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標(biāo)題: Titlebook: Halbleiter-Technologie; Ingolf Ruge Textbook 19842nd edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1984 Halbleiter [打印本頁(yè)]

作者: 恰當(dāng)    時(shí)間: 2025-3-21 19:02
書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie影響因子(影響力)




書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie影響因子(影響力)學(xué)科排名




書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度




書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度學(xué)科排名




書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie被引頻次




書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie被引頻次學(xué)科排名




書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie年度引用




書(shū)目名稱Halbleiter-Technologie年度引用學(xué)科排名




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作者: paroxysm    時(shí)間: 2025-3-21 21:35

作者: Folklore    時(shí)間: 2025-3-22 04:23
Der ideale Einkristall, beschrieben, wobei die den Einkristall bildenden Atome, Ionen oder Moleküle entlang einer Koordinatenachse in einer periodischen Anordnung Punkte, die sog. Gitterpunkte, besetzen. Die Abst?nde zwischen diesen regelm??ig angeordneten Atomen werden als Gitterperiode oder Gitterabstand (Gitterkonstante) bezeichnet.
作者: 負(fù)擔(dān)    時(shí)間: 2025-3-22 06:15
,Me?verfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern,des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitf?higkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur überwachung der Ver?nderungen im Material infolge technologischer Prozesse, z.B. zus?tzliche Dotierung zur Herstellung von pn-überg?ngen, und Optimierung dieser Prozesse.
作者: 起草    時(shí)間: 2025-3-22 08:43
,Einführung in die Technik der Schaltungsintegration,en bei monolithischen Schaltungen sowohl bipolare Transistoren (Abschn. 11. l) als auch unipolare Transistoren, also MOS-Transistoren (Abschn. 11.2), verwendet. In Abschn. 11.3 werden diese beiden Grundtypen von integrierten Schaltungen verglichen.
作者: 寬容    時(shí)間: 2025-3-22 15:40

作者: amphibian    時(shí)間: 2025-3-22 19:50

作者: rectum    時(shí)間: 2025-3-22 22:25

作者: 嫌惡    時(shí)間: 2025-3-23 04:51

作者: 牛馬之尿    時(shí)間: 2025-3-23 08:31

作者: ADJ    時(shí)間: 2025-3-23 13:19
Der Metall-Halbleiter-Kontakt,chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-überg?nge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabh?ngige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-überg?nge in zunmehmendem Ma?e als eigenst?ndige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,
作者: Offset    時(shí)間: 2025-3-23 16:30
,Me?verfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern,eiterme?technik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitf?higkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur überwachung der Ver?nderungen im Mat
作者: 虛構(gòu)的東西    時(shí)間: 2025-3-23 18:24

作者: 光滑    時(shí)間: 2025-3-23 22:17

作者: AMEND    時(shí)間: 2025-3-24 02:31

作者: 竊喜    時(shí)間: 2025-3-24 09:00

作者: Arteriography    時(shí)間: 2025-3-24 12:49
https://doi.org/10.1007/978-94-011-7846-4chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-überg?nge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabh?ngige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-überg?nge in zunmehmendem Ma?e als eigenst?ndige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,
作者: 率直    時(shí)間: 2025-3-24 18:14
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-6008-5eiterme?technik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitf?higkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur überwachung der Ver?nderungen im Mat
作者: 慢跑    時(shí)間: 2025-3-24 21:33
https://doi.org/10.1007/978-1-4039-4401-6ng enth?lt), k?nnen in den allerwenigsten F?llen in dieser Form vom Anwender in System wie Leiterplatten usw. eingebaut werden. Dies liegt u.a. daran, da? eine geringfügige mechanische Beanspruchung das aus der dünnen (ca. 1 μm dicken) Aluminiumschicht bestehende Leiterbahnmuster zerst?ren würde; au
作者: Conjuction    時(shí)間: 2025-3-25 01:40
https://doi.org/10.1057/9781137264992t, da? alle Komponenten einer Schaltung auf einer Siliziumscheibe mit denselben technologischen Prozessen hergestellt werden. Als aktive Elemente werden bei monolithischen Schaltungen sowohl bipolare Transistoren (Abschn. 11. l) als auch unipolare Transistoren, also MOS-Transistoren (Abschn. 11.2),
作者: 結(jié)果    時(shí)間: 2025-3-25 06:24
https://doi.org/10.1007/978-1-4684-1773-9lzahl der heute verwendeten Halbleiterbauelemente mit den verschiedenartigen physikalischen Effekten, die diesen Bauelementen zugrundeliegen, erfordert entsprechend verschiedenartige Verfahren zur Herstellung von Einkristallen oder einkristallinen Schichten.
作者: exhilaration    時(shí)間: 2025-3-25 11:22
https://doi.org/10.1007/978-94-011-7846-4chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-überg?nge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabh?ngige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-überg?nge in zunmehmendem Ma?e als eigenst?ndige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden, Schottky-Impatt-Dioden).
作者: SEMI    時(shí)間: 2025-3-25 11:45

作者: 吼叫    時(shí)間: 2025-3-25 18:20
Der Metall-Halbleiter-Kontakt,chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-überg?nge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabh?ngige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-überg?nge in zunmehmendem Ma?e als eigenst?ndige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden, Schottky-Impatt-Dioden).
作者: averse    時(shí)間: 2025-3-25 20:29

作者: JAMB    時(shí)間: 2025-3-26 00:14

作者: 與野獸博斗者    時(shí)間: 2025-3-26 05:30

作者: 嚙齒動(dòng)物    時(shí)間: 2025-3-26 12:17
Halbleiter-Elektronikhttp://image.papertrans.cn/h/image/420538.jpg
作者: carotid-bruit    時(shí)間: 2025-3-26 13:36

作者: 好忠告人    時(shí)間: 2025-3-26 18:39
https://doi.org/10.1007/978-3-642-14393-9Unter Dotierung versteht man eine Beimengung bestimmter Stoffe zu einer vorgegebenen Substanz. Dabei kann die Substanz einen geordneten (kristallinen) Aufbau besitzen oder einen ungeordneten (z.B. amorphen); sie kann aus nur einem Element aufgebaut sein oder aus mehreren.
作者: cringe    時(shí)間: 2025-3-26 23:48

作者: fidelity    時(shí)間: 2025-3-27 04:14
https://doi.org/10.1007/978-1-349-08847-8Unter Planartechnik versteht man die Kombination einer Reihe von aufeinanderfolgenden und sich zum Teil wiederholenden Einzelprozessen an einkristallinen Halbleiterscheiben. Dies sind z.B. Diffusion, Oxidation, Epitaxie, Lithographie, ?tztechnik und Metallisierung.
作者: reject    時(shí)間: 2025-3-27 07:48

作者: Horizon    時(shí)間: 2025-3-27 10:44

作者: bronchodilator    時(shí)間: 2025-3-27 16:40

作者: 談判    時(shí)間: 2025-3-27 17:58

作者: 葡萄糖    時(shí)間: 2025-3-27 23:10
,Grundzüge der Planartechnik,Unter Planartechnik versteht man die Kombination einer Reihe von aufeinanderfolgenden und sich zum Teil wiederholenden Einzelprozessen an einkristallinen Halbleiterscheiben. Dies sind z.B. Diffusion, Oxidation, Epitaxie, Lithographie, ?tztechnik und Metallisierung.
作者: hyperuricemia    時(shí)間: 2025-3-28 03:34
,Spezielle Technologien für die Herstellung Integrierter Schaltungen,Bei der Herstellung von Integrierten Schaltungen werden spezielle Technologien angewendet, die der übersicht wegen nachfolgend zu-sammengefa?t sind. Es sollen hier nur die technologischen Einzelheiten beschrieben werden, w?hrend die Begründung für die Anwendung dieser speziellen Technologien in Kap. 11 im Vordergrund steht.
作者: 賠償    時(shí)間: 2025-3-28 08:40
Rafael Bello Pérez,Maria M. Garciai der Implementierung digitaler L?sungen und neuer innovativer Formen der Zusammenarbeit, als nur eingeschr?nkt adaptiv und agil bewertet. Mit dem Gesetz sollen die Strukturen des Gesundheitssystems der Dynamik der digitalen Transformation und der Geschwindigkeit von Innovationsprozessen angepasst werden.
作者: cuticle    時(shí)間: 2025-3-28 11:53

作者: needle    時(shí)間: 2025-3-28 15:40
0723-5097 in über 30 Verfassungsordnungen West- und Osteuropas. In diesem Sinn wendet sich das vorliegende Buch?an – schon über Grundkenntnisse des nationalen Verfassungsrechts verfügende – Studierende der Rechtswissenschaften sowie an alle Interessierten, die über den Tellerrand des nationalen Verfassungsrechts hinausschauen wollen..
作者: ABOUT    時(shí)間: 2025-3-28 21:41
increase even faster than the rate at which it increases among colleagues, owing to globalisation. For the caring professions, because people are living longer and as they age need more medical and support services, mainly young or middle-aged nurses, doctors and care workers are dealing with more a
作者: Analogy    時(shí)間: 2025-3-29 01:27
Design and Experiment of an Internally Cooled Turning Tool,61 aluminum in two cases of dry turning and turning by internally cooled turning tool (ICTT). Experimental results show that there is a significant difference between the cutting temperature at the tip and the temperature inside the insert. The temperature in the insert and the machined surface roug
作者: Capitulate    時(shí)間: 2025-3-29 06:19
Incremental Evaluation of Lattice-Based Aggregates in Logic Programming Using Modular TCLP,o the lattice structure is possible, but some properties guaranteed by the lattice may not hold. However, the flexibility provided by this possibility justifies its inclusion. We validate our design with several examples and we evaluate their performance.
作者: GRATE    時(shí)間: 2025-3-29 10:37
Von Beratung bis Abschluss: die Gespr?chsformen im Detailurch die Vertriebsmitarbeiter. Dieser ganze Prozess ist gekennzeichnet durch eine Reihe von direkten Kontakten und Gespr?chen mit dem Kunden, die jedes für sich eine besondere Dramaturgie, eine spezielle Zielsetzung und Regeln für den richtigen Aufbau haben. Daher setzen wir uns im Folgenden mit den
作者: prediabetes    時(shí)間: 2025-3-29 14:25
J. E. Cooling money. As the title suggests,special attention is paid to financial objectives and the relationshipof financial objectives to project schedules and scheduling. Inaddition, how schedules relate to other decisions is treated indetail. The book demonstrates that scheduling must be combined withproject
作者: 土產(chǎn)    時(shí)間: 2025-3-29 17:58





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