?hlich mit neuen Institutionen und Instituten. So -, neben anderen, die Kaiser Wilhelm Gesellschaft mit Max Planck und Ot作者: 猛然一拉 時(shí)間: 2025-3-31 14:39
J. Comas,L. Plew,P. K. Chatterjee,W. V. McLevige,K. V. Vaidyanathan,B. G. Streetmanllgemeine Entwicklungsstand ermittelt werden soll (Reinert, 1964). Im Anschlu? an Arnold Gesell sowie Charlotte Bühler und ihre Mitarbeiterinnen sucht man mit solcherr Methoden das Alterscharakteristische des Verhaltens in verschiedenen Bereichen zu erfassen und w?hlt entsprechend solche Items aus, 作者: 考得 時(shí)間: 2025-3-31 19:02 作者: Anthem 時(shí)間: 2025-3-31 23:25
Hideki Matsumura,Selcuk Gecim,Kenneth G. StephensDie Initiatoren warnen in ihrem Aufruf vor den Folgen einer Strukturver?nderung des Lehramtsstudiums und seiner Eingliederung in Bachelor- und Masterstudieng?nge. Im Rückgriff auf eine an der Universit?t Paderborn verfasste Stellungnahme legen sie dar, warum die ?radikale Umw?lzung“, die ?bew?hrte, 作者: Occlusion 時(shí)間: 2025-4-1 03:36
S. M. Myersr war es wohl kein Zufall, sondern Ergebnis einer nachvollziehbaren Logik, da? sich beide Institute um den Rat und die Unterstützung des gleichen Mannes bemüht haben, der in einer seltenen Kombination Sachverstand und Erfah- rung, Kreativit?t und Regionalkenntnisse in einer Person vereint, n?mlich S作者: condescend 時(shí)間: 2025-4-1 09:41 作者: linear 時(shí)間: 2025-4-1 13:09
Characteristics of Implanted N-Type Profiles in GaAs Annealed in a Controlled Atmosphere% with tabulated values for energies 50 to 400 keV. Silicon and sulfur implantations of >2 x 10. cm. annealed at 800 C for 20 min resulted in apparent electrical conversion efficiencies >75%. The CAT annealed profiles are approximately Gaussian near the peaks with exponential tail behavior at lower concentrations.