作者: 案發(fā)地點(diǎn) 時(shí)間: 2025-3-21 23:09 作者: 遭受 時(shí)間: 2025-3-22 01:26 作者: Infelicity 時(shí)間: 2025-3-22 05:13 作者: Kindle 時(shí)間: 2025-3-22 11:33
V. Bareikis,K. Kibickas,J. Liberis,A. Matulionis,R. Miliu?yt?,J. Par?eliūnas,J. Po?ela,P. Sakalas作者: TATE 時(shí)間: 2025-3-22 14:28 作者: 大洪水 時(shí)間: 2025-3-22 19:20
Tunneling Through III–V Low-Barrier HeterostructuresThis paper deals with tunnelling through very low and thick ..... barriers. E xperimental results are presented and compared with theory. Measurements in a transverse magnetic field are also described, and their relationship to the tunnelling time discussed. They provide further confirmation of direct, “ballistic” tunnelling through thick barriers.作者: 全面 時(shí)間: 2025-3-23 00:40
meinerbare, sozusagen universelle, Kulturauspr?gungen gibt, oder ob Kultur divers und in hohem Masse branchen-, funktions-, gender- oder allenfalls altersabh?ngig ist. Und schlie?lich gehe ich der Frage nach, wer die Treiber einer neuen Arbeitskultur sind, ob es sozusagen eine Kulturavantgarde gibt,作者: 耕種 時(shí)間: 2025-3-23 04:33 作者: condemn 時(shí)間: 2025-3-23 08:41 作者: Aviary 時(shí)間: 2025-3-23 12:57
M. Heiblumure?– Den Wandel meistern, vermittelt dieses Kapitel einen überblick über die wichtigsten Essenzen, Aussagen und Erkenntnisse der Textbeitr?ge. Damit soll dem Wunsch vieler Leser nach Orientierung in der Vielheit und Lust, sich im Einzelnen zu vertiefen, entsprochen werden.作者: 孤獨(dú)無助 時(shí)間: 2025-3-23 15:58
P. Kuivalainen,K. Lindberge nunmehr angestellten experimentel- len Untersuchungen gr??eren Umfanges, die der Berichterstatter im Auftrag des Institutes für Arbeitswissenschaft der Technischen Hochschule Aachen durchgeführt und in diesem Bericht zusammengefa?t hat. Er ist aufgeglie- dert in: 14 Leits?tze, in denen die gewonne作者: 人類的發(fā)源 時(shí)間: 2025-3-23 19:39 作者: NEEDY 時(shí)間: 2025-3-24 01:20
A gekenn- zeichnet und au?erdem zur Unterscheidung von dem Lernstoff in anderer Schrift gesetzt. Wird eine Kontrollfrage vom Leser falsch oder unvollst?ndig beantwortet, so empfiehlt es sich in der Regel, die unmittelbar vorausgehende Lerneinheit noch- mals durchzuarbeiten. Sollte es nach einer nicht korrekte978-3-409-38921-1978-3-663-13825-9作者: insert 時(shí)間: 2025-3-24 06:13 作者: 平項(xiàng)山 時(shí)間: 2025-3-24 09:12
A. Kastalskyhten Identit?tsbegriffes vorgenommen. Das Kapitel wird mit einem Abschnitt zu ?Identit?tsbedrohungen“, welche sich aus dem sozialen Umfeld des Einzelnen ergeben k?nnen, abgeschlossen. Besonderes Augenmerk wird hier auf den identit?tsbedrohenden Charakter anomischer Anerkennungsmuster gerichtet. Dahe作者: forecast 時(shí)間: 2025-3-24 13:30
S. Muto,S. Hiyamizu,N. Yokoyamals normativem Rahmen für die Verteilung sozialer Anerkennung und dessen entsprechenden Funktionen für Organisation und Individuum. Hieran schlie?t sich ein Abschnitt an, der die Grundlagen zu Identit?tsbildung aus dem vorangegangenen Kapitel und die dargestellten Erkenntnisse über das Wesen und die 作者: Commodious 時(shí)間: 2025-3-24 15:04 作者: seduce 時(shí)間: 2025-3-24 20:19 作者: semiskilled 時(shí)間: 2025-3-25 02:17
J. Shah,R. A. H?pfel in Deutschland und in den Vereinigten Staaten verschieden. In Deutschland konnte ich Tausende und Abertausende von Zeitungsnummern, Hunderte von Jahresberichten von Gewerbegerichten und Gewerkschaftskartellen u. a. m. im Laufe der Jahre, die ich auf diese Untersuchung verwendete, in Mu?e durcharbei作者: evince 時(shí)間: 2025-3-25 06:00
H. Hillmer,G. Mayer,A. Forchel,K. S. L?chner,E. Bauser in Deutschland und in den Vereinigten Staaten verschieden. In Deutschland konnte ich Tausende und Abertausende von Zeitungsnummern, Hunderte von Jahresberichten von Gewerbegerichten und Gewerkschaftskartellen u. a. m. im Laufe der Jahre, die ich auf diese Untersuchung verwendete, in Mu?e durcharbei作者: Lipoprotein(A) 時(shí)間: 2025-3-25 10:27 作者: Eeg332 時(shí)間: 2025-3-25 12:18 作者: violate 時(shí)間: 2025-3-25 17:21 作者: 生命層 時(shí)間: 2025-3-25 21:51
Resonant Tunneling Transistors, Tunneling Superlattice Devices and New Quantum Well Avalanche PhotodT) bipolar transistor; infrared lasers and detectors based on sequential RT; avalanche photodiodes (APDs) and solid-state photomultipliers based on the recently discovered impact ionization across the band-edge discontinuity. The last section discusses the high speed operation of 1.3–1.6 .m QW APDs.作者: 600 時(shí)間: 2025-3-26 01:58
Transport Characteristics in Heterostructure Devicesnd the resonant-tunneling hot electron transistor (RHET). This is followed by a discussion of transport characteristics in the RHET, with special attention given to the resonant tunneling barrier (RTB) used as the emitter barrier of the RHET.作者: exquisite 時(shí)間: 2025-3-26 04:48
Hot-Carrier-Excited Two-Dimensional Plasmon in Selectively Doped AlGaAs/GaAs Heterointerface Under Hfrom the grating-coupled 2D-plasmon grew up to 30[μW/cm.] for the applied field of 760[V/cm]. The other related subjects such as the real-space transfer and 2D electron temperature are also demonstrated.作者: 接觸 時(shí)間: 2025-3-26 09:27
An Ultra-Fast Optical Modulator: The Double-Well GaAs/GaAlAs Superlattice (DWSL)ed as the optically active part of the device where the excitonic absorption can be bleached very rapidly by an external light source. The wider wells trap the excess carriers in a very short time so that the absorption is quickly restored. All optical switches with a time response shorter than 1 ps can be made with such a system.作者: GREG 時(shí)間: 2025-3-26 14:41
Springer Series in Electronics and Photonicshttp://image.papertrans.cn/h/image/426757.jpg作者: 無底 時(shí)間: 2025-3-26 18:13
https://doi.org/10.1007/978-3-642-82979-6electronics; photonics; semiconductor作者: 向宇宙 時(shí)間: 2025-3-26 21:32
Velocity Overshoot and Suppression of Diffusivity and Microwave Noise in Short n+-n-n+ Structures ofFast devices usually require semiconductors with high drift velocity of electrons and prefer the conditions of operation favourable for low noise and diffusivity.作者: 菊花 時(shí)間: 2025-3-27 01:42 作者: alcoholism 時(shí)間: 2025-3-27 08:12
Novel Real-Space Transfer DevicesRecent results of studying novel, three-terminal, high-speed device based on the real-space hot electron transfer are presented. Two modes of operation of this device: the NERFET and the CHINT — for which the most impressive new data have been obtained, are discussed emphasizing the physics of their operation.作者: 王得到 時(shí)間: 2025-3-27 09:38 作者: 極少 時(shí)間: 2025-3-27 17:10 作者: muster 時(shí)間: 2025-3-27 21:18
Modelling of High Electron Velocity Effects for Devicesrt transit time of the electrons across the active region. The control currents have also to be high enough to cope with stray capacitances. In addition to these performances the devices must satisfy the absolute necessity of a reduced internal feedback and of low-impedance access zones.作者: 山崩 時(shí)間: 2025-3-28 00:34 作者: frivolous 時(shí)間: 2025-3-28 04:44 作者: Glaci冰 時(shí)間: 2025-3-28 10:11
Mobility Overshoot of Hot Electronsobility of the hot carriers (photoinjected electrons and holes). For that purpose we resort to the use of the nonequilibrium statistical operator method (NSOM) in Zubarev’s approach [1], in the form already applied to the study of ultrafast relaxation phenomena in HEPS [2]. A nonlinear transport the作者: Cardioversion 時(shí)間: 2025-3-28 14:14
Monte-Carlo Simulation of the Effects Induced by Real-Space Transfer in a HEMT. So, the device behavior is similar to MOST behavior if the large gap semiconductor upper layer is considered as an insulating layer. Nevertheless, the technology used to grow this layer allows for a greater interface quality than in the classical MOS transistor. Furthermore, non-stationary transpo作者: 橡子 時(shí)間: 2025-3-28 14:49
Three Picosecond Oscillations in Avalanche Electron-Hole Plasma Induced by Energy Relaxation Phenometion has been paid to high-field range (typically 500 kv/cm), for which Impact Ionization is observed /2/–/4/. We have recently found from numerical simulation of non-stationary high-field carrier transport that submicron GaAs p-i-n diodes show high-frequency coherent instabilities in the particle c作者: modish 時(shí)間: 2025-3-28 22:44
Resonant Tunneling Transistors, Tunneling Superlattice Devices and New Quantum Well Avalanche PhotodT) bipolar transistor; infrared lasers and detectors based on sequential RT; avalanche photodiodes (APDs) and solid-state photomultipliers based on the recently discovered impact ionization across the band-edge discontinuity. The last section discusses the high speed operation of 1.3–1.6 .m QW APDs.作者: 生存環(huán)境 時(shí)間: 2025-3-29 00:04 作者: 聽寫 時(shí)間: 2025-3-29 04:28 作者: 閹割 時(shí)間: 2025-3-29 10:57
Hot-Carrier-Excited Two-Dimensional Plasmon in Selectively Doped AlGaAs/GaAs Heterointerface Under Hfrom the grating-coupled 2D-plasmon grew up to 30[μW/cm.] for the applied field of 760[V/cm]. The other related subjects such as the real-space transfer and 2D electron temperature are also demonstrated.作者: offense 時(shí)間: 2025-3-29 14:07
Optical High-Field-Transport Experiments in GaAs Quantum Wellsrs. We will discuss (1) a measurement of the drift velocity of minority carriers in GaAs quantum wells by a timeof-flight technique, (2) a simultaneous measurement of the luminescence spectra which allows us to determine the carrier distribution function and investigate the energy exchange rate betw作者: Congestion 時(shí)間: 2025-3-29 19:03 作者: 我要威脅 時(shí)間: 2025-3-29 20:26 作者: 隱士 時(shí)間: 2025-3-30 01:30 作者: OATH 時(shí)間: 2025-3-30 07:10 作者: 因無茶而冷淡 時(shí)間: 2025-3-30 08:12
R. Castagné wird immer wieder von einem ?digital divide“ gesprochen, einer Kluft, die sich zwischen jüngeren und ?lteren Arbeitnehmenden im Hinblick auf die Kompetenzen und Nutzung von Informations- und Kommunikationstechnologien (ICT) abzeichnet. In diesem Beitrag wird der Frage nach dem ?digital divide“ in U作者: 古老 時(shí)間: 2025-3-30 14:43 作者: Synchronism 時(shí)間: 2025-3-30 20:09
P. Kuivalainen,K. Lindberge und nach den Beziehungen zwischen ihnen mehrfach Gegenstand systematischer Untersuchungen gewesen. Vornehmlich die Arbeitskreise um W. POPPELREUTER in Bonn und Aachen, H. RUPPIN in Berlin sowie SACHSEN- BERG und BLUMENFELD in Dresden hatten sich w?hrend dieses für die Arbeits- psychologie fruchtba作者: 大門在匯總 時(shí)間: 2025-3-30 23:55 作者: Fresco 時(shí)間: 2025-3-31 01:09
