作者: Ingredient 時(shí)間: 2025-3-21 23:33
Optische Absorption und Reflexion,Halbleitern. Für numerische Zwecke merken wir uns, da? eine Quantenenergie ?ω von 1 eV ?quivalent einer Wellenzahl v von 8060 cm. und einer Wellenl?nge A, von 1,24 μm ist. Betr. weitergehende Literatur vgl. [Ref. 11.1].作者: 禁止 時(shí)間: 2025-3-22 01:21 作者: CRUE 時(shí)間: 2025-3-22 07:24 作者: SPURN 時(shí)間: 2025-3-22 10:01 作者: predict 時(shí)間: 2025-3-22 15:20
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-3104-3Halbleitern. Für numerische Zwecke merken wir uns, da? eine Quantenenergie ?ω von 1 eV ?quivalent einer Wellenzahl v von 8060 cm. und einer Wellenl?nge A, von 1,24 μm ist. Betr. weitergehende Literatur vgl. [Ref. 11.1].作者: figure 時(shí)間: 2025-3-22 18:21 作者: LAIR 時(shí)間: 2025-3-22 23:02 作者: emulsify 時(shí)間: 2025-3-23 03:09 作者: palpitate 時(shí)間: 2025-3-23 06:02
,Ladungstransport und Streuvorg?nge im Vieltal-Modell,ares Konzept zur Beschreibung der beobachteten Anisotropie der elektrischen und optischen Erscheinungen erwiesen. Z.B. die Zyklotron-Resonanz (Abschnitt 11.11) gestattet eine direkte experimentelle Bestimmung der effektiven Masse in jedem Tal für eine beliebig vorgegebene kristallographische Richtung.作者: Ballad 時(shí)間: 2025-3-23 13:02 作者: 阻礙 時(shí)間: 2025-3-23 15:30 作者: Grievance 時(shí)間: 2025-3-23 18:42 作者: Decibel 時(shí)間: 2025-3-23 23:12
Energieband-Struktur, typischer Bandstrukturen wird in Abschnitt 2.4 gegeben und dann in den Kapiteln 7 und 8 für die Berechnung des Ladungstransports angewandt werden, w?hrend in den Kapiteln 4 und 5 die Transporteigenschaften auf der Basis des einfachen Modells der Bandstruktur berechnet werden (was für die meisten F?lle eine ganz gute N?herung ist).作者: Prosaic 時(shí)間: 2025-3-24 05:55
Grundlegende Eigenschaften eines Halbleiters,den als Isolatoren bezeichnet. Die typische metallische Leitf?higkeit liegt bei 10. bis 10.(Ωcm)., w?hrend gute Isolatoren Leitf?higkeiten von weniger als 10.(Ωcm).haben. Die dazwischen liegenden Festk?rper wollen wir nicht alle in Bausch und Bogen als ?Halbleiter“ klassifizieren. Substanzen, bei de作者: 意見(jiàn)一致 時(shí)間: 2025-3-24 09:06 作者: committed 時(shí)間: 2025-3-24 13:37
,Diffusion von Ladungstr?gern,-strom j= -eD.?.n verursacht, wobei D. infolge der Einstein-Relation (4.10.12) proportional zur Elektronenbeweglichkeit ist. In diesem Kapitel werden wir die Diffusion von injizierten Ladungstr?gern bei ?rtlicher Variation der Dotierung untersuchen, wie sie für p-n überg?nge und Transistoren typisch作者: 誘惑 時(shí)間: 2025-3-24 16:46 作者: 跑過(guò) 時(shí)間: 2025-3-24 20:37 作者: Incommensurate 時(shí)間: 2025-3-24 23:14
Ladungstransport im Modell der verbeulten Kugeln, Fl?chen konstanter Energie verbeulte Kugeln, wie sie bereits in Abschnitt 2.4 (Fig. 2.28) diskutiert worden sind. In dem für III–V Verbindungen typischen Zinkblende-Gitter gibt es, im Gegensatz zum Diamantgitter, keine Inversions-Symmetrie.作者: DOLT 時(shí)間: 2025-3-25 04:30
Quanten-Effekte in Transport-Erscheinungen,der einzige Einflu?bereich der Quantenmechanik in der Halbleiterphysik. W?hrend die meisten Transport-Erscheinungen durch die Annahme eines klassischen Elektronengases erkl?rt werden k?nnen, gibt es jedoch andere, die nur mithilfe quantenmechanischer Argumente verst?ndlich sind. Im Abschnitt 9.1 wer作者: Asperity 時(shí)間: 2025-3-25 07:47 作者: conceal 時(shí)間: 2025-3-25 14:55 作者: Barrister 時(shí)間: 2025-3-25 16:12
Photoleitung,ir die Photoleitung im Detail behandeln, wobei auch die Diffusion eine Rolle spielt, vor allem aber der Einfang von Ladungstr?gern in Zentren mit langer Verweildauer (?Traps“) unter Ausbildung einer Raumladung.作者: Omnipotent 時(shí)間: 2025-3-25 23:14
Lichterzeugung durch Halbleiter,nte Strahlung eines Halbleiter-Lasers Linienbreiten bis herunter zu 10. nm haben kann. Diese Bauelemente sowie Photovoltaik-Dioden und Solarzellen (Abschnitt 5.8, 9, Kap. 12) werden ?optoelektronische Bauelemente“ enannt. W?hrend Erstere elektrische Energie in optische Strahlung verwandeln, bewirken作者: Dealing 時(shí)間: 2025-3-26 00:38 作者: CRACK 時(shí)間: 2025-3-26 05:18 作者: 脆弱么 時(shí)間: 2025-3-26 09:20
https://doi.org/10.1007/978-94-6209-269-3um ist seine Energie proportional zum Quadrat seines Impulses. Der Proportionalit?tsfaktor ist 1/(2m.), wobei m. die freie Elektronenmasse ist. In dem einfachen Modell der Bandstruktur wird dieselbe Beziehung zwischen Energie und Impuls angenommen au?er, da? m. durch eine effektive Masse m ersetzt w作者: otic-capsule 時(shí)間: 2025-3-26 15:57
https://doi.org/10.1007/978-1-349-20028-3-strom j= -eD.?.n verursacht, wobei D. infolge der Einstein-Relation (4.10.12) proportional zur Elektronenbeweglichkeit ist. In diesem Kapitel werden wir die Diffusion von injizierten Ladungstr?gern bei ?rtlicher Variation der Dotierung untersuchen, wie sie für p-n überg?nge und Transistoren typisch作者: Estrogen 時(shí)間: 2025-3-26 17:11
https://doi.org/10.1007/978-1-349-17194-1eti-schen, thermoelektrischen, thermomagnetischen usw. Effekte berechnet. Wir werden nun die wichtigsten Streumechanismen und die sich dafür ergebende Energie-Abh?ngigkeit von τ. untersuchen. In denjenigen F?llen, in denen sich ein Potenzgesetz ergibt, wird die Gr??e des Exponenten r bestimmt.作者: Pedagogy 時(shí)間: 2025-3-26 22:08 作者: admission 時(shí)間: 2025-3-27 04:47
The Nature of the Creative Process in Art Fl?chen konstanter Energie verbeulte Kugeln, wie sie bereits in Abschnitt 2.4 (Fig. 2.28) diskutiert worden sind. In dem für III–V Verbindungen typischen Zinkblende-Gitter gibt es, im Gegensatz zum Diamantgitter, keine Inversions-Symmetrie.作者: Addictive 時(shí)間: 2025-3-27 06:32
https://doi.org/10.1007/978-3-031-02453-5der einzige Einflu?bereich der Quantenmechanik in der Halbleiterphysik. W?hrend die meisten Transport-Erscheinungen durch die Annahme eines klassischen Elektronengases erkl?rt werden k?nnen, gibt es jedoch andere, die nur mithilfe quantenmechanischer Argumente verst?ndlich sind. Im Abschnitt 9.1 wer作者: CANE 時(shí)間: 2025-3-27 12:13
The Nature of the Philosophical Enterpriseiter k?nnen sogar als Modellsubstanzen für Gasplasmen dienen, da ihre lonenladungen praktisch unbeweglich sind und daher die Deutung experimenteller Ergebnisse erleichtert wird. Sto?ionisation wurde einerseits im Innern homogen dotierter Halbleiter bei tiefen Temperaturen, andererseits in p-n-überg?作者: escalate 時(shí)間: 2025-3-27 13:46 作者: 災(zāi)禍 時(shí)間: 2025-3-27 20:32 作者: multiply 時(shí)間: 2025-3-27 23:22 作者: minion 時(shí)間: 2025-3-28 03:33 作者: GILD 時(shí)間: 2025-3-28 08:42
Sociology of the Sciences - Monographssuchungen und eingehender Untersuchung der verschiedenen Einflüsse von Temperatur, Magnetfeld usw. auf das Leitungsverhalten m?glich und ohne vorerst n?here Erkl?rungen abzugeben, merken wir an, da? Halbleiter eine ?verbotene Zone“ besitzen, Halbmetalle dagegen ebenso wie Metalle keine. Der übergang作者: 卡死偷電 時(shí)間: 2025-3-28 11:32 作者: 商議 時(shí)間: 2025-3-28 17:34 作者: 無(wú)表情 時(shí)間: 2025-3-28 21:13 作者: 無(wú)底 時(shí)間: 2025-3-29 01:36 作者: N斯巴達(dá)人 時(shí)間: 2025-3-29 05:20
Halbleiter-Statistik,Die in Fig. 2.4 dargestellte periodische Potentialverteilung für ein Elektron im Kristall besteht, wie wir anhand von Fig. 2.8 gesehen haben, aus N diskreten Niveaus, wenn der Kristall aus N Atomen besteht. Zur Diskussion dieser Niveaus genügt es, die Erste Brillouin-Zone zu betrachten.作者: LUDE 時(shí)間: 2025-3-29 09:29
,Ladungs- und W?rmetransport im nichtentarteten Elektronengas,In den vorhergehenden Kapiteln haben wir gesehen, da? ein beweglicher Ladungstr?ger im Halbleiter eine effektive Masse m hat, die von der freien Elektronenmasse m. verschieden ist. Die effektive Masse berücksichtigt, da? der Ladungstr?ger einem Kristallfeld ausgesetzt ist.作者: 領(lǐng)帶 時(shí)間: 2025-3-29 12:15 作者: 無(wú)可爭(zhēng)辯 時(shí)間: 2025-3-29 15:38
http://image.papertrans.cn/h/image/420544.jpg作者: 富足女人 時(shí)間: 2025-3-29 19:50
978-3-322-98554-5Springer Fachmedien Wiesbaden 1992作者: 水土 時(shí)間: 2025-3-30 02:04 作者: Gourmet 時(shí)間: 2025-3-30 05:38 作者: 輕快走過(guò) 時(shí)間: 2025-3-30 11:37
https://doi.org/10.1007/978-1-349-20028-3-strom j= -eD.?.n verursacht, wobei D. infolge der Einstein-Relation (4.10.12) proportional zur Elektronenbeweglichkeit ist. In diesem Kapitel werden wir die Diffusion von injizierten Ladungstr?gern bei ?rtlicher Variation der Dotierung untersuchen, wie sie für p-n überg?nge und Transistoren typisch ist.作者: 圖畫(huà)文字 時(shí)間: 2025-3-30 14:56
https://doi.org/10.1007/978-1-349-17194-1eti-schen, thermoelektrischen, thermomagnetischen usw. Effekte berechnet. Wir werden nun die wichtigsten Streumechanismen und die sich dafür ergebende Energie-Abh?ngigkeit von τ. untersuchen. In denjenigen F?llen, in denen sich ein Potenzgesetz ergibt, wird die Gr??e des Exponenten r bestimmt.作者: Gorilla 時(shí)間: 2025-3-30 19:23 作者: cartilage 時(shí)間: 2025-3-30 23:46
The Near Earth Asteroid Rendezvous Missionir die Photoleitung im Detail behandeln, wobei auch die Diffusion eine Rolle spielt, vor allem aber der Einfang von Ladungstr?gern in Zentren mit langer Verweildauer (?Traps“) unter Ausbildung einer Raumladung.
